公开(公告)号：CN110098755A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910448921.7

申请日：2019-05-28

申请人： 中国矿业大学

发明人： 原熙博 ,  魏琛 ,  张永磊 ,  张雷 ,  李耀华

IPC分类号： H02M7/483 ,  H02M7/5387

摘要： 本发明公开了一种新型五电平混合π型变换器，适用于电力电子技术领域。该变换器为共直流母线结构，包括与直流母线电压并联的三个桥臂单元，每个桥臂单元由8个绝缘栅双极晶体管和3个飞跨电容组成。与传统的五电平变换器相比，本发明的新型五电平混合π型变换器所需器件少，拓扑结构更加简单，易于控制，可提高装置整体的稳定性和效率。

公开(公告)号：CN111555652A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010439352.2

申请日：2020-05-22

申请人： 中国矿业大学

发明人： 原熙博 ,  李炎 ,  张永磊 ,  张雷 ,  徐一埔 ,  叶飞 ,  李哲 ,  李耀华 ,  王子建

IPC分类号： H02M7/5387 ,  H02M7/493 ,  H02M1/092 ,  H02M1/32 ,  H02M7/00 ,  H05K7/20

摘要： 本发明公开了一种基于碳化硅MOSFET模块的大功率高功率密度变流器及结构，适用于电力电子技术领域。包括五台三相DC/AC变流器、直流汇流母排和交流汇流母排；五台三相DC/AC变流器顺序编号，五台三相DC/AC变流器的直流侧通过两根直流汇流母排与直流电源或电池连接；五台三相DC/AC变流器的交流侧通过三根交流汇流母排与三相电网或三相负载连接。其能够实现直流到交流、交流到直流的能量双向流动。系统整体结构依托碳化硅MOSFET的特性，可实现系统整体的高功率密度设计。

公开(公告)号：CN110098755B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201910448921.7

申请日：2019-05-28

申请人： 中国矿业大学

发明人： 原熙博 ,  魏琛 ,  张永磊 ,  张雷 ,  李耀华

IPC分类号： H02M7/483 ,  H02M7/5387

摘要： 本发明公开了一种新型五电平混合π型变换器，适用于电力电子技术领域。该变换器为共直流母线结构，包括与直流母线电压并联的三个桥臂单元，每个桥臂单元由8个绝缘栅双极晶体管和3个飞跨电容组成。与传统的五电平变换器相比，本发明的新型五电平混合π型变换器所需器件少，拓扑结构更加简单，易于控制，可提高装置整体的稳定性和效率。