一种微型化全集成NDIR气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110927094A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911161561.9

    申请日:2019-11-20

    Abstract: 本发明公开了一种微型化全集成NDIR气体传感器及其制备方法,属于红外气体传感器技术领域。该传感器包括光电探测器、MEMS红外光源、上层硅片、下层衬底和信号处理ASIC芯片;所述上层硅片和下层衬底键合形成气室,气室内蒸镀有反射层,硅片键合面上分布有气体扩散槽;所述光电探测器、MEMS红外光源和信号处理ASIC芯片设于所述气室上部,在所述上层硅片上开设有分别对准所述光电探测器和MEMS红外光源的光电探测器窗口和红外光源窗口,MEMS红外光源发出的光从红外光源窗口入射至所述反射层,发生多次反射后进入光电探测器。本发明利用MEMS工艺实现了NDIR气体传感器的进一步微型化、全集成,并提高了灵敏度。

    一种半导体薄膜光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110299430A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910490246.4

    申请日:2019-06-06

    Abstract: 本发明属于半导体光电子器件领域,公开了一种半导体薄膜光电探测器及其制备方法,其中制备方法包括以下步骤:(1)配制用于生长硫属化合物光敏半导体薄膜的前体溶液,将洁净的衬底浸入前体溶液中进行一次化学浴沉积,对应得到20-500nm厚的薄膜,利用仅一次化学浴沉积或重复多次化学浴沉积生长得到厚度达到目标要求的硫属化合物光敏半导体薄膜;(2)将衬底进行整体退火敏化处理;制作电极即可得到半导体薄膜光电探测器。本发明通过对制备方法整体流程工艺设计、以及关键化学浴沉积的参数条件等进行改进,能够解决现有半导体薄膜光电探测器制备条件复杂、大规模生产成本高昂、工艺可靠性低和难以实现柔性化的问题。

    一种基于量子点的电子鼻芯片及其设计方法

    公开(公告)号:CN109781947A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201910143612.9

    申请日:2019-02-27

    Abstract: 本发明属于半导体器件与集成系统技术领域,具体公开了一种基于量子点的电子鼻芯片及其设计方法,其中设计方法包括以下步骤:(1)电子鼻芯片上气体传感器阵列的设计:(1-1)以量子点材料作为嗅觉受体材料,设计量子点气体传感器单元,设计得到在衬底上的电阻型或场效应晶体管型传感器单元;(1-2)基于量子点气体传感器单元设计采用MEMS或TFT器件结构的量子点传感器阵列;(2)设计信号处理单元与微控制单元。本发明使用量子点材料作为嗅觉受体材料,设计并制备微纳气体传感器,结合MEMS和TFT器件结构得到传感器阵列,并在芯片上集成包含模式识别算法的MCU和信号处理单元,可得到高灵敏、小体积、低功耗的量子点电子鼻芯片。

    一种QCM化学传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN108007810A

    公开(公告)日:2018-05-08

    申请号:CN201711103503.1

    申请日:2017-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种基于石英晶体微天平(QCM)的化学传感器及其制备方法,包括:石英晶体振荡片和涂覆在所述石英晶体振荡片上的敏感层,所述敏感层的材料为量子点或量子线。将胶体量子点或量子线涂覆在石英晶振表面均匀成膜,再利用适当的盐溶液进行配体处理,以去除量子点或量子线表面的长链配体。利用胶体量子点或量子线作为敏感层的QCM化学传感器与现有QCM化学传感器相比,敏感层能够在室温成膜并且结晶性好,工艺简便,能够在器件中保持纳米材料的高比表面积和活性,响应及恢复时间较快,并且响应高。

    一种基于场效应晶体管的嗅觉感知方法

    公开(公告)号:CN115236160B

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202210820832.2

    申请日:2022-07-13

    Abstract: 本发明提供了一种基于场效应晶体管的嗅觉感知方法,属于智能传感器技术领域。构建具有气敏效应的场效应晶体管,利用晶体管电可调属性,调节栅压并采集晶体管输出电流数据,通过晶体管对不同气味输出特性电流数据进行插值处理,实现对气味分子的可视化三维图像编码,结合图像识别算法实现气味识别及定量分析。本发明方法具有高灵敏度、高特异性和高可靠性,结合现有的集成电路设计方法和晶圆级制造,能提升嗅觉传感器的集成化和智能化程度。

    一种半导体薄膜光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110299430B

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN201910490246.4

    申请日:2019-06-06

    Abstract: 本发明属于半导体光电子器件领域,公开了一种半导体薄膜光电探测器及其制备方法,其中制备方法包括以下步骤:(1)配制用于生长硫属化合物光敏半导体薄膜的前体溶液,将洁净的衬底浸入前体溶液中进行一次化学浴沉积,对应得到20‑500nm厚的薄膜,利用仅一次化学浴沉积或重复多次化学浴沉积生长得到厚度达到目标要求的硫属化合物光敏半导体薄膜;(2)将衬底进行整体退火敏化处理;制作电极即可得到半导体薄膜光电探测器。本发明通过对制备方法整体流程工艺设计、以及关键化学浴沉积的参数条件等进行改进,能够解决现有半导体薄膜光电探测器制备条件复杂、大规模生产成本高昂、工艺可靠性低和难以实现柔性化的问题。

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