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公开(公告)号：CN109485301B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201710914602.1
申请日：2017-09-30
Applicant: 北京大学包头创新研究院
IPC: C04B26/00 , E01C9/00 , C04B111/20
Abstract: 本发明涉及环保树池盖板、侧板及其制备方法和应用。本发明的树池盖板通过含有粉煤灰40～70wt％、聚氯乙烯回收料25～50wt％、轻钙0～20wt％、稳定剂1～3wt％、改性剂0.9～2.5wt％、发泡剂0～1wt％、发泡调节剂0～5wt％、第一润滑剂0.1～1wt％和第二润滑剂0.1～1wt％的原料制备得到。本发明的环保树池盖板及侧板原料成本低，制备工艺简单，附加值高，产品可回收再利用，可以获得良好的经济效益。
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公开(公告)号：CN103906187B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201410129377.7
申请日：2014-04-01
Applicant: 中国科学院信息工程研究所 , 北京大学
IPC: H04W48/16
Abstract: 本发明涉及基于组邻居发现机制的组内成员相位选择方法及系统，其方法包括：节点组内仅存在主节点时，初始的组序列等于当前主节点的序列，所述组序列包含N个相位；发现一个新节点加入节点组，成为主节点的从节点；将从节点分别对应在组内N个相位位置的序列与当前组序列进行“或”操作，得到N组组合序列；对N组组合序列分别计算与组序列的时延，得到N组时延，并将N组时延按大小排序；得到最小的一组时延，所述最小的一组时延对应的相位位置即为最优相位；主节点将最优相位分配给从节点，组序列更新为当前组序列与从节点的序列“或”操作后得到的序列。本发明选取相位差的最优组合，降低现有其他邻居发现策略的发现时延。
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公开(公告)号：CN103906187A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410129377.7
申请日：2014-04-01
Applicant: 中国科学院信息工程研究所 , 北京大学
IPC: H04W48/16
Abstract: 本发明涉及基于组邻居发现机制的组内成员相位选择方法及系统，其方法包括：节点组内仅存在主节点时，初始的组序列等于当前主节点的序列，所述组序列包含N个相位；发现一个新节点加入节点组，成为主节点的从节点；将从节点分别对应在组内N个相位位置的序列与当前组序列进行“或”操作，得到N组组合序列；对N组组合序列分别计算与组序列的时延，得到N组时延，并将N组时延按大小排序；得到最小的一组时延，所述最小的一组时延对应的相位位置即为最优相位；主节点将最优相位分配给从节点，组序列更新为当前组序列与从节点的序列“或”操作后得到的序列。本发明选取相位差的最优组合，降低现有其他邻居发现策略的发现时延。
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公开(公告)号：CN101705301B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200910237228.1
申请日：2009-11-05
Applicant: 北京大学第一医院
Abstract: 本发明公开了一种鉴定致病性曲霉的专用探针与基因芯片。本发明提供的鉴定致病性曲霉专用探针，由如下20个DNA片段中的至少一个组成：核苷酸序列分别是序列表的序列1至序列10的10个DNA片段和核苷酸序列分别是序列表的序列1至序列10的反向互补序列的10个DNA片段。本发明还提供了含有所述专用探针的用于鉴定致病性曲霉的DNA芯片。所述专用探针、DNA芯片或装置均可应用于鉴定致病性曲霉。本发明中将种特异性探针包被在低密度基因芯片膜上，然后将待测致病性曲霉的rDNA的ITS区通过基于导流杂交技术的检测平台，与低密度基因芯片膜上的种特异性探针进行导流杂交并显色，从而最终鉴定出待测致病性曲霉。本发明具有特异性强、快速的特点，可以在检测临床标本中的常见致病性曲霉，以及进行致病性曲霉菌种鉴定时发挥快速、特异的积极作用。
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公开(公告)号：CN102087648B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200910242055.2
申请日：2009-12-03
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 北京方正电子政务信息科技有限公司 , 北京北大方正电子有限公司
IPC: G06F17/30
Abstract: 本发明公开了一种新闻评论页面的爬取方法及系统，属于信息检索和数据集成技术领域。该方法及系统首先从新闻网站起始页面出发，对页面进行广度遍历，在遍历过程中获取满足深度限制的页面信息；然后计算页面的特征值，根据特征值和预设阈值之间的大小关系，从页面中识别出新闻评论页面；最后获取新闻评论页面的翻页链接，并根据翻页链接获取其他新闻评论页面。本发明所述方法及系统，能够从新闻网站的网页中自动爬取出新闻评论页面，而且爬取的速度快，爬取的新闻评论页面全面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101996190B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910090455.6
申请日：2009-08-12
