-
公开(公告)号：CN106992792B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201710368617.2
申请日：2017-05-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS工艺的220GHz太赫兹发射机，涉及太赫兹技术领域。所述发射机包括通过MEMS工艺制作的Si基镀金盒体和位于所述盒体内的发射机电路，所述Si基镀金盒体包括位于内侧的Si壳体和位于Si壳体外侧的金属镀层。所述发射机的盒体采用MEMS工艺实现的Si盒体，通过镀金实现和金属相同的功能，质量轻，大大降低了发射机的重量，且采用MEMS工艺，系统集成度更高。
-
公开(公告)号：CN107040213B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201710393311.2
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
Abstract: 本发明公开了一种双面石英鳍线太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、两个肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板正反面的前侧鳍线与后侧鳍线；位于正面的所述肖特基二极管的一端与正面的前侧鳍线电连接，位于正面的所述肖特基二极管的另一端与正面的后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路使得射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单；且石英电路采用双面电路，在正反两面均放置反向串联的肖特基二极管，可提高倍频效率，提高输出功率。
-
公开(公告)号：CN107124140B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201710393300.4
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种单面石英鳍线单二极管太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、反向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板上的前侧鳍线与后侧鳍线；所述肖特基二极管的一端与前侧鳍线电连接，所述肖特基二极管的另一端与后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路与传统平衡式倍频电路相比，输入输出波导过渡均采用鳍线过渡，使得射频输入输出波导可以在同一直线上。
-
公开(公告)号：CN107040212B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201710392404.3
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
Abstract: 本发明公开了一种单面石英鳍线太赫兹平衡式三次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、两个同向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板上的前侧鳍线与后侧鳍线；两个所述肖特基二极管的一端与前侧鳍线电连接，两个所述肖特基二极管的另一端与后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路的射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单，并可以承受大功率输入，提高输出功率。
-
公开(公告)号：CN112289791B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202011085015.4
申请日：2020-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/08 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管及半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括多个同向并联的肖特基结。本发明提供的用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管，采用多个同向肖特基结并联的形式，进而增加总电容数值，提高电容测试精度，通过测试多个二极管电容的准确值，再进行线性拟合得到单结二极管的准确结电容。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114584087A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210089557.1
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种射频功率放大装置。该射频功率放大装置包括：功率放大模块、输入监控模块、热监控模块和输出监控模块；功率放大模块包括输入端、偏置端和输出端，用于对输入该功率放大模块的射频信号进行功率放大；输入监控模块适于与射频信号输入端连接，还与功率放大模块的输入端连接，用于确定功率放大模块是否输入射频信号；热监控模块适于与功率放大模块的偏置端连接，用于确定功率放大模块中有源器件的温度是否小于等于预设置的温度阈值；输出监控模块适于与功率放大模块的输出端连接，还与射频信号输出端连接，用于确定功率放大模块是否输出射频信号。本发明能够提高功率放大器工作的稳定性。
-
公开(公告)号：CN109659353B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201811477125.8
申请日：2018-12-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种低寄生电阻的肖特基二极管，属于半导体器件技术领域，包括金属阳极、金属阴极、N型半导体沟道和半导体重掺杂区，金属阳极与N型半导体沟道连接，形成肖特基结；金属阴极与半导体重掺杂区连接，形成欧姆接触；N型半导体沟道具有与半导体重掺杂区隔开的绝缘介质层，通过肖特基结的射频信号经连接部进入半导体重掺杂区，到达金属阴极。本发明提供的低寄生电阻的肖特基二极管，在保证N型半导体沟道与半导体重掺杂区连通的同时，采用绝缘介质层部分隔开N型半导体沟道与半导体重掺杂区，使得肖特基结的射频信号只能通过连接部位进入半导体重掺杂区，最终到达阴极，不需要通过未耗尽的N型半导体沟道，可以减小寄生电阻。
-
公开(公告)号：CN109659353A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811477125.8
申请日：2018-12-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种低寄生电阻的肖特基二极管，属于半导体器件技术领域，包括金属阳极、金属阴极、N型半导体沟道和半导体重掺杂区，金属阳极与N型半导体沟道连接，形成肖特基结；金属阴极与半导体重掺杂区连接，形成欧姆接触；N型半导体沟道具有半导体重掺杂区隔开的绝缘介质层，通过肖特基结的射频信号经连接部进入半导体重掺杂区，到达金属阴极。本发明提供的低寄生电阻的肖特基二极管，在保证N型半导体沟道与半导体重掺杂区连通的同时，采用绝缘介质层部分隔开N型半导体沟道与半导体重掺杂区，使得肖特基结的射频信号只能通过连接部位进入半导体重掺杂区，最终到达阴极，不需要通过未耗尽的N型半导体沟道，可以减小寄生电阻。
-
公开(公告)号：CN104795453B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201510199142.X
申请日：2015-04-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L23/49
Abstract: 本发明公开了一种多梁式引线砷化镓基肖特基倍频二极管，涉及半导体器件技术领域；包括砷化镓基肖特基倍频二极管本体，砷化镓基肖特基倍频二极管本体的两端均设有多梁式引线，所述多梁式引线包括一端连接在一起的至少两条梁式子引线，所述梁式子引线的厚度为2μm‑4μm。本发明能够为肖特基倍频二极管正常安装在电路上提供保障，提高了肖特基倍频二极管的安全性与可靠性，安装成品率高，能确保安装质量，大大降低了生产及科研成本，结构简单，使用方便，延长了二极管的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN104991215B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201510464446.4
申请日：2015-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种在片S参数共面波导TRL校准件，涉及太赫兹在片S参数测试装置技术领域。所述校准件包括衬底层，所述衬底层的制作材料与被测件的衬底材料相同，所述衬底层的上表面设有直通标准件、反射标准件和传输线标准件，所述衬底的下表面覆盖有金属层，所述直通标准件、反射标准件和传输线标准件的地线分别通过贯穿于衬底层的通孔与金属层连接，所述直通标准件、反射标准件和传输线标准件的地线的探针终点处设有对标标记。校准件校准精度更高，操作更简单，并且避免了去嵌入带来的误差，能够更准确的表征器件特性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
136
records
(took 0.037 seconds)
