-
公开(公告)号：CN108455653B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201810324625.1
申请日：2018-04-12
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G3/04
Abstract: 本发明的一种羟基氟化铜纳米片及其制备方法，属于纳米材料制备的技术领域。制备过程是,首先将硝酸铜和六甲基四胺溶于去离子水中搅拌10min，然后加入NaF继续搅拌15min；将混合溶液倒入聚四氟乙烯内衬，放入不锈钢高压反应釜中密封；在90～115℃下保温反应2～18h；自然冷却后用去离子水对反应产物离心清洗，干燥后得到浅绿色粉末状样品。制得的纳米片由单斜晶体结构的CuOHF构成，纳米片的边长约为200～400nm，厚度约为20～30nm；本发明原料无毒价格低廉，方法简单、重复性好、成本低；制备的产品在短波长发光器件、紫外光探测和高温、高功率电子器件等方面具有潜在的应用。
-
公开(公告)号：CN104961146B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510363582.4
申请日：2015-06-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种纳米片状氢氧化铝胶体及制备方法属于IIIA族氢氧化物纳米材料制备的技术领域。纳米片状氢氧化铝胶体是由三价铝的氢氧化物Al(OH)3及其各级脱水产物Al2O3·x(H2O)形成的具有高比表面积的纳米薄片凝胶。将无水甲醇和无水氯化铝直接放入反应釜中反应完毕后形成无色透明溶液，然后将反应釜密封并在220℃～300℃下保温1小时，自然冷却至室温，即得到纳米片状氢氧化铝胶体。本发明的纳米片状氢氧化铝胶体具有比表面积大、厚度薄等特点，制备方法简单易行，重复性好，成本低廉，无需调节pH值，无需真空环境。
-
公开(公告)号：CN104692342B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510086485.5
申请日：2015-02-17
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02P20/134
Abstract: 本发明的一种硒化亚锡纳米球的制备方法，属于纳米材料制备的技术领域。将锡粉、硒粉混合均匀，压成压块；将压块置于石墨锅内，石墨锅放入直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中；冷凝壁和铜锅阳极通入循环冷却水；在氩气或/和氮气中进行放电反应，保持放电电压为20V、电流为100A，反应3～5分钟；反应结束后再在氩气环境中钝化，在冷凝壁内腔侧面收集灰黑色粉末为SnSe纳米球。本发明制备的样品纯度高，结晶性好；制备过程中无需任何基片、模板、催化剂，对环境友好；制备时间短、能耗少、成本低、可重复性高；产品在太阳能电池转换，全息记录，近红外光电设备，可循环锂离子电池等方面具有潜在应用价值。
-
公开(公告)号：CN102910598B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201210428142.9
申请日：2012-10-31
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/072 , H01F1/40
Abstract: 本发明的钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管及其制备方法属于半导体自旋电子器件材料的技术领域。钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管呈六边形柱状结构，外表面光滑，内部有凹凸不平的褶皱，形成多孔结构。制备方法是以Al粉和Y粉为原料，以氮气为反应气体，在直流电弧等离子体放电装置中进行制备；将反应室抽真空，充入反应气体开始放电；放电反应3~5min后切断电源；静置再氩气钝化，在钨杆的阴极沉积区收集毛绒状块体。本发明所制备的样品产量大、纯度高、晶形完整、形貌尺寸均一，并且制备时间短、耗能少、成本低；制备过程中不需要任何基片、模板、催化剂，对环境友好、可重复性高。
-
公开(公告)号：CN102627263B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210118825.4
申请日：2012-04-21
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/072 , B82Y40/00
Abstract: 本发明的一种制备镁掺杂氮化铝纳米线的方法属于纳米材料制备的技术领域。以金属镁、金属铝、氮气和氨气为原料，在直流电弧放电装置的反应室中制备，反应室中有中空的铜锅为阳极，钨棒为阴极；将金属镁和金属铝混合压块放入铜锅，通入氮气和氨气；铜锅的中空部位通入循环冷却水，在电压为15～30V，电流为80～120A条件下放电，持续5～30分钟；放电结束继续通冷却水至反应室达到室温，在铜锅和钨棒上沉积的纯白色粉末即为镁掺杂氮化铝纳米线。本发明制备的镁掺杂氮化铝纳米线产量高、纯度高，在室温下具有铁磁性；制备方法简单，重复性好，且制备时间短，原料廉价成本低；由于无催化，无模板，所以对环境友好。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102976393A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210520733.9
