高电源抑制比的超低功耗电源结构

    公开(公告)号:CN108762359A

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201711483345.7

    申请日:2017-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种高电源抑制比的超低功耗电源结构,包括:第一LDO电路、第二LDO电路、第一Bandbap模块、第二bandbap模块以及切换电路;其中,第一LDO电路用于在大驱动模式下提供LDO输出电压,第二LDO电路用于为超低功耗模式下提供LDO输出电压;第一Bandbap模块工作在主电源电压下,第二bandbap模块是工作在LDO输出电压VDD下的基准源,切换电路包括上下电复位电路、振荡器电路、延迟电路以及电平转换电路,切换电路能够将上电启动时由第一Bandbap模块输出第一参考电压的模式切换为上电启动完成后由第二Bandbap模块输出第二参考电压的模式。本发明的超低功耗电源结构的结构简单、鲁棒性好,从结构上优化了PSRR性能,并且显著降低了系统的功耗,实现了低功耗目标值。

    针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法

    公开(公告)号:CN108365847B

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN201711483390.2

    申请日:2017-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法,所述电荷型SAR‑ADC包括LSB电容阵列,将LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连,第一补偿电路的另一端接任意恒定电位,第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cdl'并联组成,通过调节第一补偿电路来调节SAR‑ADC的非线性误差。LSB电容阵列中单位电容值为Cu,共L位,从低位到高位分别以2倍的关系递增,最高位电容值为2L‑1Cu。当LSB电容阵列的总电容值为CLt时,则如下关系式成立:CLt=(2L‑1)·Cu+Cdl+Cdl'。所述针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法能达到很高的线性和增益的调节精度,特别适合高精度ADC的设计。

    针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法

    公开(公告)号:CN108365847A

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201711483390.2

    申请日:2017-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法,所述电荷型SAR-ADC包括LSB电容阵列,将LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连,第一补偿电路的另一端接任意恒定电位,第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cd'l并联组成,通过调节第一补偿电路来调节SAR-ADC的非线性误差。LSB电容阵列中单位电容值为Cu,共L位,从低位到高位分别以2倍的关系递增,最高位电容值为2L-1Cu。当LSB电容阵列的总电容值为CLt时,则如下关系式成立:CLt=(2L-1)·Cu+Cdl+Cd'l。所述针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法能达到很高的线性和增益的调节精度,特别适合高精度ADC的设计。

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