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公开(公告)号：CN104990832B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201510333466.8
申请日：2015-06-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N7/00
Abstract: 利用空心阴极内部气压变化监测钨顶孔腐蚀特性的方法，涉及钨顶孔腐蚀特性的监测技术。它为了解决破坏性检测方法需要破坏阴极，而且得不到腐蚀期间的变化情况，光学成像方法观测不到内部的形貌变化的问题。压力传感器放置在距离阴极钨顶孔200毫米，高度120毫米处，利用压力传感器监测阴极管稳态放电气压或阴极管冷却到室温时阴极管内部气压，最终根据气压变化情况评估出钨顶孔径的变化情况，得到钨顶孔腐蚀特性。本发明不需要破坏阴极，能够方便的评估阴极的钨顶孔腐蚀特性。本发明可用于监测钨顶孔腐蚀特性，适用霍尔推力器、离子推力器或其他设备中。
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公开(公告)号：CN106382195B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201611103276.8
申请日：2016-12-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 会切场‑霍尔组合型推力器，属于航天技术和低温等离子体技术领域，本发明为解决现有会切场推力器难以满足技术要求的问题。本发明在屏蔽罩中同时设置会切场推力单元和霍尔推力单元，屏蔽罩为向上开口的桶状结构，在屏蔽罩的中心位置设置会切场推力单元，霍尔推力单元设置在会切场推力单元的外部；会切场推力单元包括一号会切场永磁铁、二号会切场永磁铁、会切场陶瓷通道、导磁环和三号会切场永磁铁；本发明充分利用会切场的强磁场、霍尔推力器圆环形结构内部空间以及提高会切场推力器的效率。
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公开(公告)号：CN106772543A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611115583.8
申请日：2016-12-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/29
CPC classification number: G01T1/2907
Abstract: 霍尔推力器羽流发散角测量修正方法，属于霍尔推力器领域，本发明为解决霍尔推力器羽流发散角测量时，在不同测量半径下的相对误差问题。本发明方法包括以下步骤：步骤一、采用弧线测量方式获得羽流发散角边界对应的弧线方式测量值b；步骤二、根据弧线方式测量值b，进行第一次修正；步骤三、根据公式a＝x1a′+x2b+x3进行第二次修正，并a将作为羽流发散角最终值。
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公开(公告)号：CN101334352B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200810136846.2
申请日：2008-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N17/00
Abstract: 霍尔推进器寿命的估算方法，它涉及一种估算霍尔推进器寿命的方法。本发明解决了目前对霍尔推进器进行全寿命测试具有耗时长、耗费大的问题。对易溅射陶瓷管进行离子轰击，在时间t内陶瓷管面的轰击厚度为h，其中易溅射陶瓷管的角度溅射系数Y′(θ)＝n1·Y′(θ)、能量溅射系数s(E)＝n2·S(E)、管面密度N＝n3·N，Y′(θ)、S(E)和N分别为霍尔推进器通道陶瓷管的角度溅射系数、能量溅射系数和管面密度；根据霍尔推进器径向侵蚀速率公式和壁面被侵蚀掉的厚度公式可推得管道厚度为h的霍尔推进器的寿命本发明可以在短时间内对霍尔推进器的全寿命进行有效的估算和评估，从而大大减少实验时间，减少了耗费，而又具备直接可靠的优点，其可靠性要大于采用数值计算对推进器进行的寿命预测。
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公开(公告)号：CN117973132A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410155522.2
申请日：2024-02-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种磁传感器位置的筛选方法，涉及霍尔推力器在轨性能监测技术领域，该筛选方法包括磁通大小要求、磁通增量要求、与霍尔推力器的相对位置要求和传感器间距要求。其中，磁通大小要求能够保证目标位置的磁通密度在有无周向漂移电流时均处于磁传感器线性响应范围内；磁通增量要求能够保证周向漂移电流感生磁通变化时引起的电压变化量尽量大；与霍尔推力器的相对位置要求能够保证传感器不受霍尔推力器的羽流和散热的干扰；传感器间距要求能够保证传感器两两之间互不交叠。本发明能够解决当前传感器摆放位置的随机性导致的磁通法测量周向漂移电流效果不理想的问题，改善对霍尔推力器在轨性能估计的准确程度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110318964A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910608811.2
