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公开(公告)号：CN101263605A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200680033996.X
申请日：2006-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/26 , H01L29/78 , H01L29/7869
Abstract: 这里公开了一种包括由包括In和Zn的氧化物半导体材料构成的沟道的场效应晶体管。通过In/(In+Zn)表达的原子组成比率不少于35原子％并且不多于55原子％。Ga不包括在氧化物半导体材料中，或者当Ga包括在其中时，将通过Ga/(In+Zn+Ga)表达的原子组成比率设置为30原子％或更低。所述晶体管具有改进的S值和场效应迁移率。
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公开(公告)号：CN101933150B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200980103882.1
申请日：2009-01-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/086
Abstract: 薄膜晶体管包括在衬底上形成的栅电极、栅极绝缘层、沟道层、源电极和漏电极，其中：该沟道层含有铟、锗和氧；并且该沟道层具有0.5-0.97的由In/(In+Ge)表示的组成比。
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公开(公告)号：CN101796644B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200880105254.2
申请日：2008-08-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/086 , H01L29/78606
Abstract: 提供一种场效应晶体管，该场效应晶体管包含栅电极(15)、源电极(13)、漏电极(14)和沟道层(11)，以通过向栅电极(15)施加电压控制在源电极(13)和漏电极(14)之间流动的电流。沟道层(11)由包含In和Si并且具有不小于0.05且不大于0.40的由Si/(In+Si)表示的成分比的非晶氧化物构成。
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公开(公告)号：CN101926008B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200980103002.0
申请日：2009-01-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 一种场效应晶体管，至少包括形成在基板上的沟道层、栅绝缘层、源极电极、漏极电极、以及栅极电极。所述沟道层以至少包含In和B的非晶氧化物材料制成，所述非晶氧化物材料具有等于或大于0.05并且等于或小于0.29的元素比率B/(In+B)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101897030B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200880120014.X
申请日：2008-12-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/086
Abstract: 一种场效应晶体管至少包括沟道层、栅绝缘层、源极电极、漏极电极和栅极电极。沟道层由至少包含In和Mg的非晶氧化物材料形成，非晶氧化物材料的通过Mg/(In+Mg)表达的元素比为大于等于0.1且小于等于0.48。
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公开(公告)号：CN102394248A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110374817.1
申请日：2008-12-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/086
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管和显示器。所述场效应晶体管至少包括沟道层、栅绝缘层、源极电极、漏极电极和栅极电极。所述沟道层由包含In和Al的非晶氧化物材料In-Al-O形成。所述非晶氧化物材料的通过Al/(In+Al)表达的元素比为大于等于0.15且小于等于0.45。
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公开(公告)号：CN101897030A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880120014.X
申请日：2008-12-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/086
Abstract: 一种场效应晶体管至少包括沟道层、栅绝缘层、源极电极、漏极电极和栅极电极。沟道层由至少包含In和Mg的非晶氧化物材料形成，非晶氧化物材料的通过Mg/(In+Mg)表达的元素比为大于等于0.1且小于等于0.48。
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公开(公告)号：CN101796644A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200880105254.2
申请日：2008-08-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/086 , H01L29/78606
Abstract: 提供一种场效应晶体管，该场效应晶体管包含栅电极(15)、源电极(13)、漏电极(14)和沟道层(11)，以通过向栅电极(15)施加电压控制在源电极(13)和漏电极(14)之间流动的电流。沟道层(11)由包含In和Si并且具有不小于0.05且不大于0.40的由Si/(In+Si)表示的成分比的非晶氧化物构成。
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公开(公告)号：CN101681922A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880017454.2
申请日：2008-05-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/24 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/247
Abstract: 在场效应晶体管中，该场效应晶体管的沟道层包括无定形氧化物，该无定形氧化物包括In、Zn、N和O，该无定形氧化物中的N对N和O的原子组成比(N/(N+O))大于或等于0.01原子百分比并且小于或等于3原子百分比，并且该无定形氧化物不包括Ga，或者，在该无定形氧化物包括Ga的情况下，该无定形氧化物中包含的Ga原子的数量小于N原子的数量。
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