公开(公告)号：CN1829014A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200510011368.9

申请日：2005-02-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 章蓓 ,  徐军 ,  张振生

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/22

Abstract: 本项发明提出一种基于光子晶体的新型的适于研制GaN腔镜面的结构和方法。本发明采用深度刻蚀半导体微结构形成半导体与空气交替变化的一维周期性光子晶体结构，采用先进的直写式聚焦离子束(FIB)亚微米微加工技术和简化的工艺步骤，制作出半导体激光器的谐振腔镜面。本发明制备半导体激光二极管的腔镜面至少有一个由聚焦离子束刻蚀一维光子晶体加工而成。所述的一维光子晶体为：半导体与空气交替变化的一维周期性光子晶体。另外一个腔镜面采用自然解理腔镜面或干法刻蚀制备的腔镜面，或者是由聚焦离子束刻蚀加工成抛光的腔镜面。

公开(公告)号：CN1779900A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200410009840.0

申请日：2004-11-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  康香宁 ,  陈志忠 ,  陈皓明 ,  秦志新 ,  于彤军 ,  胡晓东 ,  章蓓 ,  杨志坚

IPC: H01L21/00 ,  B23K26/00 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  H01S5/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种实现大面积激光剥离蓝宝石上生长的GaN基外延层的方法，本发明提供了一种可以获得大面积的均匀的无蓝宝石衬底的完整的薄层GaN基外延膜，GaN基外延层是在蓝宝石衬底上用HVPE方法生长的厚膜或用MOCVD方法生长的薄层外延膜，将GaN外延片通过特定的焊接材料和工艺焊接在Si片等其他热导性和电导性良好的支撑材料上，保证GaN外延层和承载衬底具有好的电和热接触，同时又有相当的机械强度和耐温能力。利用由外向内的扫描方式及热衬底、加入激光阈值偏置等措施，从蓝宝石一侧使用对蓝宝石透明而GaN强烈吸收的脉冲激光扫描外延片，实现GaN外延层和蓝宝石衬底的大面积均匀分离。发明尤其有利于完整剥离大面积薄层外延膜，通常为2inch的GaN基外延片。

公开(公告)号：CN1157805C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN01118325.X

申请日：2001-05-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 章蓓 ,  张国义 ,  俞大鹏 ,  栾峰 ,  王大军

IPC: H01L33/00

Abstract: 半导体发光二极管及其制备方法，在普通半导体发光二极管基片上用圆盘式台面基本发光腔、微结构和电极接触相结合的设计，在圆台面p型金属电极顶部蚀刻二维周期性微结构，周期为亚微米或微米级，深度达到n型区。可用半导体光刻和干法刻蚀微加工技术或FIB两种方法制成。与在同一基片上所制同面积发光二极管比，在同样电流下发光强度增至1.6-8倍。可用于InGaN基量子阱蓝绿光发光二极管制备及各种材料系半导体和有机发光二极管的研制。