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公开(公告)号：CN105278396B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201410352806.7
申请日：2014-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05B19/042 , G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种大量程SQUID磁传感器的工作点跳变控制方法及系统，该方法包括：当大量程SQUID磁传感器的FLL的输出电压幅度达到上限电压幅度时，输出一控制信号至FLL的复位控制端，使FLL开始复位；当大量程SQUID磁传感器的FLL的输出电压幅度达到下限电压幅度时，解除控制信号，使FLL自然进入锁定状态。本发明通过两个门限电压判断和状态控制方法，实现了最优化的复位控制，既确保了工作点的准确切换，避免了复位失败产生误计数，又优化了复位和重锁定的过程，实现了切换过程时间最短，避免了传统复位过零和重锁定过程产生的过冲暂态问题。
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公开(公告)号：CN104407310B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201410742613.2
申请日：2014-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/022 , G01C21/16 , G01S19/47
Abstract: 本发明公开了一种基于GPS同步的航空超导全张量磁梯度测控装置，其特征在于所述的装置位于悬吊与吊舱子系统中的吊舱内；航空超导全张量磁梯度测控装置由SQUID读出电路、数据采集与通讯组件、飞行位置与姿态信息记录组件、工作环境监测组件以及人机界面组件组成，并以数据采集与通讯组件为核心采用星型拓扑结构连接其它四个组件。本装置基于GPS授时功能通过数字锁相环生成的PPS倍频采样时钟对指定时间的特定信号重采样后，利用时间戳实现与GPS组合惯导给出的位置和姿态信息同步，从而通过姿态投影为反演奠定基础；并且所述装置特点是实现简单、可扩展性和可靠性高，非常适合在航空平台下应用。
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公开(公告)号：CN104345194B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201310320961.6
申请日：2013-07-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R15/00 , G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种超导量子干涉器件接入保护电路，包括：超导量子干涉器件；前置放大器，负相输入端与所述超导量子干涉器件相连，读取并放大处于恒压偏置模式下的所述超导量子干涉器件的电流信号；反馈电阻，一端与所述前置放大器的输出端相连，另一端与所述前置放大器的负向输入端相连，将所述前置放大器的输出电压反馈加载到所述超导量子干涉器件上；电压钳位电路，与所述前置放大器的输出端相连，使所述前置放大器的输出电压通过所述反馈电阻加载到所述超导量子干涉器件上的电压钳制在一定范围内。本发明使得反馈电压限制在一个固定电压，避免出现过电压脉冲过大的现象，从而避免了造成超导量子干涉器件的损坏。
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公开(公告)号：CN104950268B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410127223.4
申请日：2014-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035 , G01R33/025
Abstract: 本发明提供一种超导量子干涉器磁传感器，其包括：超导量子干涉器件；与所述超导量子干涉器件相连的前置放大器；与所述前置放大器的输出端相连、且反馈至所述超导量子干涉器件的第一反馈电路；与所述前置放大器的输出端相连的积分器；与所述积分器的输出端相连、且反馈至所述超导量子干涉器件的第二反馈电路。本发明通过在前置放大器后设置第一反馈电路，能够几乎无延时的向SQUID输出反馈磁通，能够在所述积分器进行积分补偿处理期间及时抵消外部磁通的变化，维持工作点稳定，使得本发明的超导量子干涉器磁传感器具有更快的速度响应，有效减少因积分器的延时而造成的失锁。
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公开(公告)号：CN104730473B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201310713552.2
申请日：2013-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种绝对磁场测量设备及所适用的绝对磁场测量方法。所述设备包括：设置在超导环境中的三轴超导量子干涉器磁强计；与所述三轴超导量子干涉器磁强计处于同一磁场环境且设置在常温环境中的三轴磁通门计；数据采集处理装置，用于利用各轴向的所述超导量子干涉器磁传感器所测得的相对测量值来拟合所述磁场环境的绝对测量拟合值，以便所述磁场拟合值与所述三轴磁通门计所测得的绝对磁场值的均方误差最小，并根据所述三轴超导量子干涉器磁强计所测得的相对测量值和所拟合的各绝对测量拟合值中的直流分量来确定所述磁场环境的绝对值。本发明能够在磁场瞬间变化时，高精度的测得磁场的绝对测量值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104635181B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310552302.5
