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公开(公告)号:CN111487715A
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN202010309289.0
申请日:2020-04-17
申请人: 中国科学院半导体研究所
摘要: 一种基于LNOI的光波导端面耦合结构及其应用,该光波导端面耦合结构包括衬底;绝缘层,其设置在衬底上;第一波导芯层结构,包括第一波导芯层固定宽度区和第一波导芯层反向楔形区;第二波导芯层结构,包括第二波导芯层固定宽度区和第二波导芯层反向楔形区,其折射率介于第一波导芯层结构和第三波导芯层结构之间,用于将经过第一波导芯层结构的光模场过渡传输到第三波导芯层结构中;以及第三波导芯层结构,包括第三波导芯层固定宽度区。本发明的结构中通过引入折射率介于第一波导芯层和第三波导芯层之间的第二波导芯层,有效增加了第一波导芯层楔形尖端尺寸,降低了小尺寸结构的制备工艺难度。
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公开(公告)号:CN111458948A
公开(公告)日:2020-07-28
申请号:CN202010309286.7
申请日:2020-04-17
申请人: 中国科学院半导体研究所
IPC分类号: G02F1/225
摘要: 一种实现开关消光比提高的电光强度调制器及其应用,该电光强度调制器包括输入光波导;第一耦合器;第一对相位调制臂,其两臂的侧边设有第一对行波电极;多模干涉结构,其包含两个输入光波导、一个多模干涉区和两个输出光波导,用于将经过第一对相位调制臂调制后的两束光经过多模干涉区转换成输出的新的两束光;第二对相位调制臂,其两臂的侧边设有第二对行波电极;第二耦合器以及输出光波导,其用于将第二耦合器合束后的光输出。本发明的结构通过调谐调制器输入端的两分支光功率比,可以补偿由于工艺误差引起的不对称导致的消光比下降,显著提高消光比的同时,增加了工艺容差,提高了生产效率和良品率。
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