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公开(公告)号：CN102789024A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110129324.1
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种T型分支波导，利用SOI基二维平板柱状光子晶体的自准直效应实现输入光信号的180°分束传播，属于半导体光学技术领域，包括SOI衬底、在SOI衬底顶层硅刻蚀形成的硅柱区域以及将硅柱区域与外部光纤或其他器件连接的SOI条形波导。其中：硅柱区域中，刻蚀形成的硅柱呈长方晶格排列在SOI顶层硅上，硅柱的深度为SOI顶层硅的厚度，SOI条形波导为T型分支波导的输入波导，且距离硅柱区域与所述SOI条形波导平行的两边界均有一距离。该T型分支波导对于入射光束角度极不敏感，分束区的长度可以控制在10μm以内，极大缩短总体器件长度，结构更为紧凑；同时，其具有较大的制备容差和更灵活的设计。
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公开(公告)号：CN102789023A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110128181.2
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种光子晶体分束器，利用SOI基二维平板空气孔光子晶体的自准直效应实现输入光信号的分束传播，属于半导体光学技术领域，包括SOI衬底、在SOI衬底顶层硅刻蚀形成的空气孔区域以及将空气孔区域与外部光纤或其他器件相连的SOI条形波导。其中：空气孔区域中，刻蚀形成的空气孔呈正方晶格排列在SOI顶层硅上，其深度即为SOI顶层硅的厚度，SOI条形波导即为分束器的输入波导，其距离空气孔区域与之平行的两边界均有一距离。该分束器分束区的长度可以控制在10μm以内，这使总体器件的长度极大缩短，结构更为紧凑；同时，其具有较大的制备容差和更灵活的设计，能够更为广泛的用在未来的光子芯片中。
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公开(公告)号：CN119827935A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411741270.8
申请日：2024-11-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高温超导测试杆组件，包括依次设置的顶盖、连接有真空阀、安全阀、航空接头的航空接头座、杆体、和芯片支架，芯片支架具有用于安装芯片的安装槽且芯片支架的外部套设有套筒，以使得安装槽相对于套筒的外部密封隔离；航空接头座是中空的并且通过杆体的内部空腔与安装槽连通，实现真空保持和航空接头与芯片的电气连接，芯片包括高温超导器件或低温超导器件。本发明还提供相应的制作方法。本发明的测试杆可进行抽真空操作，保证芯片工作在真空环境中，因高温超导薄膜对水、氧非常敏感，本测试杆可保证其真空工作环境，且同步兼顾液氮、液氦中工作的能力，可有效避免高温超导芯片在升降温及工作过程中受到冷凝水、空气氧的破坏。
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公开(公告)号：CN119374502A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310932927.8
申请日：2023-07-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明提供一种超导纳米线单光子探测器膜厚测试结构、方法及制备方法，所述膜厚测试结构包括从下至上依次层叠设置的衬底、底反射层、超导膜层、介质材料层及顶反射层；其中，所述底反射层、所述超导膜层、所述介质材料层及所述顶反射层形成光学微腔结构；所述底反射层及所述顶反射层作为所述光学微腔结构的两个反射面；所述超导膜层及所述介质材料层作为所述光学微腔结构的间隔层。本发明提供的超导纳米线单光子探测器膜厚测试结构、方法及制备方法，能够解决现有膜厚测试手段无法准确测试得到超导纳米线单光子探测器的超导膜层膜厚的问题。
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公开(公告)号：CN117309163A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311459810.9
申请日：2023-11-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提供一种超导单光子探测器双端读出电路、读出方法及探测系统，用于对M个超导单光子探测器的脉冲信号进行读出，M为大于等于1的整数，包括：传输光波导和M个电光调制结构；各电光调制结构与各超导单光子探测器一一对应设置，用于将脉冲信号转为携带热信号的谐振光波，进而耦合至所述传输光波导；传输光波导的第一端输入宽谱光信号，第二端作为输出端，将各电光调制结构输出的谐振光波同时输出。本发明通过设置光电转换结构，将脉冲信号转为光信号并以光信号传输的方式输出，可以实现对微弱信号的跨温区传输、漏热极小且具有较强的抗干扰性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115542583A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211112142.8