申请日：2013-11-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035 , G01R27/02
Abstract: 本发明提供一种选取超导量子干涉传感组件中反馈电阻的方法，先将SQUID和反馈线圈置入实际的超导屏蔽环境中，利用SQUID磁场响应周期特性，通过监测输入所述反馈线圈的电流的变化量来计算反馈线圈与SQUID的互感值，以及通过监测所述超导屏蔽环境中所加载变化的磁通和输入所述SQUID的变化的偏置电流产生的电压输出来建立所输出的电压值与所感应磁通量及偏置电流之间的对应关系以及确定互感值；再仿真变化的磁通量、偏置电流及反馈阻值时所述组件的工作过程，并基于所述对应关系和互感值计算所述SQUID的输出电压与所述磁通量的至少一条关系曲线；再将各所述关系曲线中的峰峰值和最大斜率分别与各自的预设条件进行比对判断，以将相匹配的阻值确定为所选中的反馈电阻值。
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公开(公告)号：CN104297704B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310307102.3
申请日：2013-07-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种复位系统及所适用的超导量子干涉传感器。所述传感器中包括用于复位输出端的第一复位电路，用于复位反馈电路的第二复位电路，以及用于复位积分电路的第三复位电路，当所述传感器中的时序控制电路接收到复位指令，控制所述第二复位电路和第三复位电路不早于第一复位电路进行各自复位，当所述复位指令消失时，控制所述第二复位电路和第三复位电路早于第一复位电路结束各自的复位。本发明能够有效避免复位时所述传感器中的储电器件对与输出端连接的下级电路及传感器内部电路之间的影响。
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公开(公告)号：CN106199464A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510224015.0
申请日：2015-05-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种双级超导量子干涉器磁通-电压转换装置、方法及其应用，包括通过电流正反馈和限幅放大结合，既实现了磁通-电压传输率的提升，又使得输出磁通幅度小于2Φ0，避免了传输特性多零点问题。同时在所述SQUID磁通探测模块采用欠反馈原理实现自复位且传输特性单调的磁通探测器，确保以固定工作点下的唯一确定的传输特性对所述SQUID磁通放大模块输出磁通进行磁通-电压转换，解决了传输特性多值问题。本发明使得双级SQUID放大模块在提升磁通-电压传输率的同时，其传输特性中工作点周期单值，避免出现多值问题，操作简单，噪声性能得到很大提升，发挥出了SQUID低噪声的性能，进而可形成实用化高性能的SQUID磁传感器。
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公开(公告)号：CN105785288A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410809764.5
申请日：2014-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035 , G01V3/165
Abstract: 本发明提供了一种基于低温超导SQUID的航空磁测量装置，包括数据采集器、供电单元、无磁辅助系统支架、法拉第笼、读出电路和姿态测量模块、低温超导SQUID传感器单元、无磁杜瓦固定桶、吸振材料、无磁装置底撑板和吸振部件；所述无磁辅助系统支架和所述无磁杜瓦固定桶均固定在所述无磁装置底撑板上；所述低温超导SQUID传感器单元置于所述无磁杜瓦固定桶内，且所述低温超导SQUID传感器单元和所述无磁杜瓦固定桶间填充有所述吸振材料；所述法拉第笼包覆整个测量装置。本发明的基于低温超导SQUID的航空磁测量装置，能够提升低温超导SQUID系统对测试外场复杂电磁环境的抗干扰能力，消减航空磁测量过程中引入的高、低频机械振动。
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公开(公告)号：CN105633268A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511028259.8
申请日：2015-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L39/2493 , H01L39/025 , H01L39/223
Abstract: 本发明提供一种超导电路结构及其制备方法，包括：1）提供衬底，在衬底表面对应于后续要形成约瑟夫森结的位置形成应力图案结构，应力图案结构的尺寸大于约瑟夫森结的尺寸；2）在衬底表面依次形成第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄膜结构；3）刻蚀三层薄膜结构以形成底电极及约瑟夫森结；4）在步骤3）得到的结构表面形成第二绝缘材料层，并在第二绝缘材料层对应于约瑟夫森结的位置形成第一开口；5）沉积第三超导材料层，并刻蚀第三超导材料层形成配线层。通过在约瑟夫森结下方形成尺寸比约瑟夫森结尺寸大的应力图案结构，有利于约瑟夫森结中应力的有效释放，从而解决了漏电流，提高了超导电路结构的性能及稳定性。
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