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公开(公告)号：CN119093260A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411169043.2
申请日：2024-08-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H02G7/16
Abstract: 本发明涉及超声传感器技术领域，公开了一种柔性超声传感器除冰系统、方法、装置、设备及介质。柔性超声传感器除冰系统用于对输电线进行除冰。首先，通过在输电线上环绕式地套接的柔性超声传感器激励休眠超声波，与柔性超声传感器连接的信号采集与处理模块采集超声波并对超声波进行信号处理，得到回波幅度。然后，与信号采集与处理模块连接的控制器比较回波幅度与覆冰阈值的大小，并根据比较结果确定激励模式(休眠监测激励模式与除冰激励模式两种模式)，并基于激励模式对柔性超声传感器进行激励，上述系统能够自动检测输电线的覆冰情况，并实时根据覆冰状态选择不同的激励模式，实现除冰的智能化，使用起来更方便，确保输电线除冰的可靠性。
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公开(公告)号：CN118651819A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410784831.6
申请日：2024-06-18
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS超声传感器件、制备方法及传感设备，属于MEMS传感芯片技术领域。MEMS超声传感器件包括：基底，形成有第一腔和暴露第一腔的第一开口；压电振动层，设于基底上，且覆盖第一开口；钝化层，设于基底上，且环绕压电振动层布置；谐振结构，设于钝化层远离基底的一侧，谐振结构形成有第二腔、第二开口和第三开口，第二开口和第三开口位于第二腔相对的两侧，第二开口朝向钝化层布置，且暴露压电振动层，第二腔和第三开口共同作用下的谐振频率等于压电振动层的谐振频率。超声传感芯片接收的声信号或发射的声信号在谐振腔内形成共振，增大超声传感芯片处的声压/往外发射的声压，增大了超声传感芯片的发射、接收灵敏度。
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公开(公告)号：CN118483628A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410946867.X
申请日：2024-07-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R33/00 , G01R33/028
Abstract: 本公开涉及磁传感技术领域，具体涉及一种磁敏元件及其制备方法、磁敏传感器、电子器件、芯片和电子设备。该磁敏元件包括：基底、有源区、激励电极和磁偏转电流检测电极；该基底位于最底层；该有源区形成于该基底上；该有源区为梳状结构，该梳状结构包括梳脊和多个梳齿，该多个梳齿从该梳脊的一侧或多侧伸出；该激励电极设置于该梳脊上或该梳脊外围，与该梳脊形成电接触，通过导线与外部电源相连，用于为该磁敏元件施加激励电流；该磁偏转电流检测电极设置于该梳齿两侧，用于检测该激励电流因磁场作用而发生偏转后所产生的电流变化。磁敏传感器包括该磁敏元件，利用该激励电流所产生的电流变化测量磁场，由此提高了传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118443998A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410403040.4
申请日：2024-04-03
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电子传感器领域，提供一种基于磁电效应与压电效应的电流传感器及芯片。所述电流传感器包括：支撑结构、质量块、线圈、弹性梁以及设于弹性梁表面的压电转换结构，质量块与弹性梁相连，质量块悬空设于支撑结构上，线圈设于质量块的表面。压电转换结构包括第一金属层、压电材料层及第二金属层，压电材料层设于第一金属层与第二金属层之间。本发明采用磁电效应和压电效应相结合，通过选择磁电效应‑正压电效应的工作模式或磁电效应‑逆压电效应的工作模式，实现同一个电流传感器同时兼顾直流电和交流电的检测，可应用于各种电流检测场景。
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公开(公告)号：CN118443968A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410402456.4
申请日：2024-04-03
Applicant: 天津大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01P15/105 , G01P1/00
Abstract: 本发明涉及电子传感器领域，提供一种隧道磁阻加速度计，包括支撑结构、质量块、线圈、弹性梁以及四个隧道磁阻元件，质量块与弹性梁相连，质量块悬空设于支撑结构上，线圈设于质量块的表面，四个隧道磁阻元件设置于支撑结构的表面，且对称分布于质量块的四周，其中两个隧道磁阻元件所在的直线平行于X方向，另外两个隧道磁阻元件所在的直线平行于Y方向。质量块能够在X方向、Y方向或Z方向的加速度作用下运动以带动线圈运动。四个隧道磁阻元件中每两个隧道磁阻元件构成差分磁场检测结构，能够感应线圈运动状态变化下产生的磁场变化，通过测量磁场变化值实现单轴向、双轴向(X和Y)或三轴向(X、Y和Z)加速度的高精度检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117098447B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311364146.X
