公开(公告)号：CN116377407B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310369719.1

申请日：2023-04-03

Applicant: 之江实验室

Inventor： 杨丽慧 ,  张晓航 ,  宋艳汝 ,  段然 ,  赵志峰 ,  李菂 ,  余诗玲 ,  冯毅

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01B12/06 ,  B82Y15/00 ,  G01K7/00

Abstract: 本发明公开了一种低应力NbN超导薄膜及其制备方法和应用，包括以下步骤：提供金属Nb靶材和Si基衬底，固定Si基衬底温度为室温，并在室温条件下，调节N2和Ar质量流量比为20％～50％，溅射功率为50W～400W，沉积气压为3.0mTorr～10.0mTorr，在Si基衬底上沉积得到应力范围为‑500MPa～500MPa、厚度为70～150nm的NbN超导薄膜。通过对N2和Ar质量流量比、溅射功率以及沉积气压这三个参数的协同控制，即可以简单高效制备得到低应力NbN超导薄膜，制备得到的NbN超导薄膜应力范围满足超导动态电感探测器的制备需求，可批量工业化生产。

公开(公告)号：CN116377407A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310369719.1

申请日：2023-04-03

Applicant: 之江实验室

Inventor： 杨丽慧 ,  张晓航 ,  宋艳汝 ,  段然 ,  赵志峰 ,  李菂 ,  余诗玲 ,  冯毅

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01B12/06 ,  B82Y15/00 ,  G01K7/00

Abstract: 本发明公开了一种低应力NbN超导薄膜及其制备方法和应用，包括以下步骤：提供金属Nb靶材和Si基衬底，固定Si基衬底温度为室温，并在室温条件下，调节N2和Ar质量流量比为20％～50％，溅射功率为50W～400W，沉积气压为3.0mTorr～10.0mTorr，在Si基衬底上沉积得到应力范围为‑500MPa～500MPa、厚度为70～150nm的NbN超导薄膜。通过对N2和Ar质量流量比、溅射功率以及沉积气压这三个参数的协同控制，即可以简单高效制备得到低应力NbN超导薄膜，制备得到的NbN超导薄膜应力范围满足超导动态电感探测器的制备需求，可批量工业化生产。

公开(公告)号：CN308663929S

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202330536538.4

申请日：2023-08-21

Applicant: 之江实验室

Designer： 康至煊 ,  胡静静 ,  徐佳莹 ,  王晗 ,  郭雪蓉 ,  陈华曦 ,  冯毅 ,  李菂

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：带数据展示图形用户界面的电子设备。
2.本外观设计产品的用途：用于电子设备。
3.本外观设计产品的设计要点：在于产品屏幕中的图形用户界面内容。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1主视图。
5.指定设计1为基本设计。
6.图形用户界面的用途：界面用于电子设备。
本设计的图形用户界面用于展示快速射电暴分析数据。
7.图形用户界面的变化状态说明：设计1‑设计4主视图为快速射电暴分析数据展示界面静态图。
其中，设计1主视图展示界面的上方设有菜单栏，展示界面的左侧和右侧设有快速射电暴数据统计分析栏，展示界面的中部可用于展示快速射电暴分布的时域特征。
可通过点击菜单栏的任意位置进行跳转；设计2主视图展示界面的中部展示快速射电暴数据的分布状况，可通过点击中部区域的任意位置进行缩放；设计3主视图展示界面的左侧用于展示快速射电暴分布的时域特征，右侧用于展示快速射电暴分布的信息特征，可通过点击中部窗口进行缩放，缩放中部窗口，得到设计3变化状态图1；设计4主视图展示界面的左侧用于展示快速射电暴分布的时域特征，右侧用于展示快速射电暴分布的信息特征，可通过点击中部窗口进行缩放，缩放中部窗口，得到设计4变化状态图1。
设计5为快速射电暴分析数据展示界面动态变化图；其中，通过点击设计5主视图中菜单栏【Data Availability】可跳转至设计5变化状态图1。