公开(公告)号：CN201634760U

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201020033133.6

申请日：2010-01-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈国荣 ,  莫晓亮 ,  刘晓萌

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/54

Abstract: 本实用新型属于MOCVD反应设备技术领域，具体涉及MOCVD反应器。该MOCVD反应器包含反应腔，该反应腔设中放置基板的衬底托盘可通过机械传动旋转，并且薄膜生长过程中，加热器与衬底间采用真空密封，从而完全隔绝，反应气体不可能与加热组件直接接触，从而简化了设计。同时采用基片更换机构，能够反应时完成后，运动到基片更换位置，使操作人员不用打开反应腔就能方便地交换基片。

公开(公告)号：CN217280785U

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202221145658.8

申请日：2022-05-13

Applicant: 成都稳海半导体有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 周露妍 ,  莫晓亮 ,  任洪瑞 ,  张攀

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

Abstract: 本实用新型提供了一种可以降低失效率的沟槽栅IGBT的结构，包括集电极金属，在集电极金属上依次设置有P+集电极区、FS层以及N型漂移区。在漂移区中设置有一定弧度的沟槽栅极结构，沟槽栅极底部置于P浮层中，沟槽栅极内侧壁覆盖以HfO2高k介质材料制成的栅氧层，且沟槽栅极中填充多晶硅。N型漂移区内，沟槽栅极两侧设有P基区。P基区内靠近沟槽栅极一侧为N+发射极，远离沟槽栅一侧为P+区。该结构沟槽栅上设有氧化层和发射极金属。本实用新型的结构可以防止器件发生过电压、漏电流失效。

公开(公告)号：CN2394194Y

公开(公告)日：2000-08-30

申请号：CN99240231.X

申请日：1999-11-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈国荣 ,  范智勇 ,  陈殿勇 ,  莫晓亮

IPC: G01B7/02 ,  G01B11/02

Abstract: 本实用新型涉及一种多探头的薄膜厚度测控装置。它由主计算机、计算机接口卡、数据采集卡、石英晶体探头、光探头、挡板驱动器等经电路连接构成。数据采集卡有两部分构成,分别对应石英晶体探头和光探头。探头可以多至16个。数据采集卡与接口卡之间由长屏蔽线连接。本实用新型使用多探头和微机测控,可以监测多个蒸发源,测量整个系统中的膜厚分布,并可同时监测风各镀膜机。本装置操作方便,工作稳定,成本低廉,易于推广使用。