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公开(公告)号：CN112226728A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011102664.0
申请日：2020-10-15
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明属于钨制品制备领域，涉及一种具有耐氧化涂层的钨制品及其制备方法。该方法包括：将钨制品基体浸入酸性电解液中并在氩气保护下于15～20V的电解压力下电解2～3分钟，电解液中含有10～15vt％氢氟酸、15～20vt％硝酸且余量为水，超声波清洗后烘干，之后埋入涂层渗料中并依次在700～750℃下保温5～10小时和在900～1000℃保温3～8小时，涂层渗料中含有15～20wt％铝粉、5～10wt％硼粉、2～5wt％氯化铵、2～5wt％氟化钠且余量为氧化铝粉，全程通入氩气保护。采用本发明提供的方法能够显著提高钨制品的抗氧化性，同时能够保持钨制品的强度和硬度，并可防止金属钨制品的变形，保持其精度。
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公开(公告)号：CN105861981B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201610272296.1
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 一种铌或铌合金表面低温制备钨功能涂层的方法，包括以下步骤：S1，将基体表面抛光处理，所述基体包括铌、铌合金或其组合；S2，将抛光后的基体埋入包埋渗剂中反应，其中包埋温度为200‑300℃，保温时间为1‑10h，所述包埋渗剂包括均匀分散的WCl6粉、活化剂和Al2O3粉，且所述包埋渗剂中WCl6粉的比例为25‑55wt.%；S3，保温结束后，清洗包埋后的基体并真空干燥。本发明采用包埋法，将基体放入WCl6的包埋渗剂中，基体与包埋渗剂在200℃‑300℃发生扩散反应，无需采用高温或加压的方法获得涂层，降低了对设备的要求，适合规模化生产。
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公开(公告)号：CN105931791B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610234579.7
申请日：2016-04-15
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明公开一种采用粉末冶金工艺制备Fe‑50%Co系软磁合金的方法，包括：S1，将羰基铁粉、钴粉以及Fe3P粉末混合均匀，其中：Co含量为50wt%，P含量为0.2~1.2wt%，余量为Fe；S2，将步骤S1所获得的混合物与粘结剂在135~145℃混炼获得具有流变性能的喂料，其中，所述混合物与所述粘结剂的体积比为50~60:50~40；S3，将步骤S2所获得的喂料在注射成形机上采用注射成形技术制备出预定形状的Fe‑50%Co系坯体；S4，脱除所述Fe‑50%Co系坯体中的粘结剂；S5，将步骤S4中所获得的产物在900℃‑1100℃下烧结2‑8小时。本发明还涉及一种由上述方法获得的Fe‑50%Co系软磁合金。
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公开(公告)号：CN105349936B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201510763332.X
申请日：2015-11-11
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明公开了一种金属钨表面WAl4‑AlN‑Al2O3高温绝缘涂层及其制备方法，该方法首先在氨气气氛中，利用氨解渗氮法在钨表面制备氮化钨层；然后在惰性气体或氢气的保护下，通过包埋铝化在钨表面制备一层WAl4‑AlN层；最后将WAl4‑AlN层氧化，使其在钨材料表面形成WAl4‑AlN‑Al2O3绝缘层。本发明在金属钨表面制备WAl4‑AlN‑Al2O3高温绝缘涂层材料工艺简单，生产成本低，具有良好的电绝缘性能，可作为聚变堆中钨包层材料的绝缘涂层。
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公开(公告)号：CN107986326A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711234361.2
申请日：2017-11-30
Applicant: 厦门理工学院
IPC: C01G23/053 , B01J21/06 , B82Y40/00
CPC classification number: C01G23/053 , B01J21/063 , B01J35/004 , B82Y40/00 , C01P2004/30
Abstract: 本发明提供一种钛酸蚀废液和废旧钛材的回收方法，涉及环保技术领域。将废旧钛材置于钛酸蚀废液中，加热，得到絮凝状沉淀物；然后进行分离、干燥得到干燥产物；干燥产物在400-850℃条件下热处理0.5-15h，得到纳米二氧化钛。将废旧钛材和钛酸蚀废液同时进行再利用，制备成价值更高的纳米TiO2粉体材料，工艺简单，无需消耗大量的氨水等中和剂，成本低，兼具经济效益和社会效益。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN105861981A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610272296.1
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 一种铌或铌合金表面低温制备钨功能涂层的方法，包括以下步骤：S1，将基体表面抛光处理，所述基体包括铌、铌合金或其组合；S2，将抛光后的基体埋入包埋渗剂中反应，其中包埋温度为200?300℃，保温时间为1?10h，所述包埋渗剂包括均匀分散的WCl6粉、活化剂和Al2O3粉，且所述包埋渗剂中WCl6粉的比例为25?55wt.%；S3，保温结束后，清洗包埋后的基体并真空干燥。本发明采用包埋法，将基体放入WCl6的包埋渗剂中，基体与包埋渗剂在200℃?300℃发生扩散反应，无需采用高温或加压的方法获得涂层，降低了对设备的要求，适合规模化生产。
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公开(公告)号：CN105714243A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610272362.5
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门理工学院
IPC: C23C10/36
CPC classification number: C23C10/36
Abstract: 一种低温下制备钽表面钨功能涂层的方法，包括以下步骤：S1，将基体表面抛光处理，所述基体包括钽、钽合金或其组合；S2，将抛光后的基体埋入包埋渗剂中反应，其中包埋温度为240?280℃，保温时间为1?8h，所述包埋渗剂包括均匀分散的WCl6粉、活化剂和Al2O3粉，且所述包埋渗剂中WCl6粉的比例为30?50wt.%；S3，保温结束后，清洗包埋后的基体并真空干燥。本发明采用包埋法，基体与包埋渗剂在240?280℃发生扩散反应，从而制得钨功能涂层。基体与钨功能涂层结合好，具有功能涂层均匀致密的优点，且无需采用高温或加压的方法获得涂层，降低了对设备的要求，适合规模化生产。
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公开(公告)号：CN105349936A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510763332.X
申请日：2015-11-11
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明公开了一种金属钨表面WAl4-AlN-Al2O3高温绝缘涂层及其制备方法，该方法首先在氨气气氛中，利用氨解渗氮法在钨表面制备氮化钨层；然后在惰性气体或氢气的保护下，通过包埋铝化在钨表面制备一层WAl4-AlN层；最后将WAl4-AlN层氧化，使其在钨材料表面形成WAl4-AlN-Al2O3绝缘层。本发明在金属钨表面制备WAl4-AlN-Al2O3高温绝缘涂层材料工艺简单，生产成本低，具有良好的电绝缘性能，可作为聚变堆中钨包层材料的绝缘涂层。
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公开(公告)号：CN104962857A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510441949.X
申请日：2015-07-24
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明公开了一种可在大气中使用的涂层钼发热体及其制备方法，选择掺钾钼作为发热体基体材料，并按尺寸和形状要求进行加工，随后对发热体基体进行表面抛光、预处理，最后对发热体基体表面进行元素扩散反应制备出涂层钼发热体，其制备工艺流程为：掺钾/镧钼基体→基体加工→抛光、预处理→高温扩散反应→涂层钼发热体。该制备的涂层钼发热体，解决了钼发热体不能在有氧环境使用的问题，且制备工艺简单，成本低，易于工业化生产。
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