公开(公告)号：CN110922191B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201911327806.0

申请日：2019-12-20

Applicant: 厦门大学

Inventor： 姚荣迁 ,  郑艺浓 ,  黄雯燕 ,  林舒宇 ,  韩宇宸 ,  庄堃 ,  李凌杰 ,  朱烨琦 ,  郭鹏焕

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法，涉及陶瓷材料制备。将PCS粉末、VTES与卡斯特催化剂溶解于二甲苯中得二甲苯溶液，将GO粉末分散于水中得水溶液；将二甲苯溶液和水溶液混合，水浴加热并用磁力搅拌器搅拌，反应后静置，取上层液体旋蒸后研磨，得先驱体PVG粉末，模压成型后得SiC(rGO)素坯，将素坯置于气氛管式炉内氩气气氛下高温烧结，随炉冷却后即得黑色3D‑SiC(rGO)陶瓷，然后浸没于分子量较小的液态聚碳硅烷先驱体中，浸渍后取出晾干，于氩气气氛中高温裂解，重复多次后即得浸渍3D‑SiC(rGO)陶瓷，在不同温度下于空气中高温氧化，即得愈合3D‑SiC(rGO)陶瓷。

公开(公告)号：CN111454061A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010266375.8

申请日：2020-04-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 姚荣迁 ,  黄雯燕 ,  郑艺浓 ,  廖亮 ,  蓝思琦 ,  罗涛 ,  郭鹏焕 ,  朱烨琦 ,  李万翔

IPC: C04B35/565 ,  C08G77/60

Abstract: 一种聚碳硅烷不熔化预处理及其裂解转化三维陶瓷方法，涉及陶瓷材料制备。先合成三维碳化硅聚合物先驱体，在惰性气氛保护下高温裂解制备SiC(Al,rGO)p陶瓷颗粒，与先驱体粉末球磨混匀后烘干，压片成型后再次高温烧结得到3D-SiC(Al,rGO)陶瓷，最后对陶瓷的表面形貌修饰。所述三维陶瓷材料含有Si、C、O、Al四种元素，Al以原子状态均匀分布于SiOxCy无定形相中，β-SiC纳米晶镶嵌于复合rGO的SiOxCy/Cfree无定形相中，存在SiO2微晶。扩展先驱体的交联度与分子量以形成三维网络结构，减少裂解时小分子气体的蒸发，提高陶瓷断裂韧性与耐高温稳定性，满足高温等恶劣环境应用领域。

公开(公告)号：CN108129151A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201711494377.7

申请日：2017-12-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 姚荣迁 ,  周瑞 ,  郑艺浓 ,  廖亮 ,  钟磊 ,  陈增 ,  黄雯燕

IPC: C04B35/571 ,  C04B35/622

Abstract: 一种石墨烯/碳化硅纳米复合结构单片陶瓷及其制备方法，涉及陶瓷材料制备。1)先驱体PCS(GOx)的合成；2)石墨烯/碳化硅纳米复合结构单片陶瓷SiC(rGOx)的制备。以GO、VTES、PCS为原料，通过化学改性的方法制备先驱体PCS(GOx)粉末，经模压成型、高温热解步骤，即得致密的石墨烯/碳化硅纳米复合结构单片陶瓷SiC(rGOx)。其中VTES因具有–Si–O–键和–CH＝CH2基团，可将GO和PCS复合生成新的GO–VTES–PCS大分子结构。GO复合到碳化硅陶瓷中可显著扩大先驱体交联面积、抑制SiC纳米晶体形成、降低烧结温度，解决先驱体法制备碳化硅单片陶瓷成型困难、致密性差问题。