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公开(公告)号：CN114713041B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210393002.6
申请日：2022-04-14
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种原位制备Si‑CHA分子筛膜的方法，多孔载体经有机结构导向剂预处理，将多孔载体直接放入无氟合成溶胶中，采用原位生长法在多孔载体上生长一层连续致密的Si‑CHA分子筛膜。本发明采用的溶胶态无氟原位合成法大幅提升了膜制备的重复性和过程的环境友好性。原位合成法比晶种法省去了晶种制备和涂敷步骤，提高了合成效率和可重复性。该膜对CO2/CH4和CO2/N2混合气体具有很好的分离性能，可用于天然气纯化和烟道气碳捕集。
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公开(公告)号：CN114890452A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210546112.1
申请日：2022-05-19
Applicant: 南京工业大学
IPC: C01G3/00
Abstract: 本发明属于材料技术领域，公开了一种X射线闪烁体的制备方法，该方法将材料利用机械法制备成金属卤化物粉末，然后将制得的金属卤化物粉末与载体混合，使用涂布机制备X射线闪烁体；金属卤化物粉末与载体的混合比例为金属卤化物粉末占薄膜总质量的25％‑95％。本发明实现的X射线闪烁体采用低温工艺制备，操作简单、可控性强、可重复性好，可具有很好的柔韧性，可根据测试需求任意变换形状，并且利于制备大面积X射线闪烁体，检测限低、灵敏度高、成像分辨率高，可实现大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN109980095B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201711439127.3
申请日：2017-12-27
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种有效提升钙钛矿光电器件效率的钙钛矿膜层及器件和制备方法，所述钙钛矿膜层是由一层非连续、不规则分布的钙钛矿晶粒和嵌入在钙钛矿晶粒之间的低折射率有机绝缘层组成，其中，钙钛矿晶粒形成多个凸部，有机绝缘层形成在凸部之间的多个凹部。通过在钙钛矿前驱体溶液中添加过量的烷基铵盐和/或带有特定官能团的有机分子，在薄膜制备过程中自发形成钙钛矿晶粒和嵌入在钙钛矿晶粒之间有机绝缘层的凹凸结构，并且其可使上层电荷传输层和电极自发形成具有高低起伏的褶皱结构。这种通过简单溶液法形成的特殊钙钛矿薄膜结构可有效提高光收集效率，最终提升钙钛矿发光器件性能。
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公开(公告)号：CN108417720B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201810186682.8
申请日：2016-01-26
Applicant: 南京工业大学
IPC: H01L51/46 , H01L51/54 , H01L51/42 , H01L51/48 , H01L51/00 , H01L51/50 , H01L51/56 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种具有自组装多量子阱结构的钙钛矿材料，通过调整材料组分，可实现多量子阱宽度的可控调节及多量子阱之间有效的能量转移，发光颜色可以是近紫外、可见光和近红外光，并且可有效解决现有钙钛矿材料薄膜不连续和稳定性差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108305948B
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201710019208.1
申请日：2017-01-11
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜后处理的钙钛矿材料多量子阱结构调控方法及其应用和器件，通过薄膜后处理工艺来调节钙钛矿材料多量子阱结构；选用的材料为可自组装形成多量子阱结构的钙钛矿材料，该材料由AX1、BX2和MX32按摩尔比a:b:c制备得到，其中A为R1‑Y+，R1‑为具有1～50个碳原子的脂族烃基、具有5～100个碳原子的脂环族烃基、具有6～100个碳原子的任取代的芳基或具有3～100个碳原子的任取代的杂环基，Y+为胺、含N杂环有机阳离子中的任意一种；B为甲胺、甲脒或金属离子；M为金属元素；X1X2X3为卤族元素；薄膜后处理条件为：加热退火、溶剂退火、真空干燥三者之一或其组合；通过多量子阱结构的调控可实现器件效率的优化。
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公开(公告)号：CN110534655A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201810509341.X
申请日：2018-05-24
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿量子点薄膜及其制备方法和器件，钙钛矿量子点薄膜的制备方法包括以下步骤：将AX、BX2和短链有机配体溶于溶剂中获得钙钛矿ABX3前驱体溶液，其中A为金属阳离子或烷基铵离子、B为二价金属阳离子、X为卤素阴离子；在旋涂过程中结合反溶剂法原位生长钙钛矿量子点薄膜，并进行加热退火。本发明的优点是在旋涂制备薄膜过程中原位生长钙钛矿量子点，薄膜成膜性好、荧光量子效率高、制备工艺简单、发光波长可调，并且可采用短链有机配体，使量子点薄膜的导电性提升，有利于制备出更高效、稳定的钙钛矿发光二极管。
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公开(公告)号：CN109980095A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711439127.3
申请日：2017-12-27
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种有效提升钙钛矿光电器件效率的钙钛矿膜层及器件和制备方法，所述钙钛矿膜层是由一层非连续、不规则分布的钙钛矿晶粒和嵌入在钙钛矿晶粒之间的低折射率有机绝缘层组成，其中，钙钛矿晶粒形成多个凸部，有机绝缘层形成在凸部之间的多个凹部。通过在钙钛矿前驱体溶液中添加过量的烷基铵盐和/或带有特定官能团的有机分子，在薄膜制备过程中自发形成钙钛矿晶粒和嵌入在钙钛矿晶粒之间有机绝缘层的凹凸结构，并且其可使上层电荷传输层和电极自发形成具有高低起伏的褶皱结构。这种通过简单溶液法形成的特殊钙钛矿薄膜结构可有效提高光收集效率，最终提升钙钛矿发光器件性能。
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公开(公告)号：CN104681731B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201510068283.8
申请日：2015-02-09
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿型电致发光器件，包括衬底、阴极层、电子传输‑空穴阻挡层、发光层、空穴传输‑电子阻挡层和阳极层，其中所述发光层为具有钙钛矿结构的材料，该器件结构可以有效促进载流子注入和传输，限制载流子/激子充分复合发光，并且通过改变发光材料的组分，可实现从近紫外、可见光到近红外波段的发光颜色可调。本发明提供的发光器件效率高、开启电压低、色饱和好、光谱随电压变化稳定，同时工艺简单、成本低廉，适合广泛应用于显示与照明领域的产品中，尤其适用于大面积、低成本、柔性衬底、高性能发光器件的工业化生产。
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公开(公告)号：CN119816157A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202410144584.3
申请日：2024-02-01
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于红光钙钛矿的全彩Micro‑LED芯片阵列及其制备方法，该阵列包括若干个Micro‑LED芯片，每个所述的芯片包括衬底和在衬底上设置的蓝、绿光Micro‑LED，距离蓝、绿光Micro‑LED 0.1～100μm处设置有红光钙钛矿Micro‑LED。该钙钛矿红光Micro‑LED可以直接制备在蓝、绿光Micro‑LED阵列上，无需转移集成，本发明得到的全彩Micro‑LED芯片阵列具有制备成本更低、色纯度更高、无明显侧壁效应、效率更高的优势。
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