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公开(公告)号：CN115957936A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211560756.2
申请日：2022-12-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米材料自组装的晶圆级自动化成膜设备及方法，属于纳米薄膜制备领域，设备包括：支撑壳体，其底部设置有调平底座，其顶部上表面设置有适配自组装容器的半沉凹槽；在所述自组装容器的内部放置有基片支架，在所述自组装容器的底部开设排水口并固定有排水止流开关，所述排水止流开关穿过所述支撑壳体顶部上表面伸入所述支撑壳体内部；在所述排水止流开关下方放置有废液容器；在所述支撑壳体的顶部固定放置有自动注射器，针尖接触所述自组装容器内壁。本发明能够降低人工误差，解决传统自组装工艺薄膜质量较差问题，提升自组装工艺的稳定性并拓展适用范围，能够基于大尺寸基片形成高质量纳米薄膜。
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公开(公告)号：CN115601824A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211280251.0
申请日：2022-10-19
Applicant: 华中科技大学(CN)
Abstract: 本发明公开了一种二维图像中人眼凝视方向的标注装置、系统和方法，属于计算机视觉与机器学习技术领域，装置包括：手持支架和装载在其中的数字倾角仪；标注者操作手持支架使标注装置的指示方向与二维图像中目标人眼的凝视方向保持一致，此时标注者输入采集启动指令；数字倾角仪，根据标注者输入的采集启动指令采集标注装置的三维姿态从而获取目标人眼的三维方向信息。本申请在标注者操作下使标注装置的指示方向与二维图像中目标人眼的凝视方向保持一致，根据标注者输入的采集启动指令采集标注装置的三维姿态，从而获取目标人眼的三维方向信息，由此解决当前图像人眼凝视标注昂贵、适用性窄的技术问题。
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公开(公告)号：CN114014257A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111240173.7
申请日：2021-10-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法及应用，包括：S1、在硅晶圆基片上表面沉积绝缘材料，得到悬臂支撑层；S2、在悬臂支撑层表面晶圆级沉积金属形成加热电极；S3、在加热电极表面晶圆级沉积绝缘层；S4、在绝缘层表面晶圆级制备腐蚀窗口和测试电极；S5、在测试电极表面晶圆级沉积粘结层；S6、在粘结层表面整体制备气敏薄膜；S7、在腐蚀窗口处通入腐蚀液，对气敏薄膜所在区域下方的硅晶圆基片进行湿法腐蚀后，得到气体传感器晶圆；S8、对气体传感器晶圆进行划片处理，得到硅基MEMS气体传感器芯片；其中，粘结层与气敏薄膜的材料相同。本发明所得的气体传感器芯片兼具高稳定和高灵敏等优良气敏性能，实现了硅基气体敏感薄膜的兼容制造。
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公开(公告)号：CN105608491A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510719570.0
申请日：2015-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06N3/00
CPC classification number: G06N3/002
Abstract: 本发明涉及一种基于多层并行膜结构的自组织P系统优化算法，包括膜结构初始化、运算规则和参数；对初始解进行预处理，并对初始种群进行分裂，然后依次利用重组规则和变异规则对初始解进行演化，得到试探性解并送入上级区域，并在区域通道开启时将最优试探性解送入上上级区域，再利用局部搜索规则在上上级区域中对送入的最优解更新，重复上述步骤直到满足终止条件。本发明的基于多层并行膜结构的自组织P系统优化算法，子种群的数量、规模、变异规则的触发概率以及局部搜索规则的使用频次等参数都无需在计算开始前设定，也不许通过反复的实验来确定，减小了参数设置对算法性能的影响，具有更好的全局搜索能力，能稳定的找到更好解，可靠性较高。
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公开(公告)号：CN105303257A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510719567.9
申请日：2015-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06Q10/04
Abstract: 本发明涉及一种局域多层并行膜结构的P系统算法，包括初始化膜结构、运算规则和参数，利用重组规则和变异规则对初始解进行迭代演化，得到试探性解并送入上级区域，并在设定的迭代周期后将试探性解中的最优解送入上上级区域，再利用局部搜索规则在上上级区域中对送入的最优解更新，重复上述步骤直到满足终止条件，结束计算流程。本发明的一种局域多层并行膜结构的P系统算法，丰富了子种群的多样性，扩展了搜索空间，提供在区域3中利用种族规则和变异规则跳出局部搜索范围，减少了陷入局部最优解的可能，增加了寻找最优解的方向，加快了收敛速度，增强了寻找全局最优解的可靠性，提高了运算效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104751013A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510132195.X
