公开(公告)号：CN102882513A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210380756.4

申请日：2012-10-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  张耀凯 ,  蔡一茂 ,  陈诚

IPC: H03K19/20

Abstract: 本发明实施例公开了全加器电路和芯片，该电路包括：第一异或电路、第二异或电路和进位电路；其中，第一异或电路的输入端作为全加器电路的信号输入端；第二异或电路的一组输入端与第一异或电路的输出端相连接，第二异或电路的另一组输入端作为全加器电路的进位输入端，第二异或电路的输出端作为全加器电路的信号输出端；进位电路的输入端作为全加器电路的信号输入端，进位电路的输出端与全加器电路的进位输入端相连接；第一异或电路、第二异或电路和进位电路中的至少一个包括阻变忆阻器阵列。本发明实施例中，在节省全加器电路所占面积的同时，实现了全加器电路可编程的性能。

公开(公告)号：CN102881333A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210359883.6

申请日：2012-09-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  张耀凯 ,  蔡一茂 ,  陈诚

IPC: G11C19/28

Abstract: 本发明实施例公开了移位寄存器电路和芯片，该电路包括：阻变忆阻器方阵和电流敏感模块；阻变忆阻器方阵中同一列阻变忆阻器的正相输入端相连接，以使同一列阻变忆阻器的正相输入端作为信号输入端口；阻变忆阻器方阵中同一行阻变忆阻器的反相输入端与一个电流敏感模块的输入端相连接，以使电流敏感模块的输出端作为信号输出端口；电流敏感模块的输入端工作时连接到低电平，电流敏感模块的输入端接收到的电流大于阈值电流时，电流敏感模块的输出端输出高电平，电流敏感模块的输入端接收到的电流小于阈值电流时，电流敏感模块的输出端输出低电平。本发明实施例中，在节省移位寄存器电路所占面积的同时，实现了移位寄存器电路可编程的性能。

公开(公告)号：CN102663497A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210097673.4

申请日：2012-04-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  杨庚雨 ,  蔡一茂 ,  潘越 ,  谭胜虎 ,  张耀凯 ,  陈诚 ,  黄英龙 ,  唐昱

IPC: G06N3/06

Abstract: 本发明公开了一种自路由单元电路及其控制方法。本发明的电路适用于大规模互联的神经网络系统中，前神经元与两个以上后神经元的突触连接采用自路由单元电路，具有两条以上并联的支路，每条并联支路由一个或者多个双极阻变忆阻器构成，每条支路具有不同的结构，随着阻变忆阻器的数目、极性的连接方向以及串并联方式的不同而形成具有与特定电压相应的一种自路由单元电路。本发明的电路能够自动地选择向后神经元传递信号，并且电路简单、结构小以及便于大规模集成；而且为非挥发电路，一旦设定，在条件不变的情况下，不需重新设定。

公开(公告)号：CN102610751A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210046570.5

申请日：2012-02-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  杨庚雨 ,  孙帅 ,  谭胜虎 ,  张丽杰 ,  黄英龙 ,  张耀凯 ,  唐昱 ,  潘越 ,  蔡一茂 ,  毛俊

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米尺寸阻变忆阻器小孔的制备方法。本发明的制备方法利用牺牲层腐蚀法来制备纳米尺寸阻变忆阻器的小孔，小孔的方向可以是垂直的，可以是水平的，也可以是任何其他方向。本发明所提供的制备方法可以用来制备任何形状的小孔，最小精度可以达到20nm。本发明的制备方法精度高、工艺简单、成本低。

公开(公告)号：CN102543172A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210046710.9

申请日：2012-02-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  杨庚雨 ,  张耀凯 ,  张丽杰 ,  陈诚 ,  潘越 ,  蔡一茂 ,  黄英龙 ,  谭胜虎

IPC: G11C11/56

Abstract: 本发明公开了一种适用于神经元电路的阻变忆阻器的控制方法。本发明的控制方法在神经元电路里，阻变忆阻器的两个端口分别和MOS晶体管的漏端和源端相连，组成并联结构，并分别连接于前神经元和后神经元，在MOS晶体管的栅端加上栅电压。本发明通过阻变忆阻器与MOS晶体管并联，在学习态，通过调节MOS晶体管的栅电压将阻变忆阻器设置到预定阻值；在计算态，通过栅电压控制MOS晶体管的沟道电阻从而精确控制阻变忆阻器和MOS晶体管的并联结构的阻值，从而快速精确地对并联结构的阻值进行调节。MOS晶体管的面积可以很小，有利于大规模集成，同时，控制MOS晶体管的栅电压能够实现阻变忆阻器的阻值可变并且可以精确控制阻值浮动。