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公开(公告)号:CN103795348A
公开(公告)日:2014-05-14
申请号:CN201310665351.X
申请日:2013-12-10
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H03D7/16
Abstract: 一种降低无源混频器噪声的方法和电路,该电路用于无线通信射频前端电路中。射频前端电路一般都包含混频器,无源混频器因为较高的线性度和噪声特性而较多的被采用。但是混频器开关管栅极偏置电压和本振信号幅度对混频器的噪声性能有很大影响。本发明的电路结构可以通过调节无源混频器的偏置电压来实现对其噪声性能的优化。较低噪声的无源混频器将会提高射频前端电路整体噪声性能。
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公开(公告)号:CN102739269A
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201110093529.9
申请日:2011-04-14
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种宽带的无线通信用数字化射频接收机及数字化射频谐波抑制单元,射频信号经过HR Sampling Unit,先滤除输入信号中的高阶干扰成分,然后被采样单元采样,输出的中频信号供后续单元处理,可有效抑制混叠效应干扰,支持宽频带多模多协议接收。由HR Sampling Unit组成的数字化射频接收机,其架构为:接收的射频信号经天线进入LNA,放大后的射频信号被HR Sampling Unit滤波采样,离散的中频信号从HR Sampling Unit输出被DT Filtering单元和IFA滤波放大后,送入到ADC中,产生的数字信号被Digital Signal Process Part处理,完成信号的解调,在整个接收过程中,Clock and Control Unit提供所需的时钟和控制信号。本发明提出的接收机及谐波抑制单元,支持宽频带多模多协议模式,是一种新型的数字化射频接收机。
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公开(公告)号:CN204441278U
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201420491005.4
申请日:2014-08-27
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H01L23/522
Abstract: 本实用新型公开了一种基于深亚微米CMOS工艺的横向MOM电容。这种电容结构兼容于标准CMOS工艺,不需要额外的掩膜层支持,该电容可代替代工厂提供的MIM(Metal-Insulator-Metal)电容,从而避免了使用MIM电容时因增加的额外掩膜层CTM层密度不足造成芯片生产时良率降低的问题。这种电容由多层金属堆叠组成,金属层采用工艺允许的最小宽度,金属层间距采用工艺允许的最小距离,保证在最小的面积内获得最大的电容。
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