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发明公开
一种电致发光器件制备工艺中制备背电极的方法失效

公开(公告)号：CN1486123A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN03156237.X

申请日：2003-09-02

申请人： 北京交通大学

发明人： 邓振波 , 张梦欣 , 梁春军 , 王永生

IPC分类号： H05B33/10 , H05B33/26

摘要： 本发明涉及一种电致发光器件制备工艺中制备背电极的方法。先对光刻好的ITO玻璃基片，进行类似加盖印章式的简单处理，将聚亚胺酯材料印制到已经光刻好的ITO玻璃基片上；形成绝缘隔离柱，备蒸发完各个有机层后蒸发背电极。其步骤：设计背电极的条纹图案；选择高分子材料—聚二甲基硅氧烷，制作条纹图案的图章；利用该图章，将聚亚胺酯材料印制到已经光刻好的ITO玻璃基片上，方向与ITO垂直，厚度约为1－5微米；烘干冷却后，形成与ITO条纹垂直的的沟道——隔离柱；蒸镀其他层；蒸镀背电极材料。该方法的优点是既省略了光刻的复杂工艺，又克服了掩膜法分辨率低，对板(模具)困难的缺点。