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公开(公告)号：CN102051603B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201010518539.8
申请日：2010-10-26
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种等离子体辅助硒硫化处理装置，设置于真空室内，包括壳体、阴极板和阳极板，阴极板和阳极板交替叠放形成等离子体发生器，阴极板设有固定半导体薄膜基板的沟槽，阳极板表面均布小孔并设有输气管、独立内加热电极和阳极测温点基于该处理装置的工艺为：1)在半导体薄膜材料上按化学式配比预制金属层，然后放入阴极板的沟槽中；2)将其置于真空室内抽真空，打开电源加热阴极板和阳极板，启动等离子体发生器电源，并通入硒或硫、氢、氩混合气体。本发明的优点：硒原子的反应活性高，金属预制层的硒化反应完全，光电转换效率高；基片的加热温度低，不易变形；采用电子方式监控两电极间容抗的变化，了解转化的进展，减少工业化生产的废品率。
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公开(公告)号：CN1257560C
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200310107202.8
申请日：2003-12-05
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , H01L21/36 , C23C14/34 , C23C14/06
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，是在铜铟镓硒或/和硫光学吸收层薄膜的制备工艺中，先用真空磁控溅射、加热蒸发或化学水浴电沉积法在钠钙玻璃Mo衬底上分步沉积化学式配比量的Cu、In、Ga金属预制层，再在热处理真空室内进行光硒化或/和硫化反应，其特征在于：对沉积有铜铟镓金属预制层的电池基板双面同时加热，电池基板的背部一面用接触式热源加热，镀覆金属预制层的基板-面用光辐照加热，在其快速、均匀地升温到400～560℃区间时，对硒源或硫源进行接触式热源和光辐照的协同加热，促使铜铟镓金属预制层转变成化合物半导体光电薄膜材料。本发明方法克服了600℃高温硒化或硫化造成的玻璃软化，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN109622016A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811591751.X
申请日：2018-12-25
Applicant: 南开大学
CPC classification number: B01J27/24 , B01J35/1004 , C07C17/08 , C07C21/06
Abstract: 本发明提出一种用于固定床乙炔氢氯化反应的氮掺杂碳材料的制备方法及其使用方法，属于材料合成技术。该方法可采用工业上已商品化的三聚氰胺甲醛树脂及酚醛树脂为前躯体，通过固化以及在惰性气氛下程序升温焙烧得到氮掺杂碳催化剂。将该催化剂应用于固定床乙炔氢氯化制备氯乙烯的反应中，具有一定的催化活性和选择性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101805915A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010150362.0
申请日：2010-04-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种电镀金属Ga和Ga合金的溶液体系，由金属盐、导电盐、络合剂、有机酸、有机添加剂和溶剂水组成，各组份在溶液体系中的含量为：金属盐(0.05～0.5)mol/L、导电盐(1.0～4.0)mol/L、络合剂(0.1～0.8)mol/L、有机酸(0.5～3.0)mol/L、有机添加剂(4～20)g/L；该溶液体系用饱和浓度的碱性溶液调节pH值为1～6的范围内。本发明的优点是：该溶液体系具有良好的覆盖能力和分散能力、使用寿命长，制备的Ga薄膜光亮、均匀、无缺陷，金属薄膜的厚度和成份可通过控制沉积条件任意改变；且制备方法简单实用、设备投资小、成本低，适合于大规模产业化应用。
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公开(公告)号：CN103456802B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310394901.9
申请日：2013-09-04
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极，用薄层Ag作为应力缓冲层并与Mo薄膜构成复合结构，由聚酰亚胺衬底、薄Mo薄膜层、Ag薄膜层和厚Mo薄膜层依次叠加构成，薄Mo薄膜层为高阻Mo层，Ag薄膜层为应力缓冲层，厚Mo薄膜层为阻挡层，阻挡层为双层Mo薄膜；该背电极用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极。本发明的优点是：采用简单、低廉的磁控溅射技术，制备薄Ag薄膜作为应力缓冲层来平衡聚酰亚胺衬底与Mo之间热膨胀系数不匹配所带来的应力，这种复合结构的背电极电阻率比较低，其反射率比较高，对于超薄CIGS电池效率的提升具有重要作用。
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公开(公告)号：CN1285129C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200310107262.X
申请日：2003-12-09
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层薄膜的制备方法，在铜铟镓硒光学吸收层薄膜的表面上镀覆金属锌薄膜，然后将镀覆有金属锌薄膜的电池基板表面用光辐照加热，其衬底背面用接触式热源或光辐照方式加热，固态硒源或/和硫源用接触式热源和光辐照协同方式来加热，硒源或/和硫源的温度控制在160～280℃，硒或硫蒸气与锌薄膜之间用光辐射来催化它们的合成反应，锌薄膜的硒化或/和硫化处理温度控制在180～420℃，用时2～10分钟将锌薄膜转化成n-型ZnSe或ZnS半导体薄膜材料，制成无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池中的缓冲层薄膜。本发明方法可在铜铟镓金属预制层后硒化方法制备CIGS薄膜电池的生产线内进行连续化的生产操作。
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公开(公告)号：CN1547262A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310107262.X
申请日：2003-12-09
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层薄膜的制备方法，在铜铟镓硒光学吸收层薄膜的表面上镀覆金属锌薄膜，然后将镀覆有金属锌薄膜的电池基板表面用光辐照加热，其衬底背面用接触式热源或光辐照方式加热，固态硒源或/和硫源用接触式热源和光辐照协同方式来加热，硒源或/和硫源的温度控制在160～280℃，硒或硫蒸气与锌薄膜之间用光辐射来催化它们的合成反应，锌薄膜的硒化或/和硫化处理温度控制在180～420℃，用时2～10分钟将锌薄膜转化成n－型ZnSe或ZnS半导体薄膜材料，制成无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池中的缓冲层薄膜。本发明方法可在铜铟镓金属预制层后硒化方法制备CIGS薄膜电池的生产线内进行连续化的生产操作。
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公开(公告)号：CN1547239A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310107202.8
申请日：2003-12-05
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，是在铜铟镓硒或/和硫光学吸收层薄膜的制备工艺中，先用真空磁控溅射、加热蒸发或化学水浴电沉积法在钠钙玻璃Mo衬底上分步沉积化学式配比量的Cu、In、Ga金属预制层，再在热处理真空室内进行光硒化或/和硫化反应，其特征在于：对沉积有铜铟镓金属预制层的电池基板双面同时加热,电池基板的背部一面用接触式热源加热,镀覆金属预制层的基板一面用光辐照加热，在其快速、均匀地升温到400～560℃区间时，对硒源或硫源进行接触式热源和光辐照的协同加热，促使铜铟镓金属预制层转变成化合物半导体光电薄膜材料。本发明方法克服了600℃高温硒化或硫化造成的玻璃软化，适合于工业化生产。
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