公开(公告)号：CN117878061A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410177683.1

申请日：2024-02-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  彭莞越 ,  卢浩然 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底结构上形成有源结构，有源结构包括第一部分和第二部分，第一部分比与第二部分靠近衬底结构；基于有源结构的第一部分，形成第一晶体管，第一晶体管包括包裹第一部分的第一栅极结构以及位于第一栅极结构两侧的第一源漏结构；在第一栅极结构上形成栅极隔离介质层；基于有源结构的第二部分，在栅极隔离介质层上形成第二晶体管的第二栅极结构；其中，第一栅极结构通过栅极隔离介质层与第二栅极结构隔离。

公开(公告)号：CN117855145A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311694549.0

申请日：2023-12-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种自对准晶体管的源漏互连方法、自对准晶体管及器件，上述方法包括：在半导体衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，依次形成第一源漏结构、第一层间介质层和第一源漏金属，第一层间介质层包裹第一有源结构、第一源漏结构和第一源漏金属；倒片并去除半导体衬底；基于第二有源结构，依次形成第二源漏结构、第二层间介质层和第二源漏金属，第二层间介质层包裹第二有源结构、第二源漏结构和第二源漏金属；其中，第一源漏金属和第二源漏金属通过互连通孔结构连通，互连通孔结构贯穿第一层间介质层和第二层间介质层。通过本申请，可以降低在源漏互连方案中对刻蚀时间的控制难度。

公开(公告)号：CN117352459A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311226981.7

申请日：2023-09-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：提供一衬底，衬底为晶圆；在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一部分和第二部分；在有源结构上沉积半导体材料，以形成伪栅结构；在伪栅结构的第三部分的两侧形成第一晶体管的源结构和漏结构；对晶圆进行倒片，并去除衬底；在伪栅结构的第四部分的两侧形成第二晶体管的源结构和漏结构；刻蚀伪栅结构，以形成第一槽；在第一槽处分别形成第一晶体管的第一栅极结构和第二晶体管的第二栅极结构，第一栅极结构和第二栅极结构在垂直方向上自对准。

公开(公告)号：CN117116859A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310987931.4

申请日：2023-08-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上依次形成由不同晶格常数的材料制成的第一材料层和第二材料层；刻蚀第一材料层和第二材料层，形成的鳍结构包括由刻蚀后的第一材料层形成的第一部分和由刻蚀后的第二材料层形成的第二部分；基于第二部分，形成底层晶体管；倒片后基于第一部分，形成顶层晶体管。本申请通过利用鳍结构的第二部分形成底层晶体管，倒片后利用鳍结构的第一部分形成顶层晶体管，使得上下两层晶体管共用鳍结构且实现自对准。另外，由于第一部分与第二部分由不同晶格常数的材料形成，使得底层晶体管和顶层晶体管所共用的鳍结构中产生对应的沟道应力，保证了半导体结构的正常工作。

公开(公告)号：CN117116858A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310987549.3

申请日：2023-08-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成有源结构，有源结构具有第一部分和第二部分；在衬底上形成浅沟槽隔离层，以覆盖第二部分；在浅沟槽隔离层之上形成刻蚀阻挡层；基于所述第一部分，形成底层晶体管；倒片并刻蚀衬底以及浅沟槽隔离层，以暴露刻蚀阻挡层以及第二部分；基于第二部分形成顶层晶体管。底层晶体管的第一栅极结构与顶层晶体管的第二栅极结构位于刻蚀阻挡层相对的两侧。

公开(公告)号：CN117116857A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310986686.5

申请日：2023-08-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、以及半导体结构。该方法包括：在衬底上形成有源结构，其中，有源结构至少包括第一部分和第二部分；基于有源结构的第一部分，形成第一晶体管，其中，第一晶体管的第一栅结构与衬底之间形成有隔离结构；对衬底所在的晶圆进行倒片处理；去除衬底并部分去除隔离结构，以暴露有源结构的第二部分；在隔离结构中形成通孔，其中，通孔暴露第一栅结构；对通孔进行金属化处理；基于有源结构的第二部分，形成第二晶体管，其中，第二晶体管的第二栅结构与第一栅结构通过通孔互连。通过本申请的方案，能够实现堆叠晶体管中上下层晶体管的栅极互连。

