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公开(公告)号：CN116903363B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310918819.5
申请日：2023-07-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/49 , C04B35/622
Abstract: 一种兼顾低烧结温度和高压电性能的无铅钛酸盐织构陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及无铅钛酸盐织构陶瓷材料及其制备方法和应用。解决现有技术下BT基陶瓷材料压电性能的增强是在居里温度Tc急剧下降的情况下实现，且烧结温度高的问题。材料化学通式为(Ba1‑xCax)(Ti1‑yBy)O3‑zwt.％M，晶粒内各元素分布均匀且无核壳结构存在，择优取向度为96％以上，压电系数为800pC/N以上，场致应变系数为2000pm/V以上，机电换能因数为22.0×10‑12m2/N以上，居里温度为80℃以上。方法：一、基体细粉制备；二、流延浆料制备；三、织构陶瓷制备。应用于高性能多层结构的环境友好型压电元器件中。
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公开(公告)号：CN116589278B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310420473.6
申请日：2023-04-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/493 , C04B35/622 , C04B41/88 , A61B8/00
Abstract: 一种兼具高机电性能及温度稳定性的钽镍酸铅‑锆钛酸铅陶瓷及其制备方法和应用。本发明属于压电陶瓷领域。本发明为解决现有彩超探头应用中陶瓷高机电性能与温度稳定性难以兼得的问题。本发明陶瓷化学式为：0.24Pb(Ni1/3Ta2/3)O3‑0.33PbZrO3‑0.43PbTiO3。本发明陶瓷以 取向的钛酸钡模板通过流延法制备获得。所得陶瓷综合性能最好，此时陶瓷压电系数d33高达724pC/N，居里温度TC为188℃，在25‑75℃温度范围内性能变化低于5％，同时机电耦合系数kt,可达0.57，与压电单晶相近。钽镍酸铅的引入，解决了当前高锆酸铅含量(>30％)陶瓷中模板固溶现象严重的问题。
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公开(公告)号：CN115105738B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210550607.1
申请日：2022-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明创造提供了一种可用于浅皮下透皮给药的小型换能器及其制作方法，属于超声治疗技术领域。解决了现有换能器在透皮给药过程中给皮下深处细胞带来损伤的问题。它包括曲面匹配层、曲面压电陶瓷片和外壳，曲面压电陶瓷片的形状为凹面球冠形，曲面压电陶瓷片设置在金属外壳内，曲面压电陶瓷片的凹面朝上，凸面朝下，曲面压电陶瓷片与金属外壳之间通过环氧树脂粘接固定，曲面压电陶瓷片上表面电极与金属外壳以速干银浆连接导通，在曲面压电陶瓷的上表面铺设一层曲面匹配层，且曲面匹配层与压电陶瓷之间以环氧树脂粘接，曲面匹配层与曲面压电陶瓷形状相适应，在曲面压电陶瓷片的下表面与金属外壳的内壁上分别焊接一根导线。本发明创造适用于透皮给药。
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公开(公告)号：CN117680350A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311751149.9
申请日：2023-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B06B1/06
Abstract: 本发明提供一种发射型空气耦合双频压电超声换能器，该超声换能器中，低频压电振子设置在前，高频压电振子设置在后，具体包括依次设置的高频匹配层、低频柔性电路层、绝缘层和高频压电振子，低频压电振子为多基元结构，高频匹配层的下表面分布刻蚀有空腔，低频压电振子嵌置于高频匹配层下表面空腔内并与低频柔性电路层贴合；所述绝缘层用于隔离所述高频压电振子与所述低频压电振子之间的电信号；所述低频柔性电路层用于激励低频压电振子。以解决空气耦合超声技术领域中纵向分辨率和声能传输效率无法兼顾的问题。属于超声无损检测技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115105738A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210550607.1
