公开(公告)号：CN104867983A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510172561.4

申请日：2015-04-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  丛瑛瑛 ,  周晓梁 ,  赵飞龙 ,  董俊辰 ,  韩德栋 ,  张盛东 ,  刘晓彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明公开了一种LDD/Offset结构薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路和平板显示及其相关制造技术领域。本发明核心是通过光刻胶和栅电极的斜坡结构以及一次额外的栅刻蚀，在晶体管沟道内形成自对准的LDD/Offset区域，而LDD/Offset的长度可以由刻蚀速度和刻蚀时间精确控制，从而达到降低TFT关态电流的目的。该技术工艺过程简单，不增加任何光刻版；整个TFT的制造过程与传统的工艺相比仅需增加一次重复的栅刻蚀，工艺方法和传统CMOS工艺相兼容，具有较高的实用价值，适用于薄膜晶体管的大规模生产，有望在未来的TFT集成电路中得到应用。

公开(公告)号：CN104112671A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410345212.3

申请日：2014-07-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  黄伶灵 ,  陈卓发 ,  丛瑛瑛 ,  赵楠楠 ,  吴静 ,  赵飞龙 ,  董俊辰 ,  王漪 ,  刘力锋 ,  张盛东 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。该方法利用溅射工艺生长一层掺镍的氧化锌半导体材料层作为薄膜晶体管的导电沟道层，通过调节掺镍的氧化锌靶材的组分，控制溅射氧气分压，可以改善薄膜晶体管的开关比、亚阈摆幅、阈值电压以及迁移率等特性。本发明具有制作成本低，低温工艺，可适用于透明显示和柔性显示技术等优点。