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公开(公告)号：CN109216151B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201810932686.6
申请日：2018-08-16
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明提供一种内置天线式高频离子源装置。该装置包括进气端子、天线、磁场线包、磁体、引出件、第一导磁固定板、第二导磁固定板、第三固定板、放电腔；其中，该进气端子连接第三固定板上，该天线套在第三固定板上，且放置在放电腔内；该放电腔的前端套设有第一导磁固定板；该第一导磁固定板和第二导磁固定板的相应位置镶嵌有磁体；贴着该第一导磁固定板缠绕磁性线包；该磁性线包的另一侧设置第二导磁固定板，该第二导磁固定板内设有引出件。本发明装置克服了高频信号对电源和控制系统的干扰，并保证较高单原子离子比。
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公开(公告)号：CN112821786B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110153318.3
申请日：2021-02-04
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明提供了一种紧凑型负高压直流电源，涉及高压电源技术领域。该装置包括接地外壳体及接地外壳体内设置的C‑W倍压塔、中频变压器、高压测量端、高压引出端，接地外壳体顶部可拆卸的安装有顶盖，顶盖上设有中频输入端子，中频输入端子、中频变压器、C‑W倍压塔、高压引出端依次电连接，C‑W倍压塔与高压测量端电连接。本发明确保了实现电源结构紧凑的同时，避免出现不因有限空间局部电场过强而打火放电等电源不稳定因素；结构简单明了，可实现模块化制作；采用中频变压器有效减小了变压器体积，可实现负高压在零负到负180千伏范围内调节，调节范围宽，应用范围广。
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公开(公告)号：CN112841026A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110169674.4
申请日：2021-02-07
Applicant: 兰州大学
IPC: A01H1/06
Abstract: 本发明公开了一种基于紧凑型D‑D中子发生器的植物种子中子辐照剂量分配装置，该装置包括侧反射体和若干种子放置层板，所述侧反射体为一端开口的框架结构，所述种子放置层板卡接于侧反射体内，相邻两个种子放置层板和侧反射体之间的区域构成中子辐照区。中子辐照区可一次容纳数量较多的种子，且种子放置层板在竖直方向均匀地上下分布，所放置种子的中子吸收剂量呈一个均匀的梯度出现，对放置种子的每一个位置都进行编号后，可以通过蒙特卡洛模拟技术得出每一个种子所吸收的中子剂量，扩大了紧凑型D‑D中子发生器在中子辐射生物研究和辐照诱变育种中的应用范围，同时可以为中子辐射生物研究和辐照诱变育种提供依据。
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公开(公告)号：CN112821786A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110153318.3
申请日：2021-02-04
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明提供了一种紧凑型负高压直流电源，涉及高压电源技术领域。该装置包括接地外壳体及接地外壳体内设置的C‑W倍压塔、中频变压器、高压测量端、高压引出端，接地外壳体顶部可拆卸的安装有顶盖，顶盖上设有中频输入端子，中频输入端子、中频变压器、C‑W倍压塔、高压引出端依次电连接，C‑W倍压塔与高压测量端电连接。本发明确保了实现电源结构紧凑的同时，避免出现不因有限空间局部电场过强而打火放电等电源不稳定因素；结构简单明了，可实现模块化制作；采用中频变压器有效减小了变压器体积，可实现负高压在零负到负180千伏范围内调节，调节范围宽，应用范围广。
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公开(公告)号：CN109831868B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910114085.9
申请日：2019-02-14
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种一体化小型氘氘中子发生器，该发生器的圆筒状陶瓷外壳内设置半球状金属头部，金属头部内设置离子源和离子源电源；金属头部的金属板与发生器底板之间设置内外两层陶瓷绝缘筒，两层陶瓷绝缘筒之间设置隔离供电系统和高压电源，内陶瓷绝缘筒内设置的引出加速电极的后端伸出发生器后与底板外设置的靶托连接，靶托内设置靶，靶位于地电位，靶托设冷却水接口。本发明中靶处于地电位，可以利用0度方向出射的氘氘快中子，降低样品和靶点的距离，提高样品面上的中子通量，冷却系统简单；且高压输出端直接与中子发生器连接，不需要对中子发生器进行馈电，提高了氘束流的能量，进一步提高了中子发生器的中子产额，一体化程度高，移动方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110044940A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910208952.5
申请日：2019-03-19
