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公开(公告)号：CN115175769B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202180016328.0
申请日：2021-02-18
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 高知县公立大学法人
IPC: B05B17/06 , H01L21/365 , H01L21/368 , C23C16/455
Abstract: 本发明是一种成膜用雾化装置，其具有：原料容器，其容纳原料溶液；筒状部件，其在空间上连接所述原料容器的内部与外部，且设置为其下端在所述原料容器内不与所述原料溶液的液面接触；超声波发生器，其具有一个以上的照射超声波的超声波发生源；以及液槽，其使所述超声波经由中间液传播至所述原料溶液，其中，所述超声波发生源位于所述液槽的外侧，所述超声波发生源的中心位于所述原料容器的侧壁的内侧的延长所形成的面与所述筒状部件的侧壁的外侧的延长所形成的面之间，当将所述超声波发生源的超声波射出面的中心线设定为u时，以所述中心线u不与所述筒状部件的侧壁相交的方式设置超声波发生源。由此，提供一种能够形成抑制了颗粒附着的高品质的薄膜的成膜用雾化装置。
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公开(公告)号：CN115038825B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202080095445.6
申请日：2020-12-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/16 , C23C16/01 , C23C16/40 , C23C16/56 , C30B25/18 , C30B33/00 , H01L21/365 , H01L21/368
Abstract: 本发明提供一种结晶性氧化物半导体膜的制造方法，该方法包括以下工序：在衬底上层叠结晶性氧化物半导体层及光吸收层，通过对该光吸收层照射光，使所述光吸收层分解，将所述结晶性氧化物半导体层与所述衬底分离，由此制造结晶性氧化物半导体膜的工序。由此，本发明提供一种能够有利于工业上制造结晶性氧化物半导体膜、例如能够用于半导体装置(特别是纵向型的元件)的结晶性氧化物半导体膜的方法。
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公开(公告)号：CN115210002B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202180016302.6
申请日：2021-02-18
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 高知县公立大学法人
IPC: B05B17/06 , H01L21/365 , H01L21/368 , C23C16/455
Abstract: 本发明是一种成膜用雾化装置，其具有：原料容器，其容纳原料溶液；筒状部件，其在空间上连接所述原料容器的内部与外部，且设置为其下端在所述原料容器内不与所述原料溶液的液面接触；超声波发生器，其具有一个以上的照射超声波的超声波发生源；以及液槽，其使所述超声波经由中间液传播至所述原料溶液，其中，将所述超声波发生源的超声波射出面的中心线设定为u，以所述中心线u与包含所述筒状部件的侧壁面的延长的、所述筒状部件的侧壁面所形成的面的交点P比所述筒状部件的下端点B靠下的方式设置超声波发生源。由此，提供一种能够形成抑制了颗粒附着的高品质的薄膜的成膜用雾化装置。
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公开(公告)号：CN117286470A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311241949.6
申请日：2019-06-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/52
Abstract: 本发明为一种成膜方法，其是在成膜部对雾进行热处理而进行成膜的成膜方法，其包括：在雾化部将原料溶液雾化而产生雾的工序；经由连接所述雾化部和所述成膜部的输送部，通过载气将所述雾从所述雾化部输送至所述成膜部的工序；以及，在所述成膜部对所述雾进行热处理，从而在基体上进行成膜的工序，当将所述载气的流量设为Q(L/分)、将所述载气的温度设为T(℃)时，以7＜T+Q＜67的方式对所述载气的流量和所述载气的温度进行控制。由此可以提供一种成膜速度优异的成膜方法。
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公开(公告)号：CN116888300A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280016546.9
申请日：2022-02-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 桥上洋
