一种基于电化学掺杂的可调LIF神经元硬件单元

    公开(公告)号:CN118862983A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410820036.8

    申请日:2024-06-24

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于电化学掺杂的可调LIF神经元硬件单元,包括作为可调负载电阻的电化学随机存取存储器(ECRAM)和具有神经元发放功能的三端阈值开关器件,其中,ECRAM为三端存储器件,ECRAM和三端阈值开关器件之间通过彼此的沟道进行串联,即ECRAM的源极与三端阈值开关器件的漏极相连,二者状态改变都是通过第三端施加合适的电信号刺激进行。将该可调LIF神经元硬件单元应用于脉冲神经网络,通过改变ECRAM的沟道电阻以及三端阈值开关器件沟道的阈值电压,可以对LIF神经元的膜电位时间常数τ和阈值电压Vth进行适应性调整。因此,基于该可调LIF神经元硬件单元的脉冲神经网络的硬件加速器可以对不同应用环境进行参数调整,从而优化网络性能。

    一种可编程多时间尺度储备池计算单元及其操作方法

    公开(公告)号:CN118690807A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410743693.7

    申请日:2024-06-11

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种可编程多时间尺度储备池计算单元及其操作方法,通过采用电化学晶体管及其栅极的选通晶体管和可变负载电阻,实现了可调时间常数的储备池计算单元的构建。电化学晶体管电解质中的离子自发扩散的速率和栅极电流大小有关,通过改变栅极相连的负载电阻大小来改变刺激撤去之后的栅极电流大小,从而改变电解质中离子自发扩散的速率以及沟道电导衰减的时间常数,并由此对不同时间尺度的时间序列进行适应性编码,提高储备池计算对多时间尺度信息的处理能力。该储备池计算单元结构简单,简化了电学操作,并且参数调节具有非易失特性,可以构建多时间尺度的时序信息提取阵列,对含有多种频率信息的时间序列进行高维映射。

    基于局部单晶相的降低初始化电压的阻变存储器及其制备

    公开(公告)号:CN116419578B

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202310687808.0

    申请日:2023-06-12

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于局部单晶相的降低初始化电压的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括依次层叠的底部金属布线层、底电极、阻变介质层、顶电极和顶部金属布线层,在阻变介质层中引入局部单晶相,通过局部单晶相促进导电细丝的生长,显著降低器件的初始化操作电压,同时通过局部单晶相可以限制初始化中导电细丝生成和断裂的位置,降低后续操作的随机性。该阻变存储器的制备方法与传统CMOS工艺相兼容,可以直接用在后端集成工艺中,进行大规模生产;而且,通过降低器件的初始化电压,可以帮助器件与更加先进制程的CMOS进行集成,进一步降低存储单元的密度。

    一种由DAS光纤构成地震拖缆的噪音抑制方法

    公开(公告)号:CN112099078B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202010866736.2

    申请日:2020-08-25

    Abstract: 本发明涉及一种由DAS光纤构成地震拖缆的噪音抑制方法,包括:在普通DAS光纤上的特定位置上预设若干散射增强点,得到改良型DAS光纤;步骤2:将多条改良型DAS光纤组装到一条拖缆形成地震拖缆,各散射增强点错开设置;步骤3:进行数据采集,每一条改良型DAS光纤接收到一套仅由散射增强点接收到的采集数据;步骤4:将各条改良型DAS的采集数据进行时间域叠加,并将时间域的数据叠加通过傅里叶变换转换为频率域的相乘处理,得到大于1的滤波因子和频率域的有效反射信号相乘,然后将频率域的数据进行傅里叶逆变换得到时间域的有效采集数据,从而得到抑制噪音后的采集数据。本发明能够有效提高采集数据的信噪比,抑制噪音。

    一种低操作电压高一致性忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116096223A

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202310379304.2

    申请日:2023-04-11

    Abstract: 本发明公开了一种低操作电压高一致性忆阻器及其制备方法。所述忆阻器是在上下层电极之间设有掺氮缺陷层和功能层,所述掺氮缺陷层成分为MOxNy,其中M选自下列过渡金属元素中的一种或多种:Ta,Hf,Zn,Ni,Ti,W;1≤x≤2.5,0.01≤y≤0.5。本发明采用氧含量比例较高同时轻微掺杂氮的掺氮缺陷层,通过调整功能层材料厚度及合理控制其成分可以实现不同阻值和操作电压,最终实现了具有低操作电压的忆阻器件。本发明忆阻器的低操作电压特性和制备工艺与传统CMOS工艺相兼容的优点,对于存内计算硬件的最终实现有着重要的意义。

    用于种植牙牙冠与基台体外粘接的辅助装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN106667599A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201710107668.X

    申请日:2017-02-27

    Inventor: 杨振 谭建国

    CPC classification number: A61C8/0089

    Abstract: 本发明涉及一种用于种植牙牙冠与基台体外粘接的辅助装置,包括用于承接基台的底座,底座包括上表面和下表面,底座的上表面上垂直设有管柱,管柱的外部套设有套管,管柱的外侧面与套管的内侧面之间间隙配合,套管的外侧面与牙冠通孔的内侧面和基台螺丝孔的内侧面之间间隙配合,套管远离底座的一端为封闭端。贯通的管柱和套管联合应用于基台和牙冠的体外粘合过程,极好地替代了传统操作过程中“小棉球与填塞物”的隔绝作用,严密封闭了牙冠通孔和基台螺丝孔的通道,在基台与牙冠粘接完成后减少了清理小棉球与填塞物的时间,极大的提高了临床效率。

    用于种植牙牙冠与基台体外粘接的辅助装置

    公开(公告)号:CN207071107U

    公开(公告)日:2018-03-06

    申请号:CN201720181026.X

    申请日:2017-02-27

    Inventor: 杨振 谭建国

    Abstract: 本实用新型涉及一种用于种植牙牙冠与基台体外粘接的辅助装置,包括用于承接基台的底座,底座包括上表面和下表面,底座的上表面上垂直设有管柱,管柱的外部套设有套管,管柱的外侧面与套管的内侧面之间间隙配合,套管的外侧面与牙冠通孔的内侧面和基台螺丝孔的内侧面之间间隙配合,套管远离底座的一端为封闭端。贯通的管柱和套管联合应用于基台和牙冠的体外粘合过程,极好地替代了传统操作过程中“小棉球与填塞物”的隔绝作用,严密封闭了牙冠通孔和基台螺丝孔的通道,在基台与牙冠粘接完成后减少了清理小棉球与填塞物的时间,极大的提高了临床效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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