Applicant: 兰州大学
IPC: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种氘氘中子伴随氦三粒子成像装置，包括中子发生器、3He粒子位置探测器、γ能谱探测器和数据处理系统，中子发生器包括氘离子源、引出电极和氘靶；3He粒子位置探测器包括探测头和第一数据获取处理系统，探测头设置于发生器外壳中，探测头与氘靶之间设置有粒子透射窗；γ能谱探测器包括γ射线探头和第二数据获取处理系统，γ射线探头与氘靶之间放置样品，第一数据获取处理系统和第二数据获取处理系统均与数据处理系统电性连接。本发明采用氘靶，氘氘反应产生快中子和伴随3He粒子，通过伴随3He粒子成像可获得被检测样品的元素成分和分布信息，且氘靶无放射性，制备简单，便于运输，价格低廉，大大降低了伴随粒子成像设备的运行和维护成本。
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公开(公告)号：CN109164479A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811021295.5
申请日：2018-09-03
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种用于裂变碎片物理测量的双屏栅气体探测器，该探测器包括两端开口、内部中空的筒体，该筒体两端开口分别通过上底板、下底板对接封口，所述筒体侧壁上设有电离气体进气口、出气口，且在上底板至下底板方向上，所述筒体内依次设有第一阳极板、第一栅极圈、阴极板、第二栅极圈、第二阳极板；所述阴极板中心处设为用于盛放待裂变的阴极靶材料位置，该位置与所述上底板上所设的中子入射窗正对。本发明探测器避免了传统测量技术化学处理和分步测量带来的误差，具有耐辐射损伤、可测量初始裂变碎片信息等优点，探测器分辨率将小于1原子质量单位，能够更为准确、完整地测量裂变碎片的质量分布信息和裂变碎片的动能分布信息。
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公开(公告)号：CN105407621B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510775032.3
申请日：2015-11-13
Applicant: 兰州大学
IPC: H05H3/06
Abstract: 本发明公开一种适用于中子活化分析或中子照相的紧凑型D‑D发生器。本发明包括：真空腔体、离子源系统、束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统及真空泵系统，其中由离子源产生的离子束流被引出、加速并与靶系统上的氘靶发生D‑D聚变核反应放出中子，其真空腔体的两端分别用离子源阳极法兰和第二法兰与离子源系统和束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统实现联接，真空腔体与离子源阳极法兰和高压馈入系统法兰间通过“O”型圈实现密封，所述的离子源为双等离子源，其内通有D气体。本发明中子产额可大于1×108 s‑1量级，并可以很方便地更换离子源或靶片等系统及其它的内设部件，同时大大降低了使用的成本。
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公开(公告)号：CN107455128A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710741926.X
申请日：2017-08-25
Applicant: 兰州大学
CPC classification number: A01G13/0206 , A01G7/06 , A01G22/00
Abstract: 本发明公开了一种用于豌豆MZ-1增产的遮阳去顶方法，该方法包括豌豆MZ-1所受光照强度控制方法和对豌豆MZ-1进行去顶处理的技术方法，豌豆MZ-1所受光照强度控制方法的遮阳处理方法，一方面能够减小太阳光的光照强度使豌豆MZ-1生长在较为合适的光照强度下从而促进其生长发育和成苗，另一方面还能够减少地表水分的蒸发，该豌豆MZ-1所种植的半干旱地区雨水不足，尤其是春天播种季节更是雨水匮乏，遮阳处理方法减少了地表水分的蒸发起到了保墒的作用，不仅可以促进豌豆的生长和发育还能够减少人工浇灌的次数节省了人力和水资源。对豌豆MZ-1进行的去顶处理方法是通过人为的方法解除豌豆的顶端优势，使豌豆的腋芽快速生长，进而产生分枝提高豌豆的生物量和产量。
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公开(公告)号：CN107422363A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710741913.2
申请日：2017-08-25
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种用于植物种子中子辐照的252Cf源剂量分配辐照装置，主要包括圆筒形屏蔽体、空气通道、252Cf中子源和样品辐照区，252Cf中子源中子产额高符合中子辐照植物种子的要求，同时以252Cf中子源为球心，设置三个半径依次增大的半球区域作为样品辐照区。本发明能够按梯度辐照出任何中子吸收剂量的种子，且每梯度种子的吸收剂量具有很好的均匀性，所设三个252Cf中子源剂量分配半球区域的植物种子吸收剂量不用经过繁琐的测量和计算而直接给出，具有标准化剂量分配的特点，达到了豆类植物种子中子辐照的大部分科学研究的需要，也可应用于其它种类植物种子的辐照，还可以用于中子辐射农业生产和诱变育种。
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