公开(公告)号：CN103408025B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201310323047.7

申请日：2013-07-29

Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司

Inventor： 司文学 ,  严大洲 ,  肖荣晖 ,  汤传斌 ,  杨永亮

IPC: C01B33/107

Abstract: 本发明公开了用于制备二氯二氢硅的设备，该设备包括：歧化反应器，所述歧化反应器设置有阴离子交换树脂，用于在存在阴离子交换树脂作为催化剂的条件下，使三氯氢硅发生歧化反应，以便获得含有二氯二氢硅和四氯化硅的反应产物；以及分离装置，所述分离装置与所述歧化反应器相连，用于从所述反应产物分离二氯二氢硅。利用该设备能够安全、高效地制备二氯二氢硅，并且该设备造价低，涉及反应温度、压力低，适应性强，安全，宜操作，无污染，制备获得的二氯二氢硅质量非常好。

公开(公告)号：CN103449440B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201310373759.X

申请日：2013-08-23

Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司

Inventor： 万烨 ,  张升学 ,  严大洲 ,  毋克力 ,  肖荣辉 ,  汤传斌 ,  杨永亮

IPC: C01B33/03

Abstract: 本发明公开了一种用于制备多晶硅的设备，该设备包括：氯氢化合成反应装置，其用于使硅粉、氢气以及选自氯化氢与四氯化硅的至少一种发生氯氢化合成反应；第一精馏纯化装置，其用于对所述包含三氯氢硅的氯氢化合成反应产物进行第一精馏纯化处理；歧化反应装置，其用于使所述三氯氢硅发生歧化反应；第二精馏纯化装置，其用于对所述歧化反应产物进行第二精馏纯化处理；以及热解反应装置，其用于使所述硅烷气体发生热解反应，以便获得多晶硅。利用该设备能够有效地制备获得电子级多晶硅，并且该设备涉及的工艺简单、安全、节能环保、成本低，且生产的多晶硅纯度高，产生的尾气和废渣能够达到环保要求，为电子级多晶硅清洁生产工艺。

公开(公告)号：CN104140106A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201410364843.X

申请日：2014-07-28

Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司

Inventor： 杨永亮 ,  张志刚 ,  司文学 ,  严大洲 ,  肖荣晖 ,  汤传斌

IPC: C01B33/107 ,  C01B33/035

Abstract: 本发明公开了一种处理多晶硅还原尾气的方法，该方法包括：(1)将多晶硅还原尾气进行第一冷凝处理；(2)采用膜分离器对经过第一冷凝处理的多晶硅还原尾气进行分离处理，以便分别得到氢气和混合气体；(3)将氢气供给至还原炉与三氯氢硅进行还原反应；(4)将混合气体进行第二冷凝处理，得到氯硅烷冷凝液和不凝气；(5)将不凝气进行吸附处理，得到氢气以及吸附氯硅烷和氯化氢的吸附剂，并将氢气的一部分供给至还原炉；(6)采用步骤(5)中氢气的另一部分对吸附氯硅烷和氯化氢的吸附剂进行脱附处理，得到含有氯硅烷和氯化氢的混合物；以及(7)将混合物与四氯化硅进行氢化反应。该方法可以显著降低能耗和设备投资成本。

公开(公告)号：CN104058411A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410332033.6

申请日：2014-07-11

Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司

Inventor： 姜利霞 ,  严大洲 ,  杨永亮 ,  肖荣晖 ,  汤传斌

IPC: C01B33/107

Abstract: 本发明公开了一种三氯氢硅的提纯装置。上述三氯氢硅的提纯装置包括提纯塔组，其中，提纯塔组包括脱重塔组和脱轻塔组，脱重塔组包括至少两个脱重塔，脱轻塔组包括至少一个脱轻塔；按照物料流动顺序，脱重塔组设置在脱轻塔组的上游。上述提纯装置中，将所有的脱重塔均设置在脱轻塔之前，可以使三氯氢硅粗液在进行脱重工序之后再进行脱轻工序。这种前段连续脱重、后段连续脱轻的设置有利于将三氯氢硅粗液中的硅微粉杂质、高沸点氯化物及高沸点金属氯化物杂质在前段的脱重过程中被分离出来，从而将这些易造成塔组堵塞的杂质集中在前段的脱重塔(尤其是第一脱重塔)中，降低后续提纯塔和再沸器的堵塞几率。

公开(公告)号：CN104058407A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410299365.9

申请日：2014-06-26

Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司

Inventor： 赵雄 ,  杨永亮 ,  姜利霞 ,  严大洲 ,  万烨

IPC: C01B33/107

Abstract: 本发明公开了一种纯化四氯化硅的系统，包括：精馏塔本体，精馏塔本体内自上而下依次限定出轻组分脱除区、光化学反应精馏区、精制区和重组分脱除区；粗四氯化硅入口，粗四氯化硅入口设置在轻组分脱除区和光化学反应精馏区之间；氯气入口，氯气入口设置在光化学反应精馏区和精制区之间；四氯化硅出口，四氯化硅出口设置在精制区与重组分脱除区之间；尾气出口，尾气出口设置在轻组分脱除区顶部；重组分出口，重组分出口设置在重组分脱除区底部；以及光源组件，光源组件设置在光化学反应精馏区的外壁上。该系统可以制备得到光纤用级别的四氯化硅，并且可以实现大规模连续生产。

公开(公告)号：CN104003400A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410217169.2