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 北京方正电子政务信息科技有限公司
IPC: G06F17/30
Abstract: 本发明公开了一种从网页中抽取信息的方法及装置，用以解决现有技术中不能从非结构化格式的网页中获取准确的信息问题。该方法包括：查找网页中的每种信息属性，获取每种信息属性对应的信息属性候选集，根据保存的信息属性间的位置关系与布局关系概率的对应关系，查找至少两种信息属性间的至少一个最大布局关系概率，并确定查找到的最大布局关系概率对应的位置关系，从所述至少两种信息属性对应的信息属性候选集中，抽取满足所述位置关系的信息属性组合。
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公开(公告)号：CN102117289A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910244539.0
申请日：2009-12-30
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 北京方正电子政务信息科技有限公司 , 北京北大方正电子有限公司
IPC: G06F17/30
Abstract: 本发明公开了一种从网页中抽取评论内容的方法和装置，涉及信息处理技术，通过建立评论页面的DOM树，并选择符合评论区抽取规则的子树抽取出评论区，再利用评论记录间的结构相似性，抽取出评论区中的评论记录，利用包含评论内容的子树的差异性，选择标准差最大的子树作为包含评论内容的子树，最后选取稳定性最小的一条路径中，稳定性差绝对值最大的相邻节点中的孩子节点作为根节点，这个子树就是要抽取的评论内容。由于利用了评论内容的无结构特性来进行抽取，而不是根据网页的模板进行抽取，所以网页的不同不影响抽取的准确性，并且不需要根据网页的模板进行复杂的配置，并通过计算去除了噪声信息，提高了从网页中抽取评论内容的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN101705301A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910237228.1
申请日：2009-11-05
Applicant: 北京大学第一医院
Abstract: 本发明公开了一种鉴定致病性曲霉的专用探针与基因芯片。本发明提供的鉴定致病性曲霉专用探针，由如下20个DNA片段中的至少一个组成：核苷酸序列分别是序列表的序列1至序列10的10个DNA片段和核苷酸序列分别是序列表的序列1至序列10的反向互补序列的10个DNA片段。本发明还提供了含有所述专用探针的用于鉴定致病性曲霉的DNA芯片。所述专用探针、DNA芯片或装置均可应用于鉴定致病性曲霉。本发明中将种特异性探针包被在低密度基因芯片膜上，然后将待测致病性曲霉的rDNA的ITS区通过基于导流杂交技术的检测平台，与低密度基因芯片膜上的种特异性探针进行导流杂交并显色，从而最终鉴定出待测致病性曲霉。本发明具有特异性强、快速的特点，可以在检测临床标本中的常见致病性曲霉，以及进行致病性曲霉菌种鉴定时发挥快速、特异的积极作用。
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公开(公告)号：CN101190944A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200610160760.4
申请日：2006-12-01
Applicant: 北京诺赛基因组研究中心有限公司 , 北京大学
IPC: C07K14/715 , C12N15/12 , A61K31/7088 , A61K48/00 , A61P35/00 , A61P37/00 , A61P31/00 , C12Q1/68 , G01N33/68 , C07K16/18
Abstract: 本发明公开了一种新的人类分泌性细胞因子NS128，涉及其编码的氨基酸序列或其片段的多核苷酸，含有所述多核苷酸的基因工程载体和宿主细胞。同时，本发明涉及了该细胞因子的氨基酸序列或其片段的多肽及多肽的生产方法，以及抑制该细胞因子表达的小干扰RNA。本发明还涉及含有所述多核苷酸或其药物可接受的盐，或所述多肽或其药物可接受的盐的药物组合物。本发明还涉及了该细胞因子的多核苷酸或多肽或小干扰RNA在制备预防和/或治疗肿瘤、感染、造血功能障碍、自身免疫病等的药物中的应用，尤其是MAPK信号途径相关的肿瘤、炎症及神经系统疾病等，具有临床应用价值。本发明还涉及体外检测所述多核苷酸或多肽的表达水平是否变化的方法。本发明还涉及与所述多肽或其活性片段特异性结合的单克隆或多克隆抗体。
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公开(公告)号：CN119852167A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510015357.5
申请日：2025-01-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种利用Si/SiC复合衬底生长高质量III族氮化物材料的方法，属于半导体技术领域。不同于传统在Si衬底上生长SiC的方法，本发明通过键合形成Si/SiC复合衬底，可以避免因Si衬底上生长SiC而产生的界面态密度较高、失配位错等问题。在Si衬底上制备的多孔硅层提供了非完全紧耦合的键合，有助于释放键合过程中的应力，降低复合衬底翘曲。同时引入的SiC层有利于提高热导和缓冲应力，而且利用单晶α‑Al2O3上沉积PVD‑AlN质量高的优异特性提高外延氮化物的晶体质量，获得高质量的III族氮化物材料。这种能够有效控制应力和降低失配位错生长高质量III族氮化物材料的方法提高了器件的性能和可靠性。
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