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公开(公告)号：CN100354639C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200510110630.5
申请日：2005-11-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种检测氮化镓基半导体发光二极管质量优劣的方法。它是根据GaN基半导体发光二极管中存在的压电效应和InN类量子点结构，通过测量在不同注入电流下，发光峰位的蓝移量来判断发光二极管性能的优劣。在相同注入电流下，如果发光峰位蓝移量越大，电流的注入效率就越高，电流在芯片、电极、支架、引线等器件各个部分上的损失就越小。这就说明制造发光二极管的各个工艺过程，如材料生长、电极加工、封装控制的比较好，产品的质量相对就比较高。本发明具有操作简单，易于批量使用的特点。
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公开(公告)号：CN1306288C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200510025460.0
申请日：2005-04-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B5/20
CPC classification number: G02B5/28
Abstract: 本发明公开了一种具有平整谐振腔层的滤光片列阵，它是利用F-P结构滤光片的带通峰位随其谐振腔层厚度的变化而改变的特性设计的。它包括基片，在基片上依次排列下层膜系、谐振腔层膜系、上层膜系。其特征在于：谐振腔膜层是厚度不同的膜层列阵，它是通过组合镀膜来实现不同厚度谐振腔膜层在同一基片上的集成，以达到控制每个微型窄带滤光片的带通峰位，从而实现不同带通峰位窄带滤光片在同一块基片上集成的目的。这种结构的优点是避免了因刻蚀引起界面粗糙而导致的滤光片性能下降和控制精度问题，与传统镀膜方法相比，制备效率和成品率都非常高。
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公开(公告)号：CN1811494A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610024250.4
申请日：2006-03-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B5/20
Abstract: 本发明提出一种基于分形结构的多通道位置独立可调滤光片，它是以F－P滤光片结构为基础，通过分形规则进行设计，可以较简单地获得通道位置独立可调的双通道、三通道甚至更多通道数的滤光片。克服了传统多通道滤光片通道位置无法独立调节的困难，由于这类滤光片的各个通道位置都独立可调，可以设计制备成通道位置分别与特定波长对应的多通道滤光片，对在光通信、闪电探测和遥感等领域的应用非常有利。
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公开(公告)号：CN1786770A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510110631.X
申请日：2005-11-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管指示笔，该指示笔包括：GaN基发光二极管，在GaN基发光二极管的发光面上置有方向选择性很高、带通很窄的窄带滤光膜层，在滤光膜层的前面置有透镜。本发明的优点是：发光二极管发出的光，经过窄带滤光膜层使得只有近乎正入射的光才能透射出来，同时，窄带滤光片本身只能透过很窄波长范围的光，从而使得最终发出的光单色性很好，与激光非常接近，然后再加上一个透镜，使光束在使用的范围内光斑都很小，而光束本身并非是相干的激光，亮度均匀，不会象激光笔那样出现很多让人眼感觉不适的闪光点，因此可以替代激光笔作为很好的指示笔用。
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公开(公告)号：CN1770483A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510029388.9
申请日：2005-09-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的高单色性光源阵列包括：金属基板，在金属基板上依次排列的氮化镓发光二极管和窄带滤光片阵列。二极管作为光源发出宽度为几十纳米的某个波段的光，而窄带滤光片阵列则把这个波段内的光在空间上分成若干束不同波长的单色光。本发明可以通过选择不同波段的发光二极管，并与相应的窄带滤光片阵列集成，以获得不同波段的高单色性发光阵列。这种发光阵列可以满足微小型光谱仪等在集成单色光源方面的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1242254C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200310109268.0
申请日：2003-12-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC: G01N21/64
Abstract: 一种检测GaN基材料局域光学厚度均匀性的方法，该方法采用显微荧光光谱测量，将测得数据进行处理获得振荡干涉谱，再对干涉谱进行干涉峰位线性拟合，进而得到材料的光学厚度，然后用常规的统计方法就可直接得到厚度不均匀性的分布特征。该方法可为材料生长工艺优化研究提供丰富的信息，特别对严重损害器件质量的局域非均匀性检测方面具有明显的意义。
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公开(公告)号：CN1226639C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200310108346.5
申请日：2003-10-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种滤光片式分光元件，它是通过设计一系列透射峰位连续的超窄带通滤光片，并将其集成在一起形成滤光片式的分光元件。它包括：二片衬底，二片衬底的一表面各镀有完全相同的无序型膜系，在二无序型膜系之间的四周边缘粘有高分子聚合物材料制成的微米小球胶，使其真空密封固定成一体，中间形成一真空层。其中一片衬底的无序型膜系是镀在深浅渐变的凹槽列阵上的。本发明的分光元件结构简单、体积小，分出的光束单色性好。如果加上入射狭缝和出射狭缝就可以构成一个完整的单色仪，非常有利于与其它系统的组合，构成各种光谱测量系统。
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公开(公告)号：CN1215342C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03116787.X
申请日：2003-05-08
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种薄膜气体传感器，包括：二片相同材料的衬底，其中一片衬底的一表面有一凹槽，带有凹槽的表面镀有无序型膜系。另一片衬底的二表面为平面，其任一平面镀有无序型膜系，在二无序型膜系之间的二侧边缘粘有特种微米小球粘胶，使其固接成一体，中间为样品室。凹槽内外的高度差分别对应二个不同的带通峰位，将其中的一个带通峰位设计至待检气体的特征吸收峰，另一个带通峰位设计在特征吸收峰附近的非吸收区作为参考峰位，利用气体吸收引起的透射峰强度的相对变化来实现气体含量的检测。本发明的薄膜气体传感器的最大优点是可以针对任何一种已知特征吸收峰的气体进行设计，使得响应具有唯一性，同时该传感器还具有灵敏度高、响应快、选择性好、重复性好、寿命长等优点，大大弥补了传统气体传感器各种性能不能兼顾的缺点。
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公开(公告)号：CN1619848A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410084792.1
申请日：2004-12-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种能够增强外量子效率的发光二极管。本发明由衬底、发光层及金属反射层组成。衬底为抛物线构成的实心碗状结构，上表面的中心位置为抛物线的焦点，下表面镀有金属反射层，发光层位于衬底上表面的中心位置。本发明不仅能够将传统的平面衬底发光二极管中不能发射出来的光子发射出来，提高发光二极管的外量子效率，增强其发光强度；还可以发射出大量平行光线，使光可以远距离传输。因此，本发明在大屏幕彩色显示、多媒体显示、光通信以及探照灯、飞机指示灯、汽车照明灯、交通信号灯等领域得到广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1614451A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410067892.3
申请日：2004-11-05
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成窄带滤光片，包括：基片，在基片上依次有相互牢固结合的下层膜系，厚度不等的谐振腔层列阵和上层膜系。本发明的集成窄带滤光片是基于F－P干涉原理，通过半导体刻蚀工艺来获取不同谐振腔层的厚度，达到控制窄带滤光片的带通峰位，从而实现不同透射波长窄带滤光片在同一块基片上的集成。这种滤光片可适用于各个波段窄带滤光片列阵的制备。其优点是：工艺简单，只需设计一个膜系、通过镀膜和刻蚀即可完成集成窄带滤光片的制备，所制备的滤光片各单元的半峰宽很窄，其相对半峰宽都小于0.36％，可以起到很好的波长选择作用。
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