公开(公告)号：CN105308668B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201480034262.8

申请日：2014-06-03

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 石崎守

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1244 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/136259 ,  G02F2001/136263 ,  G02F2001/136272 ,  G02F2201/50 ,  G09G3/344 ,  G09G3/3688 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2320/0204 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2330/08 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259

Abstract: 提供能够抑制断线的影响且适于各种短路的修复并能减少修复后的显示差异的薄膜晶体管阵列及其制造方法、图像显示装置及显示方法。该薄膜晶体管阵列具有薄膜晶体管(TFT)而构成，薄膜晶体管的结构为，在形成有栅电极、栅极布线、电容器电极及容器布线的绝缘基板上的与栅电极重叠的区域，经由栅极绝缘膜形成有具有包含半导体图案的间隙的源电极及漏电极，半导体图案被保护层覆盖，该TFT按照每1像素独立地形成有2个，各像素中的2个源电极与2根源极布线分别连接，2个漏电极经由单独的漏极连接电极与该各像素的电极连接，其中，具有将按照每1像素而形成的所述2个TFT的源电极彼此连接的源极连接电极，2根源极布线被施加相同的驱动波形。

公开(公告)号：CN105308668A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480034262.8

申请日：2014-06-03

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 石崎守

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1244 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/136259 ,  G02F2001/136263 ,  G02F2001/136272 ,  G02F2201/50 ,  G09G3/344 ,  G09G3/3688 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2320/0204 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2330/08 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259

Abstract: 提供能够抑制断线的影响且适于各种短路的修复并能减少修复后的显示差异的薄膜晶体管阵列及其制造方法、图像显示装置及显示方法。该薄膜晶体管阵列具有薄膜晶体管(TFT)而构成，薄膜晶体管的结构为，在形成有栅电极、栅极布线、电容器电极及容器布线的绝缘基板上的与栅电极重叠的区域，经由栅极绝缘膜形成有具有包含半导体图案的间隙的源电极及漏电极，半导体图案被保护层覆盖，该TFT按照每1像素独立地形成有2个，各像素中的2个源电极与2根源极布线分别连接，2个漏电极经由单独的漏极连接电极与该各像素的电极连接，其中，具有将按照每1像素而形成的所述2个TFT的源电极彼此连接的源极连接电极，2根源极布线被施加相同的驱动波形。

公开(公告)号：CN105051908A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480017046.2

申请日：2014-03-07

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 石崎守

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明提供栅极-源极间容量或源极-像素间容量小、不易劣化且缺陷少的薄膜晶体管阵列。本发明的薄膜晶体管阵列在绝缘基板上具有栅电极、栅极配线、电容器电极、电容器配线、栅绝缘膜、以及在俯视下在与栅电极重叠的区域内具有彼此的间隙的源电极及漏电极，至少在所述间隙中具有半导体图案，所述薄膜晶体管阵列具有源极配线、连接于漏电极并在俯视下与电容器电极重叠的像素电极和覆盖在半导体图案上的保护层，其中，在俯视下，漏电极为1根等宽的线状，源电极是线状且是距离漏电极隔着一定间隔将漏电极包围的护套形状，源极配线按照将多个源电极间连接的方式形成并且比下述区域的宽度细，所述区域是将半导体图案中位于所述间隙的部分沿着垂直于栅极配线延伸方向的方向延长的区域。

公开(公告)号：CN104737284A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380050481.0

申请日：2013-08-29

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 石崎守 ,  八田薰

IPC: H01L21/768 ,  G09F9/30 ,  H01L21/822 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1292 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/788 ,  H01L2224/11

Abstract: 层叠构造体在绝缘基板上具有第1电极层，在第1电极层上具有第1绝缘膜，在第1绝缘膜上具有第2电极层，在第2电极层上具有第2绝缘膜，在第2绝缘膜上具有第3电极层，该层叠构造体具有对第1电极层和第2电极层进行连接的部分，该部分是第1电极层、第1绝缘膜的开口、第2电极层、第2绝缘膜的开口以及第3电极层的层叠构造，在第2绝缘膜的开口内，第3电极层对第1电极层、与第1绝缘膜上的第2电极层的连接进行中继或加强。