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公开(公告)号：CN101127207B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710122528.6
申请日：2007-09-26
Applicant: 北大方正集团有限公司 , 北京大学 , 北京北大方正电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高灰度字形显示质量的方法及装置，用以解决现有技术中存在的灰度字形显示效果差的问题。本发明方法包括：将灰度字形回路的最小宽度处的第一端点圆整到网格上，和/或依据预先设置的调整方向，向远离所述第一端点的方向移动所述最小宽度处的第二端点。本发明用于提高灰度字形的显示质量。
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公开(公告)号：CN101447087A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810226691.1
申请日：2008-11-20
Applicant: 北大方正集团有限公司 , 北京大学 , 北京北大方正电子有限公司
IPC: G06T11/00
Abstract: 本发明公开了一种基于轮廓字形模拟点阵字形效果的方法及系统，属于文字信息处理技术领域。在现有技术中，当轮廓字形尺寸较小时会出现笔画粘连等问题，通常采用点阵字形代替轮廓字形，因此需要在轮廓字库中嵌入点阵字形，从而造成了数据冗余，同时会增加用户的成本。本发明通过将所有的笔画调整代码嵌入到轮廓字库的公共数据部分，将调用关系代码嵌入到在指定尺寸上需要调整笔画的轮廓字形数据的前面，当读取需要调整笔画的轮廓字形数据时，字体引擎通过该轮廓数据前面的调用关系代码调用公共数据部分的笔画调整代码，在字形渲染之前对轮廓字形中笔画进行调整。本发明与嵌入点阵字形的方式相比，避免了数据冗余，同时降低了用户的成本。
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公开(公告)号：CN101388112A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810222438.9
申请日：2008-09-17
Applicant: 北大方正集团有限公司 , 北京大学 , 北京北大方正电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种变换字体风格的方法及系统，属于字符信息处理技术领域。在现有技术中，当需要现有字库中没有的字体风格时，要么开发一种新字体，要么对最接近的现有字库中的字体进行人工修改。如果开发新字体，则存在开发成本高，开发周期长，对系统存储硬件要求较高等不足之处；如果通过人工方式修改，则存在效率低、效果不理想等缺点。本发明所述的方法及系统，通过将对字形中的笔画特征进行动态变换的变换代码嵌入到现有轮廓字库的代码中的方式，实现动态变换字体风格的目的。本发明与开发新字体相比，降低了开发成本，缩短了开发周期，同时降低了字库对存储硬件的要求；与人工修改方式相比，提高了字体风格变换的效率，变换后的字体效果好。
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公开(公告)号：CN105126167A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510458213.3
申请日：2015-07-30
Applicant: 北京大学
IPC: A61L27/34 , A61L27/06 , A61L27/54 , A61L31/10 , A61L31/02 , A61L31/16 , B22F3/105 , B22F3/115 , C25D13/12
Abstract: 本发明公开了一种表面具有纳米复合涂层的3D打印多孔金属支架及其制备方法，涉及骨组织修复与重建用的功能化多孔支架制备领域。在3D打印多孔Ti6Al4V合金支架等非线性金属表面通过电泳沉积法或提拉法制备丝素蛋白-氧化石墨烯纳米复合涂层，在支架外部和内部表面同时得到结构均一、结合力良好的功能涂层，提高了基体生物活性，减缓了基体腐蚀速率。
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公开(公告)号：CN101996309B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200910090996.9
申请日：2009-08-19
Applicant: 北大方正集团有限公司 , 北京大学 , 北京北大方正电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种笔画轮廓的识别和变换方法，其包括下述步骤：1)在字形轮廓中识别笔画轮廓；2)确定每一笔画轮廓中所包含的笔画特征，并记录所述笔画特征在该笔画轮廓中的位置信息及形态信息，所述笔画特征指的是所述笔画中所包含的形态和结构特征；3)根据需要修改所述笔画特征的位置信息和/或形态信息，以获得该笔画的新轮廓。本发明还公开了一种笔画轮廓的识别和变换装置，其包括：笔画轮廓识别单元，用于对笔画轮廓进行识别；笔画特征确定单元，用于确定每一笔画轮廓中所包含的笔画特征，并记录所述笔画特征在该笔画轮廓中的位置信息及形态信息；修改单元，用于根据需要修改所述笔画特征的位置信息和/或形态信息，以获得该笔画的新轮廓。本发明提供的方法/装置属于文字处理技术领域，其能够识别字形中的笔画轮廓及笔画特征，并根据其相关信息，方便快捷地对字形、笔画轮廓以及笔画特征进行整体或局部的修改。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101127207A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710122528.6
