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公开(公告)号：CN102759636B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210176681.8
申请日：2012-05-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 一种电容式MEMS加速度计，包括依次设置的第一硅盖板层、中间硅层和第二硅盖板层，所述中间硅层包括第一硅岛和第二硅岛，所述硅岛形成在硅框架的内部，并与硅框架通过间隙间隔开；其中第一硅岛与第一硅盖板层金属电极接触，第二硅岛与第二硅盖板层金属电极接触；第一硅盖板层还包括在第一硅基底上形成的第一金属电极通孔、第二金属电极通孔和硅电极通孔，第一金属电极通孔与第一硅岛的位置相对应，第二金属电极通孔与第二硅岛的位置相对应；硅电极通孔与硅框架的位置相对应；每个通孔内壁有绝缘层，并充满金属导电材料。本发明能够将加速度计的所有电极在同一硅面引出，实现了加速度计的圆片级键合，并且可以采用倒装芯片技术进行封装。
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公开(公告)号：CN102768290A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210176690.7
申请日：2012-05-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
Abstract: 一种MEMS加速度计及制造方法，采用玻璃-硅-玻璃三层电容式结构，硅层包括第一硅岛和第二硅岛，其中第一硅岛与第一玻璃层的金属电极接触，第二硅岛与第二玻璃层的金属电极接触；第一玻璃层还包括在第一玻璃基底上形成的第一金属电极引出通孔、第二金属电极引出通孔和硅层电极引出通孔；所述第一金属电极引出通孔与第一硅岛的位置相对应，所述第二金属电极引出通孔与第二硅岛的位置相对应，在第一硅岛和第二硅岛上分别形成金属焊点；在硅框架与硅层电极引出通孔对应的位置上形成金属焊点。本发明能够将玻璃层的金属电极与硅层电极在同一面引出，解决了三个电极不在同一面引出的封装难题。
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公开(公告)号：CN101648695A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910092035.1
申请日：2009-09-07
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
Abstract: 掩模层三维结构转移的MEMS体硅工艺方法，包括掩模层三维结构制备步骤和掩模层三维结构向硅衬底片转移步骤。在深槽结构加工之前完先制备硅衬底片的掩模层，然后针对硅衬底片上N个不同区域对应的N个加工深度对掩模层进行N次图形化处理从而形成掩模层的三维结构，然后把制备好的掩模层三维结构通过湿法腐蚀或干法刻蚀工艺转移到硅衬底片上，在硅衬底片上进行N次深槽结构加工，得到具有N个不同深度的MEMS体硅结构，N次深槽结构加工后去除所有掩模层，形成具有N个不同深度的MEMS体硅结构。本发明在降低了图形化难度的同时提高了图形化的精度。
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公开(公告)号：CN101648695B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910092035.1
申请日：2009-09-07
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
Abstract: 本发明掩模层三维结构转移的MEMS体硅工艺方法，包括掩模层三维结构制备步骤和掩模层三维结构向硅衬底片转移步骤。在深槽结构加工之前完先制备硅衬底片的掩模层，然后针对硅衬底片上N个不同区域对应的N个加工深度对掩模层进行N次图形化处理从而形成掩模层的三维结构，然后把制备好的掩模层三维结构通过湿法腐蚀或干法刻蚀工艺转移到硅衬底片上，在硅衬底片上进行N次深槽结构加工，得到具有N个不同深度的MEMS体硅结构，N次深槽结构加工后去除所有掩模层，形成具有N个不同深度的MEMS体硅结构。本发明在降低了图形化难度的同时提高了图形化的精度。
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