一种完全生物可降解聚酯及其制备方法

    公开(公告)号:CN106589336B

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN201710031186.0

    申请日:2017-01-17

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于高分子材料技术领域,具体为一种完全生物可降解共聚物的制备方法。本发明的PTMC‑LLA‑GA共聚物是在催化剂作用下,利用三亚甲基碳酸酯(TMC)开环聚合制备不同分子量的PTMC大分子预聚物,PTMC再与左旋丙交酯(LLA)、乙交酯(GA)在一定的条件下无规共聚而成。本发明制得的共聚物是一种半结晶性聚合物,具有强度高,韧性好,降解速度可控的特点,可在组织工程支架、介入性医疗器械等生物医学领域取得应用。

    一种立构复合聚乳酸多孔膜材料的制备方法

    公开(公告)号:CN106496613B

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201610962193.8

    申请日:2016-11-04

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于高分子材料技术领域,具体为一种立构复合聚乳酸多孔膜材料的制备方法。本扽方面采用溶液浇注成膜的方法,制备不同厚度的立构复合聚乳酸膜材料(立构复合聚乳酸通过聚左旋乳酸和聚右旋乳酸共混或共聚制备得到);将制备好的立构复合聚乳酸膜样品放入降解液中,于恒温烘箱中进行降解,不同时间取样,制备具有多孔结构的立构复合聚乳酸膜材料。本发明制备得到的多孔膜材料孔径分布均匀,具有良好的耐热性和生物可降解性,可广泛应用于生物分子的分离、燃料分子的吸附以及电池隔膜材料等方面,具有广阔的应用前景。

    一种立构复合结晶型的聚乳酸嵌段聚合物的制备方法

    公开(公告)号:CN109337055A

    公开(公告)日:2019-02-15

    申请号:CN201811178912.2

    申请日:2018-10-10

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明为一种立构复合结晶型的聚乳酸嵌段聚合物的制备方法,使用惰性气体保护法制备由不同旋光性链段构成的聚乳酸嵌段聚合物。在催化剂作用下,以末端官能团为羟基的多枝化聚醚或聚酯为引发剂引发左旋丙交酯合成预聚物,再以预聚物作为大分子引发剂,引发右旋丙交酯进行开环聚合,制备得到所需产物。本发明无需高真空条件,在常压惰性气氛下,通过简单的反应流程,即可制备数均分子量高达10~30万的聚乳酸嵌段共聚物。制备的聚乳酸生成立构复合结晶晶体结构,且在多重加热熔融过程中均只发生立构复合结晶行为,不会发生低熔点的均聚物结晶。制备得到的聚乳酸嵌段聚合物的熔点高达210~230℃,且具有分子结构可控,立构规整度高等优点,具有广阔的应用前景。

    一种完全生物可降解聚酯及其制备方法

    公开(公告)号:CN106589336A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201710031186.0

    申请日:2017-01-17

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于高分子材料技术领域,具体为一种完全生物可降解共聚物的制备方法。本发明的PTMC‑LLA‑GA共聚物是在催化剂作用下,利用三亚甲基碳酸酯(TMC)开环聚合制备不同分子量的PTMC大分子预聚物,PTMC再与左旋丙交酯(LLA)、乙交酯(GA)在一定的条件下无规共聚而成。本发明制得的共聚物是一种半结晶性聚合物,具有强度高,韧性好,降解速度可控的特点,可在组织工程支架、介入性医疗器械等生物医学领域取得应用。

    一种含氟的多孔低介电常数复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN104201149B

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201410423510.X

    申请日:2014-08-26

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于集成电路制造技术领域,具体涉及一种含氟的多孔低介电常数复合薄膜及其制备方法。本发明以TEOS和LIMO作为液态源前驱体,以C2F6作为氟源,采用PECVD工艺,通过控制沉积过程中的衬底温度、射频功率、反应腔中工作压强、前驱体与氟源配比等工艺参数,沉积得到含氟的无机-有机复合薄膜;然后对该薄膜进行适当的热退火处理,使得部分有机组分发生热分解,由此获得含氟的多孔低介电常数复合薄膜。在100℃高温下测试,该薄膜的介电常数为2.37~2.75,在1 MV/cm场强下的漏电流密度处于10-8~10-9 A/cm2数量级范围内。此外,该类薄膜还具有优异的力学性质。本发明工艺操控简单,与现有集成电路后端互连工艺完全兼容,是互连介质的理想候选者。

    一种聚乳酸基二元共聚立构复合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN103709693B

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201310682042.3

    申请日:2013-12-13

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于高分子材料技术领域,具体为一种聚乳酸基二元共聚立构复合物及其制备方法。本发明中的二元共聚物为不同旋光性的丙交酯与三亚甲基碳酸酯(TMC)形成的二元共聚物(PLLA-TMC、PDLA-TMC)。将PLLA-TMC与PDLA-TMC按照一定比例进行溶液共混,利用LLA与DLA链段间的相互氢键作用,形成PLLA-TMC与PDLA-TMC二元共聚立构复合结构,再浇铸挥发成膜。本发明制得的立构复合物与均聚物立构复合物相比具有极大优势,通过立构复合结构的构建,使材料的力学性能得以大幅度提高,可广泛应用于生物医用材料或聚合物高性能工程材料领域。

    一种含纳米孔隙的低介电常数复合薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN104022074A

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201410240798.7

    申请日:2014-06-02

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于集成电路制造技术领域,具体为一种含纳米孔隙的低介电常数复合薄膜的制备方法。本发明以四乙氧基硅烷和双戊烯为前驱体,采用等离子体增强化学气相沉积工艺,通过控制沉积过程中的衬底温度、射频功率、反应腔中工作压强、前驱体配比等工艺参数,沉积得到无机-有机复合薄膜;然后对该薄膜进行适当的热退火处理,使得部分有机组分发生热分解,由此获得含纳米孔隙的低介电常数复合薄膜。该薄膜介电常数为2.5~2.9,在1MV/cm场强下的漏电流密度处于10-8~10-9A/cm2数量级范围内,击穿场强大于2MV/cm,且具有优异的力学性能。该方法操控简单,与现有集成电路后端互连工艺完全兼容,是互连介质的理想候选者。

    一种制备高分子量的聚乳酸立构嵌段共聚物的方法

    公开(公告)号:CN103073708A

    公开(公告)日:2013-05-01

    申请号:CN201310020572.1

    申请日:2013-01-20

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于高分子材料技术领域,具体为一种制备高分子量的聚乳酸立构嵌段共聚物的方法。本发明采用金属羧酸盐或金属醇盐作为端羟基活化剂,与聚左旋(右旋)乳酸或聚左旋(右旋)乳酸嵌段共聚物发生活化反应,制备特定官能团封端的高活性聚合物;然后,再利用开环聚合反应机理,在相对较低的反应温度下,以特定官能团封端的高活性聚合物作为大分子引发剂,引发右旋(左旋)丙交酯单体开环,成功制备高分子量的聚乳酸立构嵌段共聚物。本发明制备得到的聚乳酸立构嵌段共聚物的重均分子量高达37万,且其分子结构可控、立构规整高、耐热性好,具有广阔的应用前景。

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