软磁材料及其制造方法
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1846282A

    公开(公告)日:2006-10-11

    申请号:CN200480025353.1

    申请日:2004-09-03

    CPC classification number: B22F1/02 H01F41/0246

    Abstract: 公开的是一种具有最佳电阻率的软磁材料和用于制造这样的软磁材料的方法。所述软磁材料包含多个复合磁性粒子(30)。每个复合磁性粒子(30)包含金属磁性粒子(10)和绝缘涂膜(20),所述绝缘涂膜(20)覆盖所述金属磁性粒子(10)表面,并且含有由氧化铝、氧化锆和氧化硅而成的组中选择的至少一种物质。所述软磁材料的电阻率不小于3,000μΩcm且不大于50,000μΩcm,并且磁导率μ不小于2,000且不大于4,000。制造这样的软磁材料的方法包括通过将多个复合磁性粒子(30)压缩而压制压坯的步骤,以及在不低于400℃且不高于900℃的温度对所述的压坯进行第一次热处理的步骤。

    电抗器
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102576599A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201180004139.8

    申请日:2011-05-27

    CPC classification number: H01F37/00 H01F2003/106 H01F2017/048

    Abstract: 本发明披露电抗器(1A),包括:线圈(10),其通过缠绕导线形成;以及磁芯(20),其借助两个芯体形成闭合磁路,这两个芯体即插入上述线圈中的内部芯体(21)以及与所述内部芯体(21)的端部相连且将所述线圈(10)的外周覆盖的连接芯体(23)。在线圈(10)与内部芯体(21)之间设置有插入芯体(25),并且通过满足0<S2/S1<0.15并且满足B1>B2以及B1>B3,可以在减少损耗的同时将披露的电抗器小型化,其中,S1为线圈(10)内侧的面积,S2为插入芯体(25)的横截面积,B1为内部芯体(21)的饱和磁通密度,B2为连接芯体(23)的饱和磁通密度,B3为插入芯体(25)的饱和磁通密度。

    软磁材料及其制造方法
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1846283A

    公开(公告)日:2006-10-11

    申请号:CN200480025439.4

    申请日:2004-09-03

    CPC classification number: H01F1/24

    Abstract: 一种制造软磁材料的方法包括:其中将多个复合磁性粒子(30),每个复合磁性粒子(30)由金属磁性粒子(10)和覆盖所述金属磁性粒子(10)表面的绝缘涂膜(20)组成,形成压坯的步骤,和其中在不小于400℃并且不大于900℃的温度热处理所述的压坯的另一步骤。所述绝缘涂膜(20)含有由硫、硒、钛和铝而成的组中选择的至少一种元素。通过具有这样的构造,得到的软磁材料可以具有所需的磁性。

    单元框架、单元组和氧化还原液流电池

    公开(公告)号:CN110268566A

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201780084923.1

    申请日:2017-07-27

    Abstract: 提供了一种包括双极板和框架本体的单元框架,该单元框架还包括:连接到入口狭缝并在单元框架的宽度方向上延伸的引入侧流动控制沟;连接到出口狭缝并在宽度方向上延伸的排放侧流动控制沟;和使引入侧流动控制沟部和排放侧流动控制沟部相互连通的扩散沟单元。扩散沟单元包括:引入侧纵向沟,其从引入侧流动控制沟分支,朝向排放侧流动控制沟延伸,并且不与排放侧流动控制沟直接连通;排放侧纵向沟,其从排放侧流动控制沟分支,朝向引入侧流动控制沟延伸,并且不与引入侧流动控制沟直接连通;和与引入侧纵向沟和排放侧纵向沟连通的一个或多个横向沟。

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