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明是一种制膜方法，其特征在于，在基体上进行制膜的步骤与利用排气单元排气的步骤中，在基体上以隔着空间与基体相向的方式配置通道板，形成在基体上的空间中混合气以沿着基体的主表面的至少一部分的方式从混合气供给单元朝向排气单元线性流动的混合气流，以遮挡混合气流偏离从混合气供给单元朝向排气单元的方向的方式在通道板的一部分和/或载台的一部分形成凸部，以形成比通道板与基体之间的空间中的最短距离d1小的宽度d2的空隙的方式配置通道板与凸部，进行制膜及排气。由此，可提供一种能够以高生产性制造表面缺陷或异物的附着显著减少的高品质的膜的制膜方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110121788B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201680090735.5
申请日：2016-11-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L21/324 , H01L31/18 , H01L31/02 , H01L21/67 , C30B35/00
Abstract: 本发明为一种太阳能电池的制造方法，其是使用单结晶硅基板制造单结晶硅太阳能电池的太阳能电池的制造方法，并且包含将单结晶硅基板在800℃以上1200℃以下热处理的高温热处理步骤，该高温热处理步骤具有：将单结晶硅基板装填至热处理装置的搬运步骤；将单结晶硅基板加热的加热步骤；将单结晶硅基板保持在800℃以上1200℃以下的既定温度的保温步骤；及将单结晶硅基板冷却的冷却步骤，在高温热处理步骤之中，将通过搬运步骤及加热步骤使单结晶硅基板的温度成为400℃以上650℃以下的时间定为5分钟以内。由此可提供一种太阳能电池的制造方法，可制造出光电转换效率高、基板面内特性均匀的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN115838922A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211120925.0
申请日：2022-09-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/46
Abstract: 本发明是一种成膜方法、成膜装置、结晶性氧化物膜及其应用，所述成膜方法在基板上通过喷雾CVD法来使以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜成膜，其包括下述工序：对基板进行加热；对供给包含原料溶液的喷雾的喷嘴进行加热；以及以经加热的喷嘴的喷出方向相对于基板的表面成为垂直方向的方式来将喷雾供给至经加热的基板上，以进行结晶性氧化物膜的成膜，在对喷嘴进行加热的工序中，在基板不存在于喷嘴的喷出方向的状态下进行喷嘴的加热，在进行结晶性氧化物膜的成膜的工序中，在基板存在于喷嘴的喷出方向的状态下进行成膜。由此，提供一种结晶性优异，即便为大面积且薄的膜厚，面内的膜厚分布也良好的以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜。
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公开(公告)号：CN109844960B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201680089834.1
申请日：2016-10-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种太阳能电池的制造方法，其特征是具有：准备在至少一方的主表面上具有通过烧成电极前驱体而形成的电极、具有PN结的未满100℃的半导体硅基板的步骤，与将前述半导体硅基板在100℃以上450℃以下进行退火处理的步骤。由此，提供一种可以抑制只在室温·大气中放置着就使太阳能电池的输出降低这种劣化现象的制造太阳能电池的方法。
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公开(公告)号：CN114555872A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080073090.0
申请日：2020-07-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 桥上洋
IPC: C30B29/16 , C30B25/02 , C23C16/448 , C01G15/00
Abstract: 本发明为一种镓前驱体的制备方法，其为制备镓前驱体的方法，其包括：准备由包含酸和/或碱的水溶液构成的溶剂的步骤、将镓浸渍于所述溶剂的步骤、将浸渍于所述溶剂的所述镓微细化的步骤、及将所述微细化后的所述镓溶解的步骤。由此，可提供高品质且生产率高的镓前驱体的制备方法。
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公开(公告)号：CN113243043A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201980082989.6
申请日：2019-11-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/365 , H01L21/368 , C23C16/455
Abstract: 本发明为一种层叠体，其包含晶体基板与半导体膜，所述半导体膜设置在该晶体基板的主表面上，且含有掺杂剂并包含具有刚玉结构的氧化物半导体作为主要成分，所述氧化物半导体中所包含的Si浓度为5.0×1020cm‑3以下，所述半导体膜的电阻率为150mΩ·cm以下。由此，可提供一种层叠体，该层叠体包含适于半导体器件用途的低电阻的具有刚玉结构的半导体。
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