公开(公告)号：CN102054741A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010518038.X

申请日：2010-10-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 袁锋 ,  李宗霖 ,  陈宏铭 ,  张长昀

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/845 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供一种形成集成电路结构的方法，包括：提供一半导体基底，包括一顶部表面；形成一第一绝缘区和一第二绝缘区于半导体基底中；及凹陷化第一绝缘区和第二绝缘区，其中第一绝缘区和第二绝缘区剩余部分的顶部表面是平坦表面或凹陷表面，且其中位于第一绝缘区和第二绝缘区的移除部分之间，且邻接两者的部分半导体基底形成一鳍。通过于鳍式场效应晶体管的栅电极下形成平坦浅沟槽隔离区或凹陷浅沟槽隔离区，可减少鳍式场效应晶体管的寄生栅极电容，且也可增加对应鳍式场效应晶体管的速度。