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公开(公告)号：CN116417024A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310390685.4
申请日：2023-04-13
Abstract: 本申请属于忆阻器技术领域，提供了一种忆阻电路及集成电路，忆阻电路包括：N个忆阻输入电路、M个忆阻输出电路、触发逻辑电路以及触发器；忆阻输入电路由输入阻变忆阻器和输入场效应管串联组成，忆阻输出电路由输出阻变忆阻器和输出场效应管串联组成，触发器的反相时钟端以及触发逻辑电路的输出端共接于反相时钟信号端，触发逻辑电路的第一输入端连接电源端，触发逻辑电路的N个第二输入端分别连接N个所述忆阻输入电路，通过设计新颖结构的忆阻电路可以降低运算复杂度，同时降低电路的面积和能耗。
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公开(公告)号：CN115988955A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310002648.1
申请日：2023-01-03
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种基于过渡金属硫属化物和有机聚合物的忆阻器及其制备方法，属于半导体存储相关技术领域。本发明所述忆阻器自下而上依次包括底电极、忆阻功能层及顶电极，忆阻功能层位于所述顶电极及所述底电极之间。本发明所述忆阻器采用如下方法制备而成：步骤1，将ITO导电玻璃放在紫外光下UV处理作为底电极；步骤2，制备含过渡金属硫属化物纳米片和聚合物的混合液，通过转移法转移至底电极上，作为忆阻功能层；步骤3，使用掩膜板通过热蒸镀的方法镀金属顶电极。本发明操作简单成本不高，并且环保灵活，对实验仪器要求不高。另外，将基板换为涂有ITO的PET基材(用具有氧化铟锡涂层的聚对苯二甲酸乙二醇酯)作为底部电极时，可以制成柔性忆阻器。
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公开(公告)号：CN115020660A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210404309.1
申请日：2022-04-18
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/60 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种PQ‑MnO2复合电极材料及其制备方法和应用，属于电极材料制备技术领域。本发明是以PQ、乙炔黑、高锰酸钾、浓硫酸等为原材料，首先将高锰酸钾、浓硫酸等原材料配成溶液、其次进行水热反应、抽滤、干燥，从而得到MnO2，再将其与PQ以及乙炔黑一起研磨混合均匀、最后进行球磨，从而使PQ和MnO2均匀形成PQ‑MnO2复合电极材料。本发明通过机械球磨混合，得到PQ‑MnO2复合电极材料，其中PQ与MnO2的相互作用，提高了PQ的电压平台，且较单独的PQ或MnO2，复合材料的容量更高，循环稳定性更好。
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公开(公告)号：CN114990629A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210858005.2
申请日：2022-07-20
IPC: C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明属于材料科学技术领域及电催化技术领域，具体涉及一种三相界面结构钴铁基催化剂及其制备方法和应用，本发明通过一步湿化学法得到的三相界面催化剂CoFe/CoFeOx/Fe3O4形成了稳定的界面结构，在界面处有着更快的电荷转移，降低了析氧反应过电势，利用本发明催化剂的界面处的快速电荷转移能够显著提升电化学动力学过程，从而实现高效稳定的电解水析氧。本发明合成的催化剂能耗小、工艺简单、成本低，在一定程度上解决了钴铁体系类材料合成方法具有局限性、能耗大、工艺复杂、成本高、等问题。
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公开(公告)号：CN114927158A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210674740.8
申请日：2022-06-15
Abstract: 本发明提供了一种忆阻器的状态检测及其读写装置，属于忆阻器的应用技术领域；本发明的装置包括：模拟模块、数字模块、忆阻器模块以及检测电路；通过分析比较忆阻器的几类窗函数模型，使其能在电气特性方面和阻变存储单元的阻变转变特性相一致；并对状态检测读写电路进行仿真验证，并对状态检测电路进行优化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114743975A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210333550.X
申请日：2022-03-31
