公开(公告)号：CN201918976U

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201020574314.X

申请日：2010-10-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 汪金辉 ,  吴武臣 ,  侯立刚 ,  宫娜 ,  耿淑琴 ,  张旺 ,  袁颖

IPC: H03K19/017 ,  H03K19/096

Abstract: 本实用新型涉及一种用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路，包括输入信号端，输出信号端，时钟信号端，休眠信号端，预充管，保持管，时钟管，休眠管，输出静态反相器和下拉网络。保持管，休眠管和输出静态反相器中的NMOS管为高阈值的晶体管，其余晶体管为低阈值的晶体管；PMOS休眠管的源极接电源，漏极接输出静态反相器的PMOS管的源极，对于两个NMOS休眠管，一个NMOS休眠管的源极接动态结点，另一个NMOS休眠管的源极接输出端，两个NMOS休眠管的漏极接地电压；用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路中，所有PMOS管的衬底接电源电压，所有NMOS管的衬底接地电压。

公开(公告)号：CN204332377U

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201420677020.8

申请日：2014-11-13

Applicant: 无锡星融恒通科技有限公司 ,  北京工业大学

Inventor： 汪金辉 ,  王丽娜 ,  吕贵涛 ,  侯立刚 ,  宫娜

IPC: G11C11/413

Abstract: 本实用新型提供一种非挥发性SRAM存储单元电路，该电路具有数据存储位置Q点，其特征在于：还增加了一个辅助电路，用于数据存储位置Q点的数据的断电休眠记忆与上电恢复。所述的非挥发性SRAM存储单元电路具体包括：PMOS晶体管M1、M2、M10、C1、C2；NMOS晶体管M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M11。M9、M10源极连接Q点，漏极连接C1、C2栅极及M11漏极，M9栅极连接信号WAK，M10栅极连接信号C1源极、漏极、衬底连接信号SLP；C2源极、漏极、衬底连接地；M11栅极连接点，源极连接地。该电路有效地节省了待机状态下的能量损失。

公开(公告)号：CN204242589U

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201420679904.7

申请日：2014-11-13

Applicant: 无锡星融恒通科技有限公司 ,  北京工业大学

Inventor： 汪金辉 ,  杨泽重 ,  吕贵涛 ,  侯立刚 ,  宫娜

IPC: G11C11/413

Abstract: 本实用新型提供一种基于切断反馈技术的存储单元电路，包括：两个反相器INV0和INV1，四个NMOS管M0、M1、M2、M4，一个PMOS管M3；NMOS管M0的栅极接WL信号，源极接BL信号，漏极接点P；NMOS管M1的栅极接点Q，源极接VVSS信号，漏极接点P；NMOS管M2的栅极接WWL信号，源极接点P，漏极接点Q；PMOS管M3的栅极接WWL信号，源极接点Q，漏极接点Q0；NMOS管M4的栅极接WWLb信号，源极接点Q0，漏极接点Q；反相器INV0的输入接点Q，输出接点Qb；反相器INV1的输入接点Qb，输出接点Q0。该电路具有保持能力强、读能力强、写能力强、减少漏电流和良好的抗工艺浮动，较低工作电压的性能。

公开(公告)号：CN202043092U

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201020574370.3

申请日：2010-10-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 汪金辉 ,  吴武臣 ,  侯立刚 ,  宫娜 ,  耿淑琴 ,  张旺 ,  袁颖

IPC: H03K19/017 ,  H03K19/096

Abstract: 本实用新型涉及用于低功耗VLSI的电荷自补偿多米诺电路，是种电荷自补偿多米诺电路，即在多米诺电路中加入电荷自补偿通路，利用P型多米诺电路动态结点的放电对N型多米诺电路的动态结点充电，电荷自补偿通路包括：P型时钟控制的自补偿通路，由PMOS管PP，NMOS管NP1和NP2组成，NP1的栅极为时钟信号控制端；N型时钟控制的自补偿通路，由PMOS管PN1和PN2，NMOS管NN组成，PN2的栅极为时钟信号控制端。电荷自补偿通路位于P型动态结点和N型动态结点之间。本实用新型提出的多米诺电路节约充放电功耗，提高电路的性能。