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公开(公告)号：CN118352442A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410558069.X
申请日：2024-05-08
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种LED封装方法及其封装结构，在采用点胶工艺制备LED塑料支架封装灯珠的过程中，通过调整点胶与加热固化工艺参数实现大体积光学透镜，同时采用特殊结构夹具和分段加热固化工艺实现特定形状一次光学透镜，同时保证了LED封装模块成品的高光提取效率。本发明技术方案具有工艺简单、灵活稳定和成本低的优点。
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公开(公告)号：CN109360880B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201811234462.4
申请日：2018-10-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料，自下而上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、第一腐蚀阻挡层、第二腐蚀阻挡层、第一N型粗化层、第二N型粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱发光区、P侧空间层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层。本发明还公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料的制备方法。通过本发明可直接在第一N型粗化层上制备N电极，消除了欧姆接触层的光吸收问题，还可提高N电极的粘附性，简化N面出光AlGaInP LED薄膜芯片制备工艺，有效提高芯片指标并降低成本。
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公开(公告)号：CN112863317A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110102956.2
申请日：2021-01-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: G09B25/00 , F21V5/04 , F21S10/02 , F21V23/00 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开了一种LED光源可调的光学实验箱，包括箱体、LED光源和控制装置，所述LED光源包含若干颗LED灯珠、第二热界面层、第二基板和二次光学透镜，LED灯珠包含若干颗不同颜色的LED芯片、第一基板、第一热界面层和一次光学透镜；通过若干颗LED芯片直接合成所需光配方，通过二次光学透镜，实现目标平面光分布均匀性的调控，通过控制装置能够对用户输入指令进行处理并输出不同LED芯片所需的驱动电流，实现LED光源的光谱和光能量密度的调控，实现多种光环境，便于进行各类光生物实验中最优光源的筛选。
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公开(公告)号：CN106783821B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201611214568.9
申请日：2016-12-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种无荧光粉的全光谱LED封装结构及其封装方法。该LED封装结构不使用荧光粉，通过多基色LED芯片直接合成白光。LED芯片包含AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构黄光LED芯片、高光效垂直结构绿光LED芯片、高光效垂直结构青光LED芯片和高光效垂直结构蓝光LED芯片，AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构红光LED芯片和高光效垂直结构橙光LED芯片。该全光谱LED封装方法，采用多基色LED芯片直接合成白光，全光谱出光具有更理想的光色品质，避免了荧光粉的使用，简化封装工艺，同时提高封装模块的可靠性，同时解决传统封装方法出光蓝光过多、青光缺失和红光不足的缺陷。
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公开(公告)号：CN109360880A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811234462.4
申请日：2018-10-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料，自下而上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、第一腐蚀阻挡层、第二腐蚀阻挡层、第一N型粗化层、第二N型粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱发光区、P侧空间层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层。本发明还公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料的制备方法。通过本发明可直接在第一N型粗化层上制备N电极，消除了欧姆接触层的光吸收问题，还可提高N电极的粘附性，简化N面出光AlGaInP LED薄膜芯片制备工艺，有效提高芯片指标并降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108933187A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810947645.4
申请日：2018-08-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光面为特定平面几何图形的LED芯片，所述LED芯片包括基板层，基板层从下至上依次包括接触层、基板反面保护层、支撑基板、基板正面保护层、键合层；基板层的上面从下至上依次设有粘结保护层、反射金属接触层，在反射金属接触层的上面设有图形化外延层；图形化外延层从下至上依次包括：互补结构层、p型层、发光层、n型层；在图形化外延层上面设有第一钝化层、N电极和第二钝化层；所述的图形化外延层形状为特定平面几何图形。本发明还提出了一种发光面为特定平面几何图形的LED芯片制备方法。本发明能够节省LED封装制造端的设计制造环节和批量生产的成本，而又不增加LED芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN119468113A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411503887.6
申请日：2024-10-25
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: F21V7/04 , F21V7/05 , F21V5/04 , F21Y115/10
Abstract: 本申请实施例提供一种多基色LED的反射式灯具，所述反射式灯具包括：多基色LED光源；出光面盖板，位于所述反射式灯具底部；外壳，与所述出光面盖板形成容纳空间；支架，沿所述外壳纵向设置于所述容纳空间中，依次包括上端部、竖直部以及下端部，其中，所述上端部与所述外壳的中部连接，所述竖直部用于安装所述多基色LED光源，所述下端部至少包括第一反射结构；反光条，沿所述支架两侧对称设置于所述容纳空间中且所述反光条与所述支架之间具有空隙，所述反射条至少包括第二和第三反射结构；以及端盖，与所述外壳的开口端连接，至少用于封闭所述容纳空间。本申请实施例的反射式灯具具有高光效和高出光品质。
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公开(公告)号：CN108447854B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201810299136.5
申请日：2018-03-30
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/58
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的封装模块及其制备方法，LED芯片的封装模块包括四颗LED芯片、基板、固晶层、引线和一次光学透镜；四颗LED芯片通过固晶层分别键合在基板上，四颗LED芯片的发光面均为1/4圆扇形，四颗LED芯片呈圆周分布键合到基板上，四颗LED芯片发光面组成圆形；一次光学透镜将四颗LED芯片、基板、固晶层、引线密封在基板上。二次光学系统直接安装在一次光学透镜上，四颗1/4圆扇形发光面的LED芯片组合得到圆形发光面，与二次光学系统完全匹配。本发明具有能实现LED芯片发光与光学系统的最大化耦合、提高光源模块的出光效率、制备方法简单、易实现、结构简单、成本低廉的优点，解决了LED芯片封装模块与同轴光学系统之间的光耦合效率问题。
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公开(公告)号：CN109273573B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201811235636.9
申请日：2018-10-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED芯片及其制备方法，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极。本发明还公开了该LED芯片的反射电极及其制备方法，反射电极由第一电极和第二电极共同构成，第一电极依次包括第一电极接触层、低折射率介质层和高光反射金属层，低折射率介质层和高光反射金属层之间具有二者复合的特定排列的导电小孔，第一电极还包括可减少第二电极对其正下方区域发光遮挡的区域。本发明有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN115119355B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211037021.1
申请日：2022-08-29
Applicant: 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌大学
IPC: H05B45/00 , F21K9/90 , H04B10/116 , H04B10/50
Abstract: 本发明公开了一种兼顾定位和照明的高速LED器件及其制备方法，所述LED器件包括LED电路、RLC旁路和封装基板，所述LED电路中包括若干LED芯片，所述LED芯片的波长不少于两种，所述LED电路包括至少两个单独控制的LED子电路，同一所述LED子电路上的LED芯片波长相同，至少有一个所述LED子电路并联连接RLC旁路，所述RLC旁路包括相互串联的电阻R、电感L和电容C，三者与LED子电路分别固定在所述封装基板上，形成电学连接。本发明通过在LED两端并联RLC旁路，提升LED调制带宽，用不同波长LED发射信号实现精准定位，调节不同波长LED光功率，提高照明效果。
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