干式蚀刻方法
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107924837B

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN201680044981.7

    申请日:2016-07-01

    Abstract: 本发明的干式蚀刻方法的特征在于:其是对形成在基板上的硅氧化物层与硅氮化物层的积层膜,隔着形成在所述积层膜上的掩模,进行使干式蚀刻剂等离子体化并施加500V以上的偏压电压的蚀刻,从而对该层形成垂直方向的贯通孔的方法,并且所述干式蚀刻剂至少包含C3H2F4、CxFy所表示的不饱和全氟碳及氧化性气体,且所述干式蚀刻剂中所含的所述不饱和全氟碳的体积为所述干式蚀刻剂中所含的所述C3H2F4的体积的0.1~10倍的范围。通过该干式蚀刻方法,可以将SiOx的蚀刻速度相对于SiN的蚀刻速度的比(SiN/SiOx比)任意地控制在0.90~1.5之间,并且也可以对掩模实现高蚀刻选择性。

    硅氧化物的蚀刻方法和蚀刻装置
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112534550A

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:CN201980051482.4

    申请日:2019-09-02

    Abstract: 本发明的目的在于,提供:不使用等离子体也能在200℃以下的低温下以充分的速度对硅氧化物进行蚀刻而不产生残渣的方法。本发明为一种硅氧化物的干蚀刻方法,其特征在于,使硅氧化物与气体的氟化氢和气体的有机胺化合物、和/或气体的有机胺化合物的氟化氢盐在不伴随等离子体状态下进行反应。

    六氟化钨的制造方法
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112533873A

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:CN201980052339.7

    申请日:2019-07-12

    Abstract: 本发明的一实施方式的六氟化钨的制造方法包括如下工序:第1工序,使具有氧化覆膜的钨、与氟气或非活性气体在反应器内接触,得到去除了氧化覆膜的钨,所述氟气或非活性气体包含50体积ppm以上且50体积%以下的氟化氢;及第2工序,使第1工序中去除了氧化覆膜的钨、与含氟气体接触而得到六氟化钨。

    氟气生成装置
    29.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102762772A

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201080054728.2

    申请日:2010-11-25

    CPC classification number: C25B1/245

    Abstract: 本发明涉及通过将熔融盐中的氟化氢电解从而生成氟气的氟气生成装置,其包括:电解槽,其在熔融盐液面上隔离、划分为第1气室和第2气室,在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气为主成分的主产气体被导入该第1气室,在浸渍于熔融盐的阴极处生成的以氢气为主成分的副产气体被导入该第2气室;氟化氢供给源,其积存有用于补充到电解槽中的氟化氢;精制装置,其捕集从电解槽的熔融盐中气化而混入到由所述阳极生成的主产气体中的氟化氢气体并精制氟气;以及回收设备,其将用精制装置捕集的氟化氢输送到电解槽或氟化氢供给源并进行回收。

    氟化纳米金刚石分散液的配制方法

    公开(公告)号:CN101489928B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN200780025959.9

    申请日:2007-06-05

    Inventor: 八尾章史

    CPC classification number: C09K3/1463 C01B32/28 C09K3/1472 C09K5/10

    Abstract: 本发明提供一种可在研磨剂、润滑剂、热交换流动介质等中使用的,经过120小时以上的长时间稳定的、而且20℃的粘度为3cP以上的氟化纳米金刚石分散液的配制方法。该分散液按如下配制,把氟化纳米金刚石与20℃的粘度为2.5cP以下的第1液体进行混合,配制悬浮液,把悬浮液进行分级,配制分级悬浮液,然后,把该分级悬浮液与20℃的粘度为4cP以上的第2液体进行混合。

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