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公开(公告)号：CN105739131B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610147940.2
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种可寻址电调光反射率薄膜。包括阴极，阳极阵列，以及设置在阴极和阳极阵列间的介电层；阳极阵列由M×N元阵列分布的阳极单元构成，阳极单元由规则排列且相互连通的多个子电极构成，可寻址电调光反射率薄膜被划分为M×N元阵列分布的电调光反射率单元，阳极单元与电调光反射率单元一一对应，构成电调光反射率单元的阳极，所有电调光反射率单元共用阴极；通过阳极单元和阴极对电调光反射率单元执行独立加电操作，进而通过调变加载在电调光反射率单元上的电压信号，实现可寻址电调光反射率的控光操作。本发明具有偏振不敏感、驱控灵活、调光响应快以及反射光强变动范围大的特点。
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公开(公告)号：CN105929567A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610392288.0
申请日：2016-06-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0102 , G02F1/0121
Abstract: 本发明公开了一种双路电控纳线簇电极的电调光透射薄膜，其包括：由纳米尺度间隔的纳线簇高密度排布构成的图案化公共电极以及分布在其上端和下端的顶面阴极和底面金属纳膜阴极，顶面阴极和图案化公共电极均由透光的纳米厚度的同材质膜制成，底面金属纳膜阴极由纳米厚度的金属膜制成；顶面阴极和图案化公共电极以及图案化公共电极与底面金属纳膜阴极间均填充有纳米厚度的同材质光学介质材料。本发明双路电控纳线簇电极的电调光透射薄膜，可对入射光波的透射行为执行精细电控调变，具有适用于宽谱域及较强光束、偏振不敏感、调光响应快的特点。
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公开(公告)号：CN105866982A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610353247.0
申请日：2016-05-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0121
Abstract: 本发明公开了一种基于金属纳尖阵电极的电调透射光薄膜，其包括：由纳米尺度间隔的纳尖高密度排布构成的一层纳米厚度的金属纳尖阵阴极和一层纳米厚度的平面阳极，该阳极由透光的纳米厚度的金属氧化物导电膜制成，阴阳电极间填充有由纳米厚度的透明光学介质材料制成的电隔离膜；在加电态下，金属纳尖阵阴极上可自由移动的电子被电极间所激励的电场驱控，向纳尖顶聚集，纳尖底部及相邻尖端间的平坦区域上的自由电子分布密度因部分甚至绝大多数自由电子被抽走而减少甚至急剧降低，对应于有自由电子密集分布的各尖顶的光透过率将减弱。本发明可对光透过率执行电控调变，具有适用于较宽谱域及较强光束、偏振不敏感、驱控灵活以及调光响应快的特点。
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公开(公告)号：CN101805178B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010100562.5
申请日：2010-01-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , B02C17/00
Abstract: 本发明公开了一种制备钛酸钡基PTC半导体陶瓷细晶结构的方法，该方法以碳酸钡、二氧化钛、氧化钇、硝酸锰、碳酸锶或/和碳酸钙为原料，用直径为1～2mm的ZrO2小球、厚度为1μm的缝隙过滤浆料、转速为1400～2400rpm、球磨时间为1～3小时，最终获得粒径大小为20～50nm的钛酸钡基PTC粉体；然后再分散剂、粘合剂和增塑剂进行混合球磨3～5小时，然后静置5～12小时去除气泡及物理团聚，最后进行过筛处理获得流延浆料；最后对流延浆料进行流延操作，制备钛酸钡陶瓷生坯。获得的片式细晶PTC，其特征在于磁体晶粒大小在2微米以下，室温电阻率≤120Ω.cm，升阻比≥4×103，居里温度在80～120℃。
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公开(公告)号：CN100484498C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610018832.1
申请日：2006-04-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性视网膜芯片。顶层和底层聚合物薄膜之间设置有规则分布的硅岛和通孔，硅岛内含有用于模拟生理性功能的功能单元，通孔与硅岛交错分布，硅岛与顶层聚合物薄膜之间设置有引线层；底层聚合物薄膜上的空隙处与顶层聚合物薄膜紧密粘合于一起；电极为功能单元的一部分、或者位于顶层聚合物薄膜或底层聚合物薄膜上。该芯片采用MEMS工艺流程化制作，实现了微功能单元和柔性基底的集成。本发明芯片表面布有密集的通孔，形成镂空格栅状，有利于芯片上下层组织间营养物和代谢物的交流，保证了生物功能的完整性，保证整个视网膜区域的良好代谢，更进一步增强了视网膜芯片的易弯曲性能，柔性更加高。本发明方法有利用高效率批量制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1875895A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610018832.1