申请日：2019-07-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于毛细管的工质流量供给量调节装置。将低压储罐引出的气体输运到一根毛细管中，将该毛细管路引入到推力器内磁路中，并在内励磁线圈上进行缠绕，随后从霍尔推力器的内磁路引出接入气体分配器；当推力器工作过程中内励磁线圈温度升高时毛细管中的流阻会变大，此时流过其中的工质流量会节流降低，相应地霍尔推力器内磁路温度也会降低；当内磁路温度降低后，缠绕其上的毛细管中的流阻又会变小，流经其中的工质流量也会相应地变大。从而利用推力器工作过程中内磁路温度的变化实现其工质流量供给的自适应调节，本发明有效地省去原工质气体控制热节流模块的质量和体积，提高了调节工质流量供给量的灵敏度。
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公开(公告)号：CN110160688A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910434852.4
申请日：2019-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种测量在轨等离子体推力器的推力的方法及系统。该方法包括：获取拍摄的待测等离子体推力器的羽流照片；将羽流照片转换成RGB三维矩阵；对RGB三维矩阵进行灰度化处理，得到二维灰度矩阵；将二维灰度矩阵等分为m*n个子矩阵；利用奇异值分解计算每个子矩阵的奇异值，得到包含m*n个奇异值的特征值矩阵；对包含m*n个奇异值的特征值矩阵进行归一化处理，得到归一化的特征值矩阵；将归一化的特征值矩阵输入训练好的神经网络模型，得到羽流照片对应的推力。本发明的方法及系统能够实现对空间在轨工作的等离子体推力器的推力检测。
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公开(公告)号：CN110006776A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910298067.0
申请日：2019-04-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N5/04 , G01N23/2251 , G01N23/2273 , G01B11/30
Abstract: 一种针对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的评价方法，本发明涉及陶瓷材料抗溅射性能的评价方法。解决现有缺少对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的筛选与评价方法的问题。方法：一、将霍尔电推进器通道所用的陶瓷材料加工，得到试样；二、将试样置于靶台上，设定离子束流与试样法向夹角、离子源与试样的距离及靶台转速；三、抽真空，通入气体工质，调整气体工质；四、启动离子源，依次设定离子能量、阳极电压及加速电压，设定离子束流及电子束流，进行溅射试验，得到溅射后的试样；五、计算溅射速率v及溅射产额Y，分析溅射后的试样表面粗糙度、价键组成、元素含量及表面形貌。本发明用于针对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的评价。
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公开(公告)号：CN109630369A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910026143.2
申请日：2019-01-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明提供一种射频离子推力器及脉冲产生方法，涉及离子推力器技术领域。射频离子推力器包括电离室、二极管、脉冲电压电路和低压放电电源；在射频离子推力器屏栅和加速栅之间引入脉冲工作的电压，利用脉冲电压引出离子，进而产生推力，通过调整占空比在不改变现有射频离子推力器结构的情况下，实现更小的平均输出推力。本发明的射频离子推力器及脉冲产生方法可以有效扩展现有射频离子体推力器的推力输出下边界，在不改变现有射频离子推力器结构和尺寸的情况下，实现更小的平均输出推力，同时避免实现微小推力输出时需要高压加速电源增大推力器尺寸的问题。
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公开(公告)号：CN106382195A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201611103276.8
申请日：2016-12-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
CPC classification number: F03H1/0075
Abstract: 会切场-霍尔组合型推力器，属于航天技术和低温等离子体技术领域，本发明为解决现有会切场推力器难以满足技术要求的问题。本发明在屏蔽罩中同时设置会切场推力单元和霍尔推力单元，屏蔽罩为向上开口的桶状结构，在屏蔽罩的中心位置设置会切场推力单元，霍尔推力单元设置在会切场推力单元的外部；会切场推力单元包括一号会切场永磁铁、二号会切场永磁铁、会切场陶瓷通道、导磁环和三号会切场永磁铁；本发明充分利用会切场的强磁场、霍尔推力器圆环形结构内部空间以及提高会切场推力器的效率。
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