信号采集方法、装置及系统

    公开(公告)号:CN107861412A

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201710891087.X

    申请日:2017-09-27

    IPC分类号: G05B19/042

    摘要: 本发明涉及数据采集技术领域,提供一种信号采集方法、装置及系统。其中,方法包括以下步骤:获取若干第一信号和同步信号;根据所述同步信号对所述若干第一信号进行处理以得到若干处理后的第一信号;向上位机发送若干处理后的第一信号;接收上位机反馈的若干定标后的第一信号。本发明通过同步信号实现若干第一信号采集的同步,达到在同一点的计算中用到的不同路的第一信号都是同一采集点的值的目的,保证了装置整体实时性和可靠性;此外,通过上位机实现定标,从而避免了在后续信号处理装置中进行定标,减少了对后续信号处理装置的资源占用,使其主要集中于自身功能的实现,同时,降低了后续处理装置与信号采集装置的耦合度,便于代码移植。

    一种SiC MOSFET仿真建模方法及系统
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114564906A

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202210173729.3

    申请日:2022-02-24

    IPC分类号: G06F30/367 G06F111/10

    摘要: 本发明公开了一种SiC MOSFET仿真建模方法及系统,方法包括:采用等效电路建模方法构建SiC MOSFET器件的动静态模型原理图;根据测试数据中的转移特性和输出特性,对压控电流源参数进行拟合提取;根据测试数据中电容‑漏源电压特性,对电容参数进行拟合提取;根据测试数据中体二极管特性,对体二极管参数进行拟合提取;对进行参数拟合提取后的动静态模型进行仿真测试,并根据仿真测试结果,判断当前模型拟合度是否符合要求,若不符合要求,则返回“根据器件测试数据中的转移特性和输出特性,对压控电流源参数进行拟合提取”的步骤,直至仿真测试结果符合要求为止,从而针对SiC MOSFET特性构建较为准确的仿真模型,来描述器件物理特性,指导高压SiC MOSFET在工程中的应用。