公开(公告)号：CN118795389B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411288647.9

申请日：2024-09-14

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 原熙博 ,  朱睿杰 ,  李炎 ,  张永磊 ,  江海粟 ,  蒋伟 ,  刘权锐 ,  冯江

IPC: G01R31/64 ,  G01R27/26 ,  G01R1/28

Abstract: 本发明属于电容损耗测试技术领域，尤其涉及一种电容损耗测试方法，包括如下步骤：通过对电解电容进行三脉冲循环测试，获得有关电解电容损耗的原始数据集;根据原始数据集计算不同测试工况下流过电解电容的电荷qc并建立电解电容损耗的数据集;利用电解电容损耗的数据集训练BP神经网络，获取神经网络的节点参数；利用已有的神经网络参数，计算在变换器实际运行时不同工况下的直流侧电解电容的损耗；在测试期间，综合考虑了基波成分和高频成分对电容器损耗的影响，且电解电容器的温度几乎保持不变，从而可以排除测试过程中温度变化对电解电容器损耗的影响，进而实现对电解电容器损耗的精确评估，确保计算结果的准确性。

公开(公告)号：CN113782504A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111048372.8

申请日：2021-09-08

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 原熙博 ,  李炎

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开一种集成散热器的功率模块简化封装结构及制作方法，适用于功率模块封装设计领域。包括陶瓷散热器，陶瓷散热器上方直接铺设有根据需要设计的铜制导电层，铜制导电层下表面直接键合在陶瓷散热器的上表面，铜制导电层在预设处的上表面通过焊料层焊接有碳化硅芯片，所述铜制导电层外侧设有将碳化硅芯片盖住的外壳，外壳中嵌有外部接口，外部接口贯穿外壳与内部，外壳与陶瓷散热器紧密结合，且外壳与陶瓷散热器形成的内部空间中填充环氧树脂，用于防止发生爬电击穿和辅助散热；所述陶瓷散热器与铜制导电层接触面绝缘不导电。其结构简单，制作方便，有效减小结构层数的同时提高散热效率，具有广泛的实用性。

公开(公告)号：CN111555652A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010439352.2

申请日：2020-05-22

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 原熙博 ,  李炎 ,  张永磊 ,  张雷 ,  徐一埔 ,  叶飞 ,  李哲 ,  李耀华 ,  王子建

IPC: H02M7/5387 ,  H02M7/493 ,  H02M1/092 ,  H02M1/32 ,  H02M7/00 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅MOSFET模块的大功率高功率密度变流器及结构，适用于电力电子技术领域。包括五台三相DC/AC变流器、直流汇流母排和交流汇流母排；五台三相DC/AC变流器顺序编号，五台三相DC/AC变流器的直流侧通过两根直流汇流母排与直流电源或电池连接；五台三相DC/AC变流器的交流侧通过三根交流汇流母排与三相电网或三相负载连接。其能够实现直流到交流、交流到直流的能量双向流动。系统整体结构依托碳化硅MOSFET的特性，可实现系统整体的高功率密度设计。