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公开(公告)号：CN103761989A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410003915.8
申请日：2014-01-03
Applicant: 南京大学
IPC: G11C16/06
Abstract: 利用单电荷技术测量SONOS存储器中局域电荷分布的方法，选取未注入过电荷的SONOS存储器，改变源漏电压VDS的大小，测量不同VDS下的阈值电压VTH，得到VTH随VDS变化的分布；通过低压电荷注入过程将单电荷注入到SONOS存储器的氮化物存储层中；注入单电荷的SONOS存储器，得到VTH在VDS>0时随VDS的分布；利用DIBL效应得到由于单电荷注入导致的阈值电压变化ΔVTH与沟道位置X的高斯分布函数；统计出不同沟道位置X处高斯分布的强度A和半峰宽W；测量待测SONOS存储器由于存储电荷引起的阈值电压变化；利用单电子信息，转化为采样点Xi处单电子注入引起的阈值电压变化的函数之和。最终得到存储层中电荷沿沟道方向分布。
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