公开(公告)号：CN117855144B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202311694452.X

申请日：2023-12-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  孙嘉诚 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H10D84/03 ,  H01L23/538 ,  H10D84/83 ,  H10D64/27

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在半导体衬底上形成有源结构；基于第一有源结构，形成第一半导体结构；基于第二有源结构，形成第二半导体结构；对第一半导体结构的第一栅极结构和第二半导体结构的第二栅极结构进行栅极切断工艺，以形成栅极切断结构；基于自对准至栅极切断结构的光刻区域，对第一半导体结构的第一层间介质层和第二半导体结构的第二层间介质层进行光刻，以形成第一深槽；在第一深槽中沉积金属，以形成互连通孔结构，互连通孔结构连接第一半导体结构中的第一源漏金属和第二半导体结构中的第二源漏金属。通过本申请，可以实现源漏互连时的自对准。

公开(公告)号：CN118280925B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202410434413.4

申请日：2024-04-11

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  彭莞越 ,  卢浩然 ,  黎明 ,  王润声 ,  黄如 ,  卜伟海 ,  康劲

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83

Abstract: 本申请提供一种半导体器件的制备方法、半导体器件及电子设备，该半导体器件的制备方法包括：在衬底上形成有源结构；形成第一半导体结构；将第一半导体结构与第一载片晶圆键合并翻转；去除衬底，暴露第二有源结构；形成第二半导体结构；将第二半导体结构与第二载片晶圆键合并翻转；去除第一载片晶圆，暴露第一半导体结构；在第一半导体结构中，形成第一栅极结构；在第一源漏结构上形成第一源漏金属；在第一晶体管上形成第一金属互连结构；将第一金属互连结构与第三载片晶圆键合并翻转；去除第二载片晶圆，以暴露第二半导体结构；形成第二金属互连结构。该方法避免了在形成第二源漏结构时的较高工艺温度影响第一栅极结构和第一金属互连结构。

公开(公告)号：CN119133107A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411101564.4

申请日：2024-08-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  彭莞越 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成有源结构，有源结构包括第一部分和第二部分，第二部分相对于第一部分靠近半导体衬底；基于第一部分，形成正面垂直堆叠晶体管，正面垂直堆叠晶体管包括：第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的极性不同，第一晶体管和第二晶体管在第一方向上自对准，第一方向为垂直于半导体衬底的方向；倒片并去除半导体衬底；基于第二部分，形成反面垂直堆叠晶体管，反面垂直堆叠晶体管包括：第三晶体管和第四晶体管，第三晶体管和第四晶体管的极性不同，第三晶体管和第四晶体管在第一方向上自对准。

公开(公告)号：CN118900556A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410984338.9

申请日：2024-07-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  彭莞越 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H10B10/00

Abstract: 本申请提供一种半导体器件、制备方法、存储器及电子设备。该半导体器件包括：沿第一方向依次堆叠的第一半导体结构、第一隔离层和第二半导体结构；其中，第一方向是与第一隔离层垂直的方向；第一半导体结构包括至少一个第一标准单元，每一个第一标准单元包括两个子单元，每一个子单元包括两个第一晶体管；第二半导体结构包括至少一个第二标准单元，每一个第二标准单元包括两个第二晶体管；电源轨，位于每一个子单元的两个第一晶体管之间，且电源轨与第一晶体管的第一源漏结构连接；导电通道，位于第二半导体结构内，且导电通道的第一端与第二半导体结构内的供电金属结构连接，导电通道的第二端沿第一方向延伸，并穿过第一隔离层与电源轨连接。