申请日：2006-04-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性视网膜芯片。顶层和底层聚合物薄膜之间设置有规则分布的硅岛和通孔，硅岛内含有用于模拟生理性功能的功能单元，通孔与硅岛交错分布，硅岛与顶层聚合物薄膜之间设置有引线层；底层聚合物薄膜上的空隙处与顶层聚合物薄膜紧密粘合于一起；电极为功能单元的一部分、或者位于顶层聚合物薄膜或底层聚合物薄膜上。该芯片采用MEMS工艺流程化制作，实现了微功能单元和柔性基底的集成。本发明芯片表面布有密集的通孔，形成镂空格栅状，有利于芯片上下层组织间营养物和代谢物的交流，保证了生物功能的完整性，保证整个视网膜区域的良好代谢，更进一步增强了视网膜芯片的易弯曲性能，柔性更加高。本发明方法有利用高效率批量制作。
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公开(公告)号：CN119310282A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411256417.4
申请日：2024-09-09
Applicant: 华中科技大学同济医学院附属协和医院
IPC: G01N33/574 , A61K35/15 , A61K47/34 , A61K39/395 , A61P35/00 , A61P7/00
Abstract: 本公开属于生物医药技术领域，具体公开CCL3在多发性骨髓瘤的免疫治疗中的用途。一方面提供检测CCL3表达的制剂在制备分析多发性骨髓瘤免疫治疗后出现耐药复发风险的产品和分析多发性骨髓瘤免疫抑制性微环境严重程度的产品中的应用；另一方面提供IMNP在制备免疫治疗多发性骨髓瘤的产品中的应用；此外还提供了IMNP联合PD‑L1抗体在制备多发性骨髓瘤的免疫治疗产品中的应用。本发明为多发性骨髓瘤免疫治疗提供新的观察分析手段，可以更好地对多发性骨髓瘤免疫治疗过程免疫治疗效果变化进行监测评估；IMNP通过高效清除CCL3分子，改善了骨髓瘤免疫抑制性微环境，降低了多发性骨髓瘤免疫治疗过程中耐药复发的风险，并且通过将IMNP与PD‑L1抗体联用以提高MM免疫治疗的效果。
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公开(公告)号：CN115737421A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211500415.6
申请日：2022-11-28
Applicant: 华中科技大学同济医学院附属协和医院
Abstract: 本发明公开了一种眼部疲劳患者用康复治疗仪，涉及眼部保健相关技术领域，包括治疗仪本体，所述治疗仪本体的一端两侧对称转动安装有弹性头带，所述治疗仪本体远离弹性头带的一侧对称固定连接有连接杆，多个所述连接杆靠近治疗仪本体的一端螺纹连接有第一螺帽。本发明通过弹性头带将治疗仪本体定位在患者头部，经一侧的多个连接杆穿过延长壳体与第一螺帽和第二螺帽连接，根据患者使用需求进行细微调节延长壳体和治疗仪本体的距离，通过在内嵌壳内设置成像仪，使滑动杆在滑槽内移动的同时带动内嵌壳平移，通过旋转杆旋转带动调节齿轮在滑槽的外侧的齿条槽之内旋转，根据患者使用调节成像仪在延长壳体内的位置。
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公开(公告)号：CN105938260B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610390204.X
申请日：2016-06-02
Applicant: 华中科技大学 , 上海航天控制技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种基于金属平面微纳线尖簇电极的电调透光率薄膜，其包括：由金属平面微纳线尖有序密集排布构成的一层图案化阴极和一层平面阳极，它们被分别制作在一层纳米厚度的透光基膜/电绝缘膜的上下表面；在加电态下，阴极上可自由移动的电子被阴阳电极间所激励的电场驱控，向金属平面微纳线尖簇其各纳线尖顶聚集，纳线尖金属电连接线上的自由电子分布密度因部分甚至绝大多数电子被纳线尖顶抽走而减少甚至急剧降低。本发明基于金属平面微纳线尖簇电极的电调透光率薄膜可对较宽谱域内的入射波束的光透过率执行电控调变，具有偏振不敏感、驱控灵活以及调光响应快等特点。
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公开(公告)号：CN105759464B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201610145778.0
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学 , 上海航天控制技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种电调光反射率薄膜。包括第一光学介质层，依次设置在第一光学介质层上表面的第一阳极、第二光学介质层和第二阳极，以及设置在第一光学介质层下表面的阴极，阴极为匀质导电膜结构，第一阳极和所述第二阳极均由其上布有M×N元阵列分布的纳孔的导电膜构成；通过调变加载在第一阳极和阴极间的第一时序电压信号以及加载在第二阳极和阴极间的第二时序电压信号，调变阴极上的阵列化电子的密度和分布形态，进而调变电调光反射率薄膜的光反射率。本发明能对宽谱入射波束的光反射率执行电控调变，具有动态范围大、偏振不敏感、驱控灵活精细、调光响应快、光反射态可电控切入与调换的特点。
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