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公开(公告)号：CN101819063B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200910264252.4
申请日：2009-12-29
Abstract: 相位调制凹槽阵列微型光谱仪，包括一个构建在基底(3)中的微型干涉仪二维阵列，每个微型干涉仪设有第一凹槽(1)，在不同的微型干涉仪中的第一凹槽(1)在基底(3)里的深度不同，在基底(3)的下表面设有CCD(4)，在基底(3)和CCD(4)中间有一层遮挡物(5)；遮挡物(5)把大部分CCD面元遮住，但在每一个微型干涉仪下方的遮挡物(5)上留有透光孔，透光孔的孔径小于CCD(4)所能探测到的入射光波的最小波长，透光孔位于第一凹槽下方的任意位置；在微型干涉仪二维阵列的上方有两个共焦的透镜(6)，在两个共焦的透镜(6)之间的焦点处的遮光板中有一个小孔(7)。解决了体积较大、对振动敏感、制作成本较高、分辨率较低、波长测量范围较窄等技术问题。
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公开(公告)号：CN102087211A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010578293.3
申请日：2010-12-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/31
Abstract: 生物薄膜的太赫兹光谱分析装置及分析方法涉及到一种对生物薄膜进行太赫兹波段光谱分析的装置，和利用太赫兹表面等离子体波对生物薄膜进行太赫兹波段光谱检测的一种方法。生物薄膜太赫兹光谱分析装置包括半导体晶片(3)、两个平行放置的刀片(2)、太赫兹波源(11)以及太赫兹时域光谱仪(6)；两个刀片垂直于半导体晶片(3)，两个刀片(2)的刀口离半导体晶片(3)上表面的距离小于最大频率的太赫兹表面等离子体波(4)在空气中的衰减距离，两个刀片(2)之间的距离小于最大频率的太赫兹表面等离子体波在半导体表面传播距离；该分析方法利用太赫兹表面等离子体波在半导体表面的很小空间内有很强电场强度的性质提高光谱分析装置的灵敏度和信噪比。
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公开(公告)号：CN109639362A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811422464.6
申请日：2018-11-27
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H04B10/54 , H04B7/0456 , H04B7/0697 , H04B10/615 , H04B10/67 , H04B10/691
Abstract: 本发明公开了一种基于散射效应的多输入多输出光通信系统，包括发射端和接收端，发射端包括光强调制器和光信号发送阵列，接收端包括第一准直器件、散射器件、第二准直器件、探测器，以及信号处理单元。其中，第一准直器件使光信号发送阵列内各信号发送区域光源所发出的其中一束光以固定角度入射到散射器件表面的不同部位。本发明通过将光信号发送阵列分成许多个不同信号发送区域，各区域内光源所发射的信号光在经过散射器件之后分别投射在探测器不同信号接收区域内的像素元，从而利用多个光源发出的调制光进行多路信号的并行传输。最终，通过将像素元所测数据代入到多个矩阵方程复原原始信号。该技术可在实现照明功能的同时实现大容量信号的传输。
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公开(公告)号：CN103728021B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310703202.8
申请日：2013-12-19
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01J3/447
Abstract: 本发明公开了一种基于电光效应的光谱测量装置，包括沿入射光方向依次设置的第一偏振片、电光效应晶体、第二偏振片、光探测器；其中，第一偏振片的偏振方向与所述电光效应晶体在外加电场下的感应主轴方向不平行。本发明还公开了使用上述装置的光谱测量方法：首先测量对电光效应晶体施加不同外加电压下光探测器所检测到的光功率，并以得到的光功率数据作为增广矩阵，结合光谱测量装置在不同外加电压下对不同频率入射光的探测率所组成的系数矩阵，建立线性方程组；对该线性方程组求解，得到待测入射光中各频率分量的光功率，然后对其进行线性拟合、辐射定标，得到待测入射光的光谱。本发明具有抗振动能力强、分辨率高、光谱测量范围宽等优点。
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公开(公告)号：CN104570406A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510062156.7
申请日：2015-02-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02B26/00 , G02F1/01 , G02F2203/13
Abstract: 本发明公开了一种基于人工表面等离子体的太赫兹波调制方法，属于电磁波调制技术领域。本发明以构建在金属表面的两个一维金属光栅作为人工表面等离子体波的两个传输通道，一个一维金属光栅的等效表面等离子体频率大于所要调制的太赫兹波的最大频率，另一个一维金属光栅的等效表面等离子体频率小于所要调制的太赫兹波的最小频率；所述太赫兹波在两个传输通道中分别处于导通和关断状态，通过这两个传输通道的切换实现对太赫兹波的开关调制。本发明还公开了一种基于人工表面等离子体的太赫兹波调制器件及调制装置。本发明可在正常温度下实现太赫兹波调制，且调制器件调谐频带宽、硬件材料选择范围广，调制过程操作简单、灵活并具有亚波长约束的优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102739165B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210216220.9