申请日：2022-09-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供一种电光调制器、调制方法及系统，包括：微腔光耦合装置及超导热电极；所述微腔光耦合装置包括微环谐振腔及波导，所述微环谐振腔与所述波导耦合；所述超导热电极覆盖于所述微环谐振腔的部分上方区域，接收直流偏置信号及射频调制信号，用于在所述超导热电极呈有阻态时将所述射频调制信号加载到所述微腔光耦合装置中的光信号中。本发明的电光调制器、调制方法及系统适用于极低温的工作环境(低于超导热电极材料的超导临界温度)；通过将微弱高频电流信号加载到光信号上，实现高频微弱电流信号的电光转换；而且本发明叠加了微腔光耦合装置的高灵敏度和超导材料失超突变的高灵敏度优势，使得高频微弱电流信号的传输高效稳定。
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公开(公告)号：CN111443442B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010192524.0
申请日：2020-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种SNSPD阵列与光波导阵列的耦合装置及方法，该耦合装置包括金属底座、硅衬底层、DBR介质层和上表面刻蚀有SNSPD阵列的氮化铌层，光波导阵列和固定座，其中，单元光波导与单元SNSPD一一对应，固定座的一端与光波导阵列的侧表面连接另一端与金属底座的上表面连接。本申请相较于传统的单个SNSPD器件与单根光纤耦合的方法，本申请具有提高SNSPD集成度、拓展器件规模等优点，并且还有助于提高工作效率和实现SNSPD大批量生产，此外，相较于片上集成斜入射耦合或射倏逝波耦合方法，采用分离式垂直耦合的方法将SNSPD阵列与光波导阵列直接耦合，能够有效减少光路损耗，提高光耦合效率。
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公开(公告)号：CN111220854B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201911122728.0
申请日：2019-11-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十九研究所 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种基于二阶相干性测量的单微波量子检验装置，采用微波量子源、单微波量子放大器、微波功分器，然后经两路微波/光学上转换装置、光学滤波、延迟、单光子探测器和同时对两路信号进行量子处理的量子处理器等装置，对微波量子的二阶相干性进行测量，进而能够实现对单微波量子探测器特性的检验以及对微波量子源特性的检验。本发明在微波单量子源后直接进行微波功分，分两路进行微波光学上转换，光学滤波等处理。本发明所使用的全部电学、光学器件与设备均可以在室温条件下工作，对于开展微波量子计量、自由空间微波量子探测研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN111933349B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010838618.0
申请日：2020-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低温超导薄膜，包括：n层电隔离层及n+1层超导材料层，所述超导材料层与所述电隔离层依次交替叠置；通过改变各超导材料层的厚度调整所述低温超导薄膜的超导转变温度，所述低温超导薄膜的总厚度在相干长度比拟范围内；其中，各超导材料层的材料相同，具有两层以上电隔离层时各电隔离层的材料相同，n为大于等于1的自然数。本发明的低温超导薄膜基于多层超薄的超导材料层及电隔离层调控低温超导薄膜的转变温度，通过调整单层超导材料层的厚度得到不同转变温度的超导材料，调控精度高、操作简单；本发明的低温超导薄膜的超导转变温度原则上与单层超导薄膜的转变温度一致，从而远小于体超导或较厚超导薄膜的转变温度。
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公开(公告)号：CN112781725A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911089065.7
申请日：2019-11-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多光谱超导纳米线单光子探测器、成像系统及成像方法，包括：衬底；薄膜叠层结构，位于衬底的上表面，薄膜叠层结构包括依次上下交替叠置的第一薄膜层及第二薄膜层，第一薄膜层的折射率与第二薄膜层的折射率不同，且第一薄膜层的厚度与第二薄膜层的厚度不同；中心波长优化层，位于薄膜叠层结构的上表面；超导纳米线，位于中心波长优化层薄膜层上表面。本发明可以获得多个中心波长的反射带，各反射带相当于对应其中心波长的反射镜，用于在其中心波长附近达到高效吸收；由于薄膜叠层结构中包括多个反射带，可以实现多个波段的高效吸收，从而可以满足用户对不同波段单光子探测器的应用需求，以及多波段成像或多波段探测等应用的需求。
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