公开(公告)号：CN110441861B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201910762017.3

申请日：2019-08-19

Applicant: 吉林大学

Inventor： 衣云骥 ,  吕佳文 ,  曹悦 ,  林柏竹 ,  杨悦 ,  孙小强 ,  王菲 ,  张大明

IPC: G02B6/138 ,  G02B6/13 ,  G02F1/01

Abstract: 一种石墨烯掺杂梯形包层的MZI型光波导混合集成热光开关及其制备方法，属于光波导型热光开关制备技术领域。本发明是在二氧化硅衬底上旋涂光敏聚合物芯层材料，采用掩模版对光敏聚合物芯层材料进行光刻得到光波导芯层，然后旋涂石墨烯掺杂的聚合上包层材料、蒸镀金属膜、旋涂光刻胶、对版光刻、显影制备电极图形，最后解理，从而在衬底上制备出石墨烯掺杂梯形包层的MZI型光波导混合集成热光开关。本发明以梯形的包层结构代替平整的包层结构，提高了电极的加热效率。采用掺杂单层石墨烯分散液的聚合物材料代替传统聚合物材料，解决聚合物热导率低导致的功耗大和开关时间长的问题。本发明具有工艺流程简单、制备精度良好等优异效果。

公开(公告)号：CN111175898A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN202010077558.5

申请日：2020-01-30

Applicant: 吉林大学

Inventor： 衣云骥 ,  吕佳文 ,  曹悦 ,  林柏竹 ,  杨悦 ,  张永博 ,  张大明 ,  王菲

IPC: G02B6/138 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  G02B6/122 ,  G02F1/01 ,  G02F1/00

Abstract: 一种采用三维集成技术制备的垂直集成的二氧化硅-聚合物三维MZI波导热光开关及其制备方法，属于聚合物-二氧化硅光波导集成芯片制备技术领域。是在Si/SiO2衬底上沉积生长一层掺锗的高折射率SiO2层；然后制备第一掩膜层，等离子体刻蚀SiO2层，得到以掺锗的SiO2为芯层的波导结构；去除掩模层后，继续生长SiO2层，作为下层波导的上包层和上层波导的下包层；再制备第二掩膜层，等离子体刻蚀SiO2层得到凹槽；旋涂PMMA层，旋涂后得到倒脊形的波导芯层；旋涂一层低折射率NOA系列光敏材料作为上包层；最后制备铝电极。本发明的MZI结构解决了现有垂直X结结构开关功耗大的问题，使开关的响应速度更快。