申请日：2022-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明创造提供了一种可用于浅皮下透皮给药的小型换能器及其制作方法，属于超声治疗技术领域。解决了现有换能器在透皮给药过程中给皮下深处细胞带来损伤的问题。它包括曲面匹配层、曲面压电陶瓷片和外壳，曲面压电陶瓷片的形状为凹面球冠形，曲面压电陶瓷片设置在金属外壳内，曲面压电陶瓷片的凹面朝上，凸面朝下，曲面压电陶瓷片与金属外壳之间通过环氧树脂粘接固定，曲面压电陶瓷片上表面电极与金属外壳以速干银浆连接导通，在曲面压电陶瓷的上表面铺设一层曲面匹配层，且曲面匹配层与压电陶瓷之间以环氧树脂粘接，曲面匹配层与曲面压电陶瓷形状相适应，在曲面压电陶瓷片的下表面与金属外壳的内壁上分别焊接一根导线。本发明创造适用于透皮给药。
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公开(公告)号：CN113292340B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110615534.5
申请日：2021-06-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 一种高压电性低损耗施主受主共掺杂压电陶瓷、制备方法及其应用，本发明属于功能陶瓷材料领域，具体涉及一种高压电性、低损耗施主受主共掺杂压电陶瓷、制备方法及其应用。本发明要解决传统固相烧结工艺使施主和受主掺杂离子进入同一个晶格，从而导致施主掺杂离子和受主掺杂离子产生的“软性效应”和“硬性效应”减弱，施主受主共掺杂的压电陶瓷不能得到理想的各项性能的问题。制备方法为首先合成MgNb2O6前驱体，然后分别独立制备单独掺杂钐的铌镁酸铅‑钛酸铅预烧粉体和单独掺杂锰的铌镁酸铅‑钛酸铅预烧粉体，最后将两种预烧粉体和CuO混合后进行烧结，并对陶瓷片进行烧银极化处理，得到压电陶瓷。本发明用于功率型超声换能器。
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公开(公告)号：CN114436654A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210116189.5
申请日：2022-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64
Abstract: 具有高相变温度、优异抗疲劳性和高机电性能的弛豫铁电铅基陶瓷材料及制备方法和应用，涉及弛豫铁电铅基陶瓷材料及制备方法和应用。解决现有技术下弛豫铁电陶瓷材料存在相变温度较低、抗电学疲劳性能较差，无法兼顾高机电性能、高相变温度和优异抗疲劳性的问题，而且含Zr类弛豫铁电织构陶瓷制备过程中存在热动力学问题。弛豫铁电铅基陶瓷材料化学通式为(1‑x‑y)Pb(A,Nb)O3‑xPbZrO3‑yPbTiO3‑awt.％B。方法：一、纯钙钛矿相母体细粉制备；二、流延法制备陶瓷生坯；三、织构陶瓷材料制备。应用：应用于压电致动器、智能传感器、超声换能器和能量收集器。
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公开(公告)号：CN113394334A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110583370.2
申请日：2021-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L41/047 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/257 , H01L41/277 , H01L41/297 , H01L41/43
Abstract: 本发明公开了一种基于正交极化与周期结构设计的压电叠堆致动器及其制备方法，属于集成电路装备制造领域。本发明解决了现有压电叠堆致动器极化方向与电场方向不能正交相容的问题。本发明通过设计图案电极及压电单元层的排列，构建正交极化与周期结构设计的压电叠堆致动器，该压电叠堆致动器因非180°电畴翻转产生的应变，是线性压电效应的～5倍，在20kV/cm驱动电场下，输出应变高于0.6％，远优于现有压电叠堆致动器。
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公开(公告)号：CN109553415B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910068506.9
申请日：2019-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/491 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 具有高电热效应的硅掺杂锆钛酸铅非取向薄膜的制备方法，涉及微电子器件制冷领域。本发明是为了解决现有缺少采用非取向薄膜形式对集成电路进行制冷的方法的问题。将乙酸铅溶于冰乙酸溶液中并加热去除水分得溶液A，将正丙醇锆和钛酸四丁酯溶于乙二醇单甲醚中得到溶液B；将A和B混合形成絮状不溶物，溶解不溶物，再加热得到PbZr1‑xTixO3溶胶溶液，作为溶液C；将纳米二氧化硅颗粒的乙醇溶液和溶液C混合得到溶液D；将C或D涂覆在FTO基片上形成湿膜，经过烘烤形成干膜，干膜退火处理形成一层薄膜；重复镀膜，获得具有厚度的薄膜；用磁控溅射方法在薄膜上表面生长铂金电极，制备锆钛酸铅非取向薄膜。它用于制备高电热效应的薄膜。
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