申请日：2023-10-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及磁传感器领域，提供一种垂直霍尔传感器及制造方法、芯片。所述垂直霍尔传感器包括：硅衬底、垂直嵌入硅衬底内的电源激励电极以及形成于硅衬底表面的霍尔电压检测电极，电源激励电极包括至少一个外围电源激励电极以及至少一个中间电源激励电极，霍尔电压检测电极位于外围电源激励电极与中间电源激励电极之间。其中，电源激励电极是通过在硅衬底中刻蚀形成深沟槽，在深沟槽内填充重掺杂的多晶硅和金属形成的。本发明采用沟槽电极结构的电源激励电极，避免了离子注入工艺形成掺杂区不均匀的问题，有效提高垂直霍尔传感器的灵敏度，减小零偏。
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公开(公告)号：CN115436848A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211067437.8
申请日：2022-09-01
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明实施例提供一种磁性隧道结和磁性隧道结传感器，属于传感器技术领域。所述磁性隧道结包括：依次层叠设置的第一电极层、第一磁性层、隧穿势垒层、第二磁性层和第二电极层；其中，所述隧穿势垒层的材料与所述第一磁性层和所述第二磁性层的材料的晶格失配度低于1％。通过本发明实施例，可以减少磁性层和势垒层之间的界面位错和势垒缺陷，增加磁性隧道结的TMR值，提高磁性隧道结的灵敏度以及温度的稳定性。
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公开(公告)号：CN119643950B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510164418.4
申请日：2025-02-14
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，提供一种磁通门电流传感芯片及制造方法、应用方法。所述磁通门电流传感芯片包括：第一敏感单元、第二敏感单元以及第一敏感单元与第二敏感单元之间的导体通道，每个敏感单元包括磁芯和线圈，线圈包括激励线圈和感应线圈，激励线圈和感应线圈缠绕在磁芯上，感应线圈缠绕的磁芯的轴作为敏感单元的敏感轴；第一敏感单元和第二敏感单元通过感应导体通道的上表面附近的磁场和下表面附近的磁场，实现对待测电流的检测。本发明采用两个敏感单元及之间的导体通道构成差分检测结构，无需使用聚磁环结构，实现电流传感器的芯片化，检测精度高，抗干扰能力强，可实现开环闭环电流检测，能够满足多种应用场景的电流检测需求。
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公开(公告)号：CN118483628B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410946867.X
申请日：2024-07-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R33/00 , G01R33/028
Abstract: 本公开涉及磁传感技术领域，具体涉及一种磁敏元件及其制备方法、磁敏传感器、电子器件、芯片和电子设备。该磁敏元件包括：基底、有源区、激励电极和磁偏转电流检测电极；该基底位于最底层；该有源区形成于该基底上；该有源区为梳状结构，该梳状结构包括梳脊和多个梳齿，该多个梳齿从该梳脊的一侧或多侧伸出；该激励电极设置于该梳脊上或该梳脊外围，与该梳脊形成电接触，通过导线与外部电源相连，用于为该磁敏元件施加激励电流；该磁偏转电流检测电极设置于该梳齿两侧，用于检测该激励电流因磁场作用而发生偏转后所产生的电流变化。磁敏传感器包括该磁敏元件，利用该激励电流所产生的电流变化测量磁场，由此提高了传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118362774A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410526979.X
申请日：2024-04-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电子传感器领域，提供一种单芯片集成式电流传感器及制造方法。所述单芯片集成式电流传感器包括：电流测量单元、电磁感应取能单元以及无线通信单元，电流测量单元基于磁通门技术探测待测电流，电磁感应取能单元基于电磁感应原理产生感应电流，无线通信单元采用偶极子天线技术发送和接收信号；电流测量单元、电磁感应取能单元以及无线通信单元一体化集成于单芯片上。本发明的集成式电流传感器，可以利用微机电系统加工工艺将电流检测、取能、通信等功能结构一体化集成在单芯片上，可批量化生产，生产成本较低，且体积小、重量轻，有利于在长距离输电线路上进行大量布置。
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