申请日：2015-03-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F19/10
Abstract: 本发明提供了一种DNA tile自组装平面网格设计方法，其主要包括两步，由4个sub-tile通过碱基互补配对合成4-arm tile和由合成的不同黏性末端类型的4-arm tile互补连接而成平面网格结构。通过DNA tile自组装构造出4-arm tile进而可构造出大小为的平面网格正方形结构，其平面结构的横行和纵列的4-arm tile的数量分别是，且其中可以是任意正整数。本发明提出的基于sub-tile策略的DNA tile自组装平面网格设计方法过程简单可控，充分利用DNA自组装可编程特性，可形成有限尺寸的DNA二维平面网格结构。
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公开(公告)号：CN115957936B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202211560756.2
申请日：2022-12-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米材料自组装的晶圆级自动化成膜设备及方法，属于纳米薄膜制备领域，设备包括：支撑壳体，其底部设置有调平底座，其顶部上表面设置有适配自组装容器的半沉凹槽；在所述自组装容器的内部放置有基片支架，在所述自组装容器的底部开设排水口并固定有排水止流开关，所述排水止流开关穿过所述支撑壳体顶部上表面伸入所述支撑壳体内部；在所述排水止流开关下方放置有废液容器；在所述支撑壳体的顶部固定放置有自动注射器，针尖接触所述自组装容器内壁。本发明能够降低人工误差，解决传统自组装工艺薄膜质量较差问题，提升自组装工艺的稳定性并拓展适用范围，能够基于大尺寸基片形成高质量纳米薄膜。
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公开(公告)号：CN115452895B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202211018681.5
申请日：2022-08-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种SnO2纳米颗粒晶圆级成膜方法、薄膜及应用，属于物理法薄膜制备技术领域，方法包括：S1，按照SnO2纳米颗粒材料：无水乙醇：烷基硫醇＝100mg：(5‑20)ml：(0.5‑2.0)ml的比例，对SnO2纳米颗粒材料进行疏水化处理；S2，以烷基醇为分散剂、疏水化处理后的SnO2纳米颗粒材料为分散质，配置浓度为5‑50mg/ml的分散液；S3，利用注射器注射分散液，直至薄膜铺满整个液面；S4，采用物理沉积法，将薄膜转移至等离子处理过的晶圆的表面；S5，对附着有薄膜的晶圆进行退火处理，以提升薄膜与晶圆衬底的界面结合力。制备的薄膜具有面积大、致密紧凑等优点。
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公开(公告)号：CN115907507B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202211255660.5
申请日：2022-10-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06Q10/0639 , G06Q50/20 , G06V40/20 , G06V10/25 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种联合课堂场景的学生课堂行为检测和学情分析方法，属于智能教学技术领域。课堂行为检测方法包括：对不同课堂场景下的视频图像中的学生课堂行为进行标注，构建与课堂场景相关的课堂行为数据集；将Faster RCNN的主干网络替换为Swin Transformer，作为课堂行为检测网络；利用构建的课堂行为数据集，对课堂行为检测网络进行迭代训练，得到训练好的课堂行为检测模型；利用训练好的课堂行为检测模型检测目标视频中的学生课堂行为，并根据不同的课堂场景类别对检测到的学生课堂行为进行分类，得到学生课堂行为类别。本发明可识别出课堂内多种行为类别，降低行为检测误差，并判断学生一段时间内学情情况，加强课堂教学质量评估，支持智慧课堂的发展。
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公开(公告)号：CN116443918A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310020747.2
申请日：2023-01-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G15/00 , B81C1/00 , G01N27/407 , G01N33/00
Abstract: 本发明属于气体传感器领域，具体公开了一种Ga3+掺杂In2O3MEMS甲醛传感器的制备方法，包括以下步骤：(S1)将可溶性铟盐、可溶性镓盐、尿素、弱酸强碱盐与去离子水混合搅拌形成均一的混合溶液；(S2)将混合溶液在100‑200℃的温度下进行水热反应2h‑48h；(S3)将水热产物在空气气氛下进行退火热处理，得到Ga3+掺杂In2O3材料。本发明通过对向In2O3材料中引入Ga3+掺杂，并控制Ga3+掺杂量不超过15％，掺杂后晶粒尺寸减小、晶体结构发生变化(由六方相氧化铟变为双相异质结氧化铟)；应用于MEMS甲醛传感器时，基于掺杂的“小尺寸”效应和双晶相异质结的协同作用，能够有效提高氧化铟MEMS甲醛传感性能。
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