申请日：2012-06-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03C7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子体波传输距离的电磁波调制方法。在半导体平板表面上方设置两个相互平行的金属刀片：第一刀片和第二刀片，两个金属刀片的刃口均垂直指向半导体平板表面，且两个金属刀片刃口与半导体板表面的距离相等；从第一刀片的外侧向该刀片的刃口与半导体平板的间隙处发射频率小于半导体等离子体频率的电磁波，在半导体平板表面激发表面等离子体波，该表面等离子体波由第一刀片的刃口下方沿着半导体平板表面向第二刀片的刃口下方传输；在恒定温度下，通过调整两个金属刀片间的距离，使得从第二刀片刃口处耦合出的电磁波的强度发生变化。本发明方法能量消耗小，调谐频带宽，硬件成本低，操作简单、灵活，可实现归零和非归零调制功能。
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公开(公告)号：CN104142178A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410357523.1
申请日：2014-07-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01J3/28
Abstract: 本发明公开了一种基于滤波膜阵列的光谱测量装置，包括沿入射光传播方向依次设置的光学准直装置、滤波膜阵列、探测阵列芯片；所述滤波膜阵列包括一组平行且在入射光方向上互不重叠的滤波膜，各滤波膜在所述探测阵列芯片的测量波段范围内的透射谱线互不相同；所述滤波膜阵列中的每一片滤波膜均有至少一个所述探测阵列芯片的像素元与其正对。本发明还公开了使用上述光谱测量装置的光谱测量方法。相比现有技术，本发明易于制作，成本低廉，利于实现批量生产。
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公开(公告)号：CN103759831A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410001178.8
申请日：2014-01-03
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01J3/45
Abstract: 本发明公开了一种基于弹光效应的光谱测量装置，属于光学测量技术领域。该装置包括沿入射光依次设置的第一偏振片、光弹性材料、第二偏振片、光探测器，以及可对所述光弹性材料施加一系列不同压力的施压装置，第一偏振片的偏振方向与所述光弹性材料的光轴方向既不平行也不垂直。本发明还公开了一种基于弹光效应的光谱测量方法，利用弹光效应改变在介质中所传播入射光的折射率，使得光弹性材料在相同的外力下，不同波长的光通过光弹性材料后两束双折射光之间的相位差不同，结合偏振片从而达到改变出射光强的目的；通过测量不同外力下的光强度，并求解线性方程组获得待测入射光的频谱。本发明具有成本较低、分辨率高、光谱测量范围宽等优点。
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公开(公告)号：CN103728019A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310706216.5
申请日：2013-12-19
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01J3/433
Abstract: 本发明公开了一种基于声光调制的光谱测量装置，属于光学测量技术领域。本发明的光谱测量装置包括沿入射光方向依次设置的声光调制器、光探测器。本发明还公开了一种基于声光调制的光谱测量方法，首先测量不同声场强度下光探测器所检测到的光功率，并以得到的光功率数据作为增广矩阵，结合所述光探测器在不同声场强度下对不同频率入射光的探测率所组成的系数矩阵，建立线性方程组；对该线性方程组求解，得到待测入射光中各频率分量的光功率，然后对其进行线性拟合，并经光谱辐射定标，得到待测入射光的光谱。相比现有技术，本发明具有抗振动能力强、分辨率高、光谱测量范围宽等显著优点。
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公开(公告)号：CN102176521B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201010578297.1
申请日：2010-12-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P1/15
Abstract: 太赫兹表面等离子体波温度控制开关及控制方法涉及到一种太赫兹表面等离子体波温度控制装置，和利用本征半导体等离子体频率随温度变化的特性调制太赫兹表面等离子体波的一种方法。该开关包括一个等离子体频率在常温下处于太赫兹波段的本征半导体晶片(2)、两个平行放置的刀片(3)、以及一个温度控制器(5)，两个刀片(3)垂直于本征半导体晶片(2)，两个刀片(3)的刀口离本征半导体晶片(2)上表面的距离小于最大频率的太赫兹表面等离子体波(4)在空气中的衰减距离，采用刀片(3)将太赫兹波转化为太赫兹表面等离子体波，以及过程相反的转化，通过温度控制器(5)控制本征半导体晶片(2)温度，从而改变该本征半导体的载流子浓度。
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