申请日：2012-12-06
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法属于羟基氧化物纳米材料制备的技术领域。采用反应釜密封加热醇解的方法以及液-液界面反应的原理，通过向放置在超声仪中的氯化镓的苯溶液中逐滴滴入甲醇，再将混合后的溶液密封低温加热反应，所制备的样品为白色粉体。在优选的条件下制备出表面光滑、形貌完整、尺寸均一的纳米刷形貌的晶体。本发明首次采用醇解反应的方法进行羟基氧化镓纳米晶体的合成，克服了氯化镓极易吸水潮解的缺点，无需调节pH值、无需真空环境即可操作完成；明显抑制氯化镓的反应速度，使生成的羟基氧化镓形貌更易控制。并且本发明方法制得的产物产量大、纯度高；制备方法简单、重复性好、成本低。
-
公开(公告)号：CN102874775A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210428159.4
申请日：2012-10-31
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种氮化钪立方晶体的制备方法，属于稀土氮化物纳米材料制备的技术领域。所制备的氮化钪立方晶体由表面平整光滑、形貌尺寸均一的准立方体或长方体构成。制备方法采用直流电弧等离子体放电装置，在高温低气压系统条件以及等离子体辅助下，使高纯稀土金属钪与氮气直接发生反应，制备出带有金属光泽的、蓝绿色的粉体。本发明首次利用直流电弧等离子体放电装置合成出纯度高、形貌尺寸均一的氮化钪立方晶体结构；制备方法简单可靠、重复性好、反应时间短、耗能少、无需苛刻的真空条件、对环境友好、产物产量高；其优异的电学、力学以及机械等物理属性使其在半导体器件以及耐磨保护涂层等领域有着广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN102139374A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110053887.7
申请日：2011-03-08
Applicant: 吉林大学
IPC: B22F9/20
Abstract: 本发明的金属锌纳米线的制备方法属于纳米材料制备的技术领域。采用直流电弧放电装置，将ZnO粉、C粉混合均匀，压成混合粉压块；将压块置于石墨锅内，放入直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中；将反应室充入氩气，铜锅通入循环冷却水；放电过程中保持电压为20～40V，电流为80～120A，反应5～10分钟；再在氩气环境中钝化，在石墨锅中收集暗灰色的粉末为金属Zn纳米线。本发明具有方法简单、反应快速、低成本、无污染、产量大、样品纯度高，可重复性好、无需添加催化剂等优点。制备的产品在热电材料，光电材料，磁阻等领域具有应用潜力。
-
公开(公告)号：CN101531350B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910066831.8
申请日：2009-04-16
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/068 , B82B1/00 , B82B3/00
Abstract: 本发明的氮化硅纳米梳及其制备方法属于纳米材料及制备的技术领域。纳米梳中纳米线是由Si3N4组成的，纳米线阵列形成梳状。制备方法是采用直流电弧放电装置；以硅粉、碳粉和二氧化硅粉为原料，压成混合粉块；放入直流电弧发电装置，充入氮气至气压为10～30kPa，在电压20～40V电流80～120A条件下，放电反应5～10分钟，制得白色粉末的氮化硅纳米梳。本发明方法简单、环保、低成本；纳米线制备具有产量高、反应迅速、可重复性高、样品纯度高等优点；产品在量子元器件，光致发光，纳米机电系统等方面有应用潜力。
-
公开(公告)号：CN101508427B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910066671.7
申请日：2009-03-23
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/072
Abstract: 本发明的一种氮化铝单边纳米梳及其制备方法属于纳米材料及其制备的技术领域。氮化铝单边纳米梳由纳米线阵列形成的单边梳状结构，纳米线在中间主干一侧生长出来；纳米线由六方纤锌矿晶体结构的AlN构成；纳米线的直径一般约为50～80nm，长度约1～1.5μm。制备方法是采用直流电弧放电装置，在高温低压系统条件下，使金属铝直接与氮气和氨气的混合气体发生反应，制备出白色的纳米梳样品。本发明首次合成出纯度高排列较均匀的AlN单边纳米梳结构；制备方法简单，重复性好，时间短，成本低，对环境友好；将会在激光干涉/耦合、纳米激光器阵列、纳米机电系统等方面有应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
85
records
(took 0.019 seconds)
