公开(公告)号：CN118538776A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202310199037.0

申请日：2023-02-23

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 张嘉炜 ,  林晓昱 ,  宋爱民 ,  罗时江 ,  赵俊峰 ,  申小龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H10B12/00 ,  G11C16/04

Abstract: 本申请提供一种薄膜晶体管器件、存储芯片及电子设备。薄膜晶体管器件包括：衬底；位于衬底之上的沟道结构，沟道结构用于连接源极和漏极，沟道结构包括：层叠设置的第一沟道和第二沟道，第一沟道包括第一氧化物半导体材料，第二沟道包括第二氧化物半导体材料，第二氧化物半导体材料的迁移率大于第一氧化物半导体材料的迁移率；源极和漏极分别位于第二沟道的两侧，且源极和漏极包括第二氧化物半导体材料。在本申请实施例中，由于第二沟道的迁移率较高，可以提高沟道结构的迁移率，且源极和漏极本身是氧化物材料不容易被氧化，可以降低源极、漏极与沟道结构之间的接触电阻。从而提升薄膜晶体管器件的性能。

公开(公告)号：CN116685147A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202210166177.3

申请日：2022-02-21

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 王欣然 ,  罗时江 ,  于志浩 ,  宁宏凯 ,  谢雨农 ,  唐文涛 ,  赵俊峰

IPC: H10B51/30 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请公开了一种存储器和一种存储器制备方法，能够提高存储器的保持特性和耐久性，增大读取窗口，提高存储阵列中多个采用二维材料情况下的该多个存储器的器件一致性。存储器包括：二维材料层、第一导体层；铁电层，位于二维材料层与第一导体层之间；电介质层，位于二维材料层与铁电层之间；源极和漏极，分别与二维材料层的两端电连接。

公开(公告)号：CN116096213A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202111271197.9

申请日：2021-10-29

Applicant: 华为技术有限公司 ,  大连理工大学

Inventor： 王译 ,  李文波 ,  冯莹 ,  罗时江 ,  赵俊峰 ,  闫鑫

IPC: H10N50/20 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00

Abstract: 本申请实施例提供了一种自旋波器件及存储器，该自旋波器件包括：强自旋轨道耦合材料层，第一磁性层，以及设置于所述强自旋轨道耦合材料层和所述第一磁性层之间的自旋波通道层；设置于所述强自旋轨道耦合材料层和所述自旋波通道层之间的至少一个插层；其中，所述强自旋轨道耦合材料层受电流驱动产生自旋流，所述第一磁性层受所述电流驱动发生磁矩进动或翻转。通过在器件中设置插层，提高磁矩进动或者翻转的效率，降低器件功耗，提高器件的热稳定性。

公开(公告)号：CN115050402A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202110251732.8

申请日：2021-03-08

Applicant: 华为技术有限公司 ,  华中科技大学

Inventor： 游龙 ,  张帅 ,  唐文涛 ,  陈镇江 ,  赵俊峰 ,  罗时江

IPC: G11C11/16 ,  G11C5/14

Abstract: 一种计算器件、计算芯片以及计算方法。本申请中，该计算器件的磁存储单元可以存储数据，磁存储单元包括层叠的重金属层以及磁体层。该计算器件的两个电流输入电路可以向磁存储单元中的重金属层中注入不同方向的电流。该计算器件的读电路与磁体层连接，可以读取磁存储单元的阻值，其中，磁存储单元的阻值在第一电流相同的情况下，随着多次注入的电流呈概率分布。本发明实施例提供的计算器件能够借助两个电流输入电路改变重金属层中的电流，可以使得磁体层的磁化方向以一定概率发生翻转，导致磁存储单元的阻值以一定概率发生变化，实现概率比特，且实现方式难度较小。