IPC: H01L27/11517 , H01L27/11521 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种鳍式浮栅存储器件，包括：衬底；隔离层，其位于衬底一侧面；鳍片，其位于隔离层远离衬底一侧面；隧穿介质层，其包覆于鳍片外周；浮栅，其包覆于隧穿介质层外周；栅氧化层，其包覆于浮栅外周；控制栅，其包覆于栅氧化层外周；其中，隧穿介质层的顶部厚度与侧壁的厚度比值为(2～3):1。本发明的鳍式浮栅存储器件，针对鳍式结构在工作过程中载流子浓度不均的问题，将隧穿介质层的顶部厚度与侧壁的厚度比值设置为(2～3):1，即本发明采用相对于顶部隧穿层更薄的侧边隧穿层，通过该结构使得鳍片(Fin)中的电子和空穴更容易通过注入和隧穿穿过介质层到达浮栅。
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公开(公告)号：CN114695659A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210335342.3
申请日：2022-03-31
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种以双氧水为反应物的超临界流体处理氧化铌选通管的方法，包括以下步骤：将氧化铌选通管置于反应腔体内，向反应腔体内加入水和双氧水；向反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为2800～3200psi、温度为110～130℃，反应时间为1～2h。本发明的方法，采用超临界二氧化碳流体技术，使用双氧水和去离子水共同作为反应性物质，对已制备好的掺钛氧化铌选通管进行处理，成功降低了器件的OFF态电流，大幅提高了选通比。由于双氧水具有比去离子水更好的氧化性，相比单独使用去离子水作为反应物质，采用双氧水和去离子水共同作为反应性物质可以更好地钝化材料和器件内部以及不同材料界面处的缺陷。
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公开(公告)号：CN114050281B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202111290349.X
申请日：2021-11-02
Abstract: 本发明提供了一种空心碳纳米球复合催化剂及其制备方法和应用，该复合催化剂的制备方法，包括以下步骤：制备碳空心球；将Pt前驱物、乙酰丙酮金属化合物，加入至醇溶剂中，然后再加入碳空心球混合均匀后，得到混合粉末；将混合粉末置于管式炉中在还原气体下热解还原即得空心碳纳米球复合催化剂。本发明制备得到的复合催化剂，在还原气体下采用化学气相沉积方法，将各类前驱物金属原子热解还原后原位同步沉积在碳空心球上，获得了尺寸、成分可控的Pt基纳米合金‑碳空心球复合电催化剂；该方法不仅有效地控制了合金颗粒的尺寸，而且实现了纳(56)对比文件Chen, ZY等.Iron and Nitrogen Co-dopedCarbon Spheres as High Efficiency OxygenReduction Catalyst《.INTERNATIONAL JOURNALOF ELECTROCHEMICAL SCIENCE》.2021,第16卷(第5期),第1-8页.
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公开(公告)号：CN116306857B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310558303.4
申请日：2023-05-18
Abstract: 本发明公开了一种基于神经元膜高低电位采样的脉冲电路，提出膜电位高低位同步采样，在高低膜电位出现的时刻分别在对应端口输出一个指示脉冲；根据两个膜电位检测信号发放时间及相对位置综合判断神经元激活状态并发放脉冲。由于神经元阈值激活电压和保持电压相距较远，且触发脉冲发放需要两个检测脉冲按先后顺序在一定时间内成对出现，可以有效避免由于干扰或膜电位在所设置的基准电压附近波动而导致的脉冲少发或误发现象。该神经元激活状态识别和激活脉冲发放电路能够即时、准确地发放标准脉冲激活信号，为大规模多层脉冲神经网络的层间信号匹配与脉冲神经网络和各功能模块间的信号交互提供了有力支撑。
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公开(公告)号：CN116382624A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310390694.3
申请日：2023-04-13
Abstract: 本申请属于加法器技术领域，提供了一种有限域加法器电路及集成电路，采用高频小信号作为激励，利用忆阻低通滤波器实现信号相位的调制，通过级联即可实现各个忆阻器的阻值映射到相位上的加法。由于相位本身的周期性，基于相位的加法可自然实现有限域的循环特性，而无需在相加之后判断其大小再做减法，这使得其电路结构更为简化，可应用于计算机编码、密码学以及神经元电路等相关领域的应用研究，具有重要意义。
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