申请日：2014-05-21

Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司

Inventor： 赵雄 ,  严大洲 ,  姜利霞 ,  万烨 ,  杨永亮

IPC: C01B33/107

Abstract: 本发明公开了一种处理多晶硅尾气干法回收料的系统，包括：第一加热装置，适于将回收料进行第一加热处理；第二加热单元，第二加热单元与第一加热装置相连，且适于将经过第一加热处理的回收料进行第二加热处理；第一精馏单元，第一精馏单元与第二加热单元相连，且适于将经过第二加热处理的回收料进行第一精馏处理，以便得到第一塔顶蒸汽和第一塔釜液，并将第一塔釜液作为热源返回至第二加热单元；以及第二精馏装置，第二精馏装置与第一精馏单元相连，且适于将第一塔顶蒸汽进行第二精馏处理，以便得到液态轻组分和第二塔釜液，并将第二塔釜液作为热源返回至第一加热装置。该系统可以实现热量和冷量的最优综合利用，从而显著降低设备投资和能耗。

公开(公告)号：CN103950936A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410125902.8

申请日：2014-03-31

Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司

Inventor： 姜利霞 ,  严大洲 ,  杨永亮 ,  赵雄 ,  肖荣晖 ,  汤传斌

IPC: C01B33/107 ,  B01D3/14

CPC classification number: Y02P20/129

Abstract: 本发明公开了无关联塔差压热耦合提纯氯硅烷的方法，包括：（1）将第一氯硅烷进行第一精馏提纯得到第一塔顶蒸汽和第一塔底液；（2）将第一塔顶蒸汽进行第一冷凝处理，并将得到第一氯硅烷冷凝液返回至第一精馏塔内；（3）将第一塔底液进行第一再沸处理并将得到第一再沸蒸汽回至第一精馏塔内；（4）将第二氯硅烷进行第二精馏提纯得到第二塔顶蒸汽和第二塔底液；（5）将第二塔顶蒸汽用于第一再沸处理并将得到第二氯硅烷冷凝液返回至第二精馏塔；（6）将第二塔底液进行第二再沸处理并将得到第二再沸蒸汽返回至第二精馏塔。采用本发明的提纯氯硅烷的方法可以实现不同塔组之间的塔差压热耦合，扩大了差压热耦合的使用范围，解决了多晶硅系统中提纯工序高能耗的问题。

公开(公告)号：CN103553048A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310553096.X

申请日：2013-11-08

Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司

Inventor： 司文学 ,  严大洲 ,  肖荣晖 ,  汤传斌 ,  杨永亮

IPC: C01B33/035 ,  C01B33/12 ,  C01B7/01

Abstract: 本发明公开了多晶硅生产过程中物料循环利用的方法和系统，该方法包括：（1）使三氯氢硅和氢气进行还原反应，得到多晶硅和还原尾气；（2）对还原尾气进行除尘处理，获得经过除尘的还原尾气；（3）对经过除尘的还原尾气进行压缩冷却处理，从还原尾气分离第一氯硅烷和压缩后气；（4）对第一氯硅烷进行精馏提纯处理，获得残液以及三氯氢硅、二氯二氢硅和四氯化硅；（5）将（4）中获得的三氯氢硅返回至（1）进行还原反应，并且将四氯化硅的一部分与硅粉和氢气发生氢化反应，获得第二氯硅烷；（6）使四氯化硅的一部分与二氯二氢硅发生反歧化反应，获得第三氯硅烷；（7）将第二氯硅烷和第三氯硅烷返回至（4）进行精馏提纯处理。

公开(公告)号：CN103551007A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310552923.3

申请日：2013-11-08

Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司

Inventor： 司文学 ,  汪绍芬 ,  严大洲 ,  肖荣晖 ,  汤传斌 ,  杨永亮

IPC: B01D53/00 ,  B01D53/18 ,  B01D53/14 ,  B01D53/02 ,  C01B33/107

Abstract: 本发明公开了一种处理多晶硅还原尾气的方法和系统，该方法包括：（1）利用淋洗设备对多晶硅还原尾气进行淋洗，以便获得经过淋洗的还原尾气和氯硅烷；（2）将经过淋洗的还原尾气进行压缩冷却处理，以便获得氯硅烷和压缩后气；（3）将压缩后气与吸附剂接触，以便从压缩后气中分离氢气和吸附氯化氢和氯硅烷的吸附剂；（4）将吸附氯化氢和氯硅烷的吸附剂进行脱吸处理，以便获得脱附再生气，其中，脱附再生气包含氯化氢和氯硅烷。根据本发明实施例的处理多晶硅还原尾气的方法流程简单、操作稳定、能耗低，进而能够显著降低投资和运行成本。

公开(公告)号：CN103539069A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310553735.2

申请日：2013-11-08

Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司

Inventor： 司文学 ,  严大洲 ,  肖荣晖 ,  汤传斌 ,  杨永亮

IPC: C01B3/50 ,  C01B33/107 ,  C01B33/12

Abstract: 本发明公开了一种处理多晶硅还原尾气的方法和系统，该方法包括：将多晶硅还原尾气进行除尘处理，以便得到经过除尘的还原尾气；将经过除尘的还原尾气进行冷凝处理，以便得到第一氯硅烷和经过冷凝处理的还原尾气；将经过冷凝处理的还原尾气进行第一加压冷却处理，以便得到第二氯硅烷和经过第一加压冷却处理的还原尾气；将经过第一加压冷却处理的还原尾气进行吸附处理和脱吸处理，以便得到氢气和包含氯硅烷和氯化氢的混合气体；将包含氯硅烷和氯化氢的混合气体进行第二加压冷却处理，以便得到第三氯硅烷和包含氯化氢的不凝气。