申请日：2007-09-26
Applicant: 北大方正集团有限公司 , 北京大学 , 北京北大方正电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高灰度字形显示质量的方法及装置，用以解决现有技术中存在的灰度字形显示效果差的问题。本发明方法包括：将灰度字形回路的最小宽度处的第一端点圆整到网格上，和/或依据预先设置的调整方向，向远离所述第一端点的方向移动所述最小宽度处的第二端点。本发明用于提高灰度字形的显示质量。
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公开(公告)号：CN101123001A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710122529.0
申请日：2007-09-26
Applicant: 北大方正集团有限公司 , 北京大学 , 北京北大方正电子有限公司
IPC: G06T11/40
Abstract: 本发明公开了一种提高灰度字形显示质量的方法及装置，用以解决现有技术中存在的灰度字形显示效果差的问题。本发明方法包括：确定需要采用灰度位图方式进行填充的字形回路上的端点的位置，并根据端点的位置信息，确定位于字形回路最外边界上的端点；通过将所述位于网格之外的端点移动到网格上，调整所述字形回路的起始端和终止端覆盖完整网格。本发明用于对灰度字形进行调整，以提高灰度字形的显示效果。
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公开(公告)号：CN1862526A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610089359.6
申请日：2006-06-21
Applicant: 北京大学 , 北京北大方正电子有限公司
IPC: G06F17/22
Abstract: 本发明属于字符信息处理领域，具体涉及一种采用基于轮廓字型技术的离散字形来模拟点矩阵字形的方法。该方法将离散字形中离散点的几何轮廓数据单独存储，对于每个离散字形，存储一个变换矩阵及各离散点的坐标，字形解释程序根据离散字形数据，得到相应的离散字形。采用本发明所述的方法，不仅可以实现离散字形中的点的外形轮廓的可变性，而且实现了点的轮廓的平移、缩放、旋转、错切、镜像等二维变换。
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公开(公告)号：CN1209799C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN03104779.3
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/3065 , C23F4/00 , B81B5/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比硅深刻蚀方法。采用具有双路气体自动切换功能的英国STS公司生产的STS Multiplex ICP高密度等离子刻蚀系统，采用如下的工艺条件：离子源功率：600W，承片台功率：12～14W，刻蚀气体流量：95sccm，刻蚀时间：13～15秒，钝化气体流量：95sccm，钝化时间：9～11秒，刻蚀与钝化重叠时间：0.5秒，反应压力：18～36mTorr，刻蚀样品：直径100毫米硅片，刻蚀掩膜：普通正性光刻胶。解决了硅深刻蚀过程中刻蚀速率随槽宽度变窄而降低的这一国际性难题，使采用复杂图形和梳齿图形的器件结构能够用高深宽比硅刻蚀技术来实现，为MEMS器件的制造提供了一种有效可行的加工手段。可广泛应用于微电子机械技术领域。
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公开(公告)号：CN1431686A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03104779.3
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/3065 , C23F4/00 , B81B5/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比硅深刻蚀方法。采用具有双路气体自动切换功能的英国STS公司生产的STSMultiplex ICP高密度等离子刻蚀系统，采用如下的工艺条件：离子源功率：600W，承片台功率：12～14W，刻蚀气体流量：95sccm，刻蚀时间：13～15秒，钝化气体流量：95sccm，钝化时间：9～11秒，刻蚀与钝化重叠时间：0.5秒，反应压力：18～36mTorr，刻蚀样品：直径100毫米硅片，刻蚀掩膜：普通正性光刻胶。解决了硅深刻蚀过程中刻蚀速率随槽宽度变窄而降低的这一国际性难题，使采用复杂图形和梳齿图形的器件结构能够用高深宽比硅刻蚀技术来实现，为MEMS器件的制造提供了一种有效可行的加工手段。可广泛应用于微电子机械技术领域。
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