-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113676182B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110820818.8
申请日：2021-07-20
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03M1/10
Abstract: 一种通道随机化减小失配误差的MDAC电路，包括四通道采样开关电容阵列和一个余量放大器模块，通过在采样阶段，随机从四个通道的采样开关电容阵列中选择一个通道对输入信号进行采样，将电容失配误差平均化，进而减小失配对电路产生的影响。本发明设计多个采样开关电容阵列通道，在每个余量放大器工作周期内，随机选取一个通道进行输入信号的采样，以达到减小电容失配误差的效果，进而提高了整个MDAC和模数转换器的性能。
-
公开(公告)号：CN113676182A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110820818.8
申请日：2021-07-20
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03M1/10
Abstract: 一种通道随机化减小失配误差的MDAC电路，包括四通道采样开关电容阵列和一个余量放大器模块，通过在采样阶段，随机从四个通道的采样开关电容阵列中选择一个通道对输入信号进行采样，将电容失配误差平均化，进而减小失配对电路产生的影响。本发明设计多个采样开关电容阵列通道，在每个余量放大器工作周期内，随机选取一个通道进行输入信号的采样，以达到减小电容失配误差的效果，进而提高了整个MDAC和模数转换器的性能。
-
公开(公告)号：CN106558582B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201611046358.3
申请日：2016-11-22
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于低压器件实现对高压电路的ESD保护的方法和电路，其中，所述方法包括：当电容C0接收到ESD脉冲时，产生充电电流，电阻R0上产生压降，控制第二PMOS晶体管MP1和第三PMOS晶体管开启；当通过第二PMOS晶体管MP1和第一NMOS晶体管MN0输出的输出电压Vb1为高电平，且，通过第三PMOS晶体管MP2和第一PMOS晶体管MP0输出的偏置电压Vb2为高电平时，开启第三NMOS晶体管MN2和第二NMOS晶体管MN1,泄放电流。通过本发明提高了芯片的ESD防护能力，保证了芯片的成品率和可靠性。
-
公开(公告)号：CN104638887B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510050634.2
申请日：2015-01-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种可实现输出高电平转换的输出驱动电路，其特征在于：包括第一电源VDD1，第二电源VDD2、输出控制电路T、上拉P管预驱动电路、上拉输出驱动PMOS管MP2、下拉输出驱动管MN5、输出隔离电路、下拉N管预驱动电路、可变驱动信号MID发生电路、下拉预驱动电路。上拉P管预驱动电路通过电平移位缓冲电路SHIFT的拉升，并利用反馈电路加速，为驱动管MP2提供可变驱动信号MID，使得整个电路在无高压器件的条件下实现输出高电平电压的转换。该技术相比其他电路的特点是：不需要额外的高压器件的输出管；可实现低电平输入高电平输出的不同选择；快速驱动负载；可隔离电源噪声；面积较小；功耗较小。
-
公开(公告)号：CN103840827A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310701595.9
申请日：2013-12-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明提供了一种流水线ADC级间增益校准方法。在芯片流片后，首先，根据级间增益测量方案对待校准流水级的实际增益进行测量；其后，利用得到的实际增益值，结合补偿电路结构，确定需要的补偿电容值；接下来，将确定的补偿电容值转换为相应的校准信号固化在流水线ADC的芯片中；最后，在流水线ADC的正常转换模式下，补偿电路根据校准信号对待校准级的级间增益误差进行补偿，完成校准。根据本发明的方法不会影响ADC的正常转换过程，电路消耗小，且可实现高精度的校准。
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.045 seconds)
