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公开(公告)号：CN110106334A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201810306660.0
申请日：2018-04-08
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法，其特征在于：所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内，所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统，所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统，所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃，所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃，所述冷却室的压力50kPa-100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率，提高产品一致性。
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公开(公告)号：CN111223624B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202010121425.3
申请日：2020-02-26
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。该原料组合物包括R：28～33％；R为稀土元素，R包括R1和R2，R1为熔炼时添加的稀土元素，所述R1包括Nd和Dy；所述R2为晶界扩散时添加的稀土元素，R2包括Tb，R2的含量为0.2～1％；Co：＜0.5％但不为0；M：≤0.4％但不为0，M的种类包括Ti、Ni、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Zr、Hf和Ag中的一种或多种；Cu：≤0.15％但不为0；B：0.9～1.1％；Fe：60～70％；百分比为各组分质量占原料组合物总质量百分比。本发明的磁体材料具有高剩磁、高矫顽力以及高温性能好的优势。
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公开(公告)号：CN111223625B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202010121473.2
申请日：2020-02-26
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明提供了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。所述原料组合物包括：R：28～33wt％；R包括R1和R2，所述R1为熔炼时添加的稀土元素，所述R1包括Nd和Dy；所述R2为晶界扩散时添加的稀土元素，所述R2包括Tb，所述R2的含量为0.2wt％～1wt％；M：≤0.4wt％且不为0wt％，所述M的种类包括Ti、Ni、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Zr、Hf和Ag中的一种或多种；Cu：≤0.15wt％、且不为0wt％；B：0.9～1.1wt％；Fe：60wt％～70.88wt％；原料组合物中不含有Co。本发明的磁体材料具有高剩磁、高矫顽力以及高温性能好的优势。
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公开(公告)号：CN110106334B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201810306660.0
申请日：2018-04-08
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法，其特征在于：所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内，所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统，所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统，所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃，所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃，所述冷却室的压力50kPa‑100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率，提高产品一致性。
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公开(公告)号：CN109735687A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811215366.5
申请日：2018-10-18
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法，其特征在于：所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内，所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统，所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统，所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃，所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃，所述冷却室的压力50kPa-100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率，提高产品一致性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107871602A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201610850051.2
申请日：2016-09-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: H01F41/02
Abstract: 本发明公开了一种R-Fe-B系稀土烧结磁铁的晶界扩散方法、HRE扩散源及其制备方法，包括以下步骤：在耐高温载体上形成膜的工程A，所述膜中附着有HRE化合物粉末，所述的HRE是选自Dy、Tb、Gd或Ho的至少一种；将所述R-Fe-B系稀土烧结磁铁和经过所述工程A处理的所述耐高温载体放置在处理室内，在真空中或惰性气氛中，对所述R-Fe-B系稀土烧结磁体和所述耐高温载体进行热处理，从所述耐高温载体向所述R-Fe-B系稀土烧结磁铁的表面供给HRE的工程B。该方法可降低重稀土元素的消耗，并在升高矫顽力的同时，控制磁铁剩磁Br的损失。
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公开(公告)号：CN101572311B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200810210684.2
申请日：2008-08-09
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种过化学计量比贮氢合金及其制备方法和应用，属于贮氢合金领域，配方通式是RENiaCobMncAldCueFef，其中RE由La、Ce、Pr、Nd、Y等稀土类元素中的一种或一种以上组成，此外还满足3.55≤a≤4.45，0≤b≤0.3，0.6≤c≤1.2，0≤d≤0.2，0≤e≤0.65，0≤f≤0.45，5.6≤a+b+c+d+e+f≤6.0的条件，本发明所提供的配方大幅度降低了通常商业化贮氢合金中必不可少的贵重金属钴，甚至可以不含钴，从而达到降低成本的目的。本发明通过控制合金的微结构，使合金保持有比较好的容量、寿命特性。
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公开(公告)号：CN110070986B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201910408822.6
申请日：2017-09-21
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: H01F41/02
Abstract: 本发明公开了一种R‑Fe‑B系稀土烧结磁铁的晶界扩散方法、HRE扩散源及其制备方法，包括以下步骤：在耐高温载体上形成干燥层的工程A，所述干燥层附着有HRE化合物粉末，所述的HRE是选自Dy、Tb、Gd或Ho的至少一种；在真空中或惰性气氛中，对所述R‑Fe‑B系稀土烧结磁体和所述经过工程A处理的所述耐高温载体进行热处理，向所述R‑Fe‑B系稀土烧结磁铁的表面供给HRE的工程B。该方法可降低重稀土元素的消耗，并在升高矫顽力的同时，控制磁铁剩磁Br的损失。
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公开(公告)号：CN103412037B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310224327.2
申请日：2013-06-02
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: G01N27/72
Abstract: 本发明公开了用于各向异性永磁材料磁取向检测的快速无损检测方法，其包括如下的步骤：调节磁场发生装置所产生的磁场强度；将所述磁感强度测试仪的检测探头设置在所述磁场发生装置所产生磁场的检测区域内，调整好检测探头的检测方向；将所述待检测永磁材料的各对侧面以垂直于所述磁场磁力线的方向放置到所述磁场发生装置所产生磁场内，观察所述磁感强度测试仪的读数。其利用永磁材料可逆磁化区和各向异性的特点，创造性地开发出了用于检测永磁材料产品磁取向的快速无损检测方法。
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公开(公告)号：CN101572311A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200810210684.2
申请日：2008-08-09
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种过化学计量比低成本贮氢合金及其制备方法和应用，属于贮氢合金领域，配方通式是RENiaCobMncAldCueFef，其中RE由La、Ce、Pr、Nd、Y等稀土类元素中的一种或一种以上组成，此外还满足3.55≤a≤4.45，0≤b≤0.3，0.6≤c≤1.2，0≤d≤0.2，0≤e≤0.65，0≤f≤0.45，5.6≤a+b+c+d+e+f≤6.0的条件，本发明所提供的配方大幅度降低了通常商业化贮氢合金中必不可少的贵重金属钴，甚至可以不含钴，从而达到降低成本的目的。本发明通过控制合金的微结构，使合金保持有比较好